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Hetero-integrated high-peak-optical-power laser source (940 nm) for time-of-flight sensors

Chinese Optics Letters 2024年第7期22卷 81-85页

作者： Sergey Olegovich Slipchenko Aleksandr Aleksandrovich Podoskin Ilia vasil'evich Shushkanov Marina Gennad'evna Rastegaeva Artem Eduardovich Rizaev Matvey Igorevich Kondratov Artem evgen.evich Grishin Nikita Aleksandrovich Pikhtin Timur Anatol'evich Bagaev Maxim Anatol'evich Ladugin Aleksandr Anatol'evich Marmalyuk vladimir Aleksandrovich Simakov Ioffe Institut Russian Academy of SciencesSt.Petersburg 194021Russia Open Joint-Stock Company M.F.Stel’makh Polyus Research Institute Moscow 117342Russia RUDN University Moscow 117198Russia

The generation of high-power laser pulses using a compact hetero-integrated assembly based on a semiconductor laser with a dual-element composite 2μm×100μm aperture and a compact heterothyristor switch is *** achieved peak optical power was 33 W with a pulse duration of 3 ns at a thyristor operating voltage of 55 *** leading edge of the laser pulse turn-on was 50 ps to a power level of 24.7 W,and the turn-on delay between the elements of the composite aperture was 160 ps.

关键词： hetero-integrated assembly semiconductor lasers thyristor switches LIDAR gain-switching mode laser heterostructure

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