检索结果-南通市图书馆

红外与毫米波学报 1998年第5期17卷 327-332页

作者：桂永胜郑国珍郭少令褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

通过迁移率谱分析法对ＬＰＥ和ＭＢＥ生长的ｎ－ＨｇＣｄＴｅ样品进行了研究，获得了样品中体电子、体空穴以及界面电子的迁移率和浓度．

关键词：迁移率谱多载流子体系汞镉碲红外探测

溶胶-凝胶法制备的Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3薄膜的结构及铁电性质研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2000年第5期49卷 1006-1009页

作者：程建功孟祥建唐军郭少令褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083

采用 0 0 5mol/L的前驱体溶液 ,利用溶胶凝胶法成功制备了室温下具有优良铁电性质的Ba0 .8Sr0 .2 TiO3(BST)薄膜 .X射线衍射分析表明 ,制得的BST薄膜室温下呈四方相 ,场发射扫描电子显微观测显示BST薄膜表面平整、致密、无裂纹出现 ... 详细信息

采用 0 0 5mol/L的前驱体溶液 ,利用溶胶凝胶法成功制备了室温下具有优良铁电性质的Ba0 .8Sr0 .2 TiO3(BST)薄膜 .X射线衍射分析表明 ,制得的BST薄膜室温下呈四方相 ,场发射扫描电子显微观测显示BST薄膜表面平整、致密、无裂纹出现 ,薄膜晶粒呈柱状结构、尺寸在 15 0nm左右 .电学测量表明制备的BST薄膜室温下具有优良的铁电性能 .薄膜的剩余极化Pr 约为 3 5 μC/cm2 ,矫顽电场Ec 约为 5 3kV/cm .薄膜的绝缘性能也较好 .这为利用溶胶

关键词：溶胶-凝胶法 BST薄膜结构铁电性质

n-HgCdTe表面积累层的定量迁移率谱研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与毫米波学报 1998年第3期17卷 182-186页

作者：桂永胜郑国珍蔡毅褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室昆明物理研究所

利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理论计算的结果非常吻合．

关键词：定量迁移率谱表面积累层汞镉碲光导器件

溶胶-凝胶非硫化法制备铜锌锡硫薄膜（英文）

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与毫米波学报 2015年第2期34卷 129-133页

作者：张克智何俊王伟君孙琳杨平雄褚君浩华东师范大学电子工程系极化材料与器件教育部重点实验室上海200241

采用溶胶-凝胶非硫化方法制备了表面平整、致密的铜锌锡硫薄膜.XRD及Raman分析表明制备的铜锌锡硫薄膜为锌黄锡矿结构.能谱分析表明所有薄膜均贫铜富锌贫硫.场发射扫描电子显微镜测得薄膜的厚度在0.7μm左右.透射光谱表明随后退火温度... 详细信息

采用溶胶-凝胶非硫化方法制备了表面平整、致密的铜锌锡硫薄膜.XRD及Raman分析表明制备的铜锌锡硫薄膜为锌黄锡矿结构.能谱分析表明所有薄膜均贫铜富锌贫硫.场发射扫描电子显微镜测得薄膜的厚度在0.7μm左右.透射光谱表明随后退火温度的提高薄膜的光学带隙从2.13 eV减小到1.52 eV.

关键词：溶胶-凝胶铜锌锡硫薄膜前驱体预退火后退火组分

Mn_(1.56)Co_((0.96-x))Ni_(0.48)Cu_xO_4系列薄膜光电性质研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与毫米波学报 2013年第2期32卷 113-117页

作者：张琰黄志明侯云周炜褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

用化学溶液沉积法,以Al2O3为衬底在750℃温度下制备了锰钴镍铜Mn1.56Co(0.96-x)Ni0.48CuxO4系列薄膜.制备温度低于传统烧结工艺需要的温度(1100℃).采用X射线衍射(XRD)对所制备材料的结晶性能进行测量.结果表明,在一定范围内随着铜组分... 详细信息

用化学溶液沉积法,以Al2O3为衬底在750℃温度下制备了锰钴镍铜Mn1.56Co(0.96-x)Ni0.48CuxO4系列薄膜.制备温度低于传统烧结工艺需要的温度(1100℃).采用X射线衍射(XRD)对所制备材料的结晶性能进行测量.结果表明,在一定范围内随着铜组分的增加,材料的择优取向发生变化,结晶性能提高且保持立方尖晶石单相结构.根据Scherrer方程和XRD数据计算薄膜的晶粒尺寸,Cu含量的增加导致薄膜晶粒尺寸增大.扫描电镜(SEM)图验证了制备的薄膜材料均匀致密,无裂痕.测量材料的变温I-V特性,计算材料在295 K下负温度电阻系数α及其活化能和特征温度,当Cu含量低时材料的α值较大,随着Cu组分的增加,α由-4.12%下降到-3.29%.利用椭偏光谱仪(SE),拟合材料在近紫外-可见-近红外波段的消光系数,并初步指认消光系数峰.

关键词： X射线衍射扫描电镜特征温度T0 活化能E 椭偏光谱消光系数k

窄禁带Hg_(0.79)Cd_(0.21)Te的红外光致发光

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与毫米波学报 2000年第3期19卷 174-176页

作者：常勇王晓光唐文国褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进 ,引入双调制技术 ,消除了室温背景黑体辐射在 4μm至 5μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰 ,在 10μm红外波段得到了组分 x=0 .2 1窄禁带 Hg Cd Te的光致发光光谱 ,对光谱的主要结构也进行... 详细信息

对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进 ,引入双调制技术 ,消除了室温背景黑体辐射在 4μm至 5μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰 ,在 10μm红外波段得到了组分 x=0 .2 1窄禁带 Hg Cd Te的光致发光光谱 ,对光谱的主要结构也进行了指认 ,发现存在于这种材料中的 4me V的杂质能级 ,其来源是材料中的浅杂质 .

关键词：红外光致发光窄禁带半导体 HgCdTe

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

La掺杂对PZT薄膜光伏特性的影响

红外与毫米波学报 2013年第2期32卷 128-131页

作者：孙倩邓红梅杨平雄褚君浩华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室上海200241 上海大学材料研究所分析测试中心上海200444

采用溶胶-凝胶法在LNO/Si衬底上制备了(Pb1-xLax)(Zr0.52Ti0.48)1-x/4O3(PLZT)多晶薄膜.XRD图谱显示,通过600℃的快速热退火过程制备出了同时具有三方相和四方相的PLZT薄膜,并且薄膜呈现(110)晶向择优生长;拉曼图谱进一步证实了薄膜同... 详细信息

采用溶胶-凝胶法在LNO/Si衬底上制备了(Pb1-xLax)(Zr0.52Ti0.48)1-x/4O3(PLZT)多晶薄膜.XRD图谱显示,通过600℃的快速热退火过程制备出了同时具有三方相和四方相的PLZT薄膜,并且薄膜呈现(110)晶向择优生长;拉曼图谱进一步证实了薄膜同时具有三方相和四方相;研究样品的电滞回线发现,随着La含量的减小,薄膜的电滞回线不断宽化;同时,通过光伏效应测试得出结论,当La含量从1%增加到6%时,光生电压逐渐增大,并在6%时达到极大值,当La含量进一步增加时,光生电压反而随之减小.

关键词：溶胶-凝胶法 PLZT薄膜光伏效应

Bi_2Cu_(0.1)V_(0.9)O_(5.35-δ)固态电解质化学溶液法的合成与性能

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与毫米波学报 2009年第4期28卷 259-262页

作者：郭鸣孟祥建杨平雄褚君浩华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室上海200241 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验上海200083

用化学溶液法合成了Bi2Cu0.1V0.9O5.35-δ(BICUVOX.10)材料,研究了材料的物相、表面形貌和电学特性.BICUVOX.10薄膜具有室温稳定的高电导γ相.在LaNiO3/Si衬底上,BICUVOX.10薄膜具有(001)择优取向,平均晶粒大小约为200nm.低频范围的介... 详细信息

用化学溶液法合成了Bi2Cu0.1V0.9O5.35-δ(BICUVOX.10)材料,研究了材料的物相、表面形貌和电学特性.BICUVOX.10薄膜具有室温稳定的高电导γ相.在LaNiO3/Si衬底上,BICUVOX.10薄膜具有(001)择优取向,平均晶粒大小约为200nm.低频范围的介电损耗来源于氧空位的短程扩散,BICUVOX.10薄膜主要表现为晶粒电导特性.BICUVOX.10薄膜中氧离子电导激活能约为0.3 eV,氧离子电导率约为5×***-1.

关键词：铜-钒酸铋电解质氧离子电导

电解液中Cu^(2＋)浓度对CuInS_2薄膜的影响(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与毫米波学报 2012年第2期31卷 102-105,117页

作者：崔艳峰左少华江锦春褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 上海太阳能电池研究与发展中心上海201201

采用硫化Cu-In-S预制层方法制备出CuInS2、CuIn11S17及两相混合共存的薄膜,其中Cu-In-S预制层通过在含有不同Cu2+浓度的电解液中电化学沉积制得.通过对薄膜的XRD、SEM及EDS的表征,发现当In3+和S2O32-浓度不变时,Cu2+浓度的改变对薄膜的... 详细信息

采用硫化Cu-In-S预制层方法制备出CuInS2、CuIn11S17及两相混合共存的薄膜,其中Cu-In-S预制层通过在含有不同Cu2+浓度的电解液中电化学沉积制得.通过对薄膜的XRD、SEM及EDS的表征,发现当In3+和S2O32-浓度不变时,Cu2+浓度的改变对薄膜的性质有很大的影响.在最优的Cu2+浓度下,制备出了单一的、具有理想化学计量比的、禁带宽度为1.5eV的CuInS2薄膜.这种薄膜在后续工作中有望被用作太阳能电池的吸收层.

关键词： CuInS2薄膜电化学沉积硫化薄膜太阳能电池

沉积参数对射频磁控溅射制备的碲锌镉薄膜的影响(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与毫米波学报 2013年第2期32卷 97-101页

作者：曹鸿褚君浩王善力邬云骅张传军中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 上海太阳能电池研究与发展中心上海201201

采用Cd0.96Zn0.04Te靶,利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜,通过改变基片温度、溅射功率和工作气压,制得不同的碲锌镉薄膜.将制备的碲锌镉薄膜放置在高纯空气气氛中,在473 K温度下退火.利用台阶仪、分光光度计、XRD和SEM测试设备表征,结果... 详细信息

采用Cd0.96Zn0.04Te靶,利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜,通过改变基片温度、溅射功率和工作气压,制得不同的碲锌镉薄膜.将制备的碲锌镉薄膜放置在高纯空气气氛中,在473 K温度下退火.利用台阶仪、分光光度计、XRD和SEM测试设备表征,结果表明,通过退火和改变沉积参数,可以制备出禁带宽度在1.45～2.02 eV之间调节的碲锌镉薄膜.

关键词：碲锌镉薄膜射频磁控溅射带隙