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Tunable Schottky barrier width and enormously enhanced photoresponsivity in Sb doped SnS2 monolayer

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Nano Research 2019年第2期12卷 463-468页

作者： Junchi Liu Xiao Liu zhuojun chen Lili Miao Xingqiang Liu Bo Li Liming Tang Keqiu chen Yuan Liu Jingbo Li Zhongming Wei Xidong Duan Department of Applied Physics School of Physics and Electronics Hunan University Changsha 410082 China Hunan Key Laboratory of two dimensional materials Department of Applied Physics School of Physics and Electronics Hunan University Changsha 410082 China State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences & College of Materials Science and Opto-Electronic Technology University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China Hunan Key Laboratory of two dimensional materials State Key Laboratory for Chemo/Biosensing and Chemometrics College of Chemistry and Chemical Engineering Hunan University Changsha 410082 China

Doping, which is the intentional introducti on of impurities into a material, can improve the metal-semiconductor interface by reducing Schottky barrier width. Here, we prese nt high-quality two-dime nsional SnS2 nano sheets with well-controlled Sb dopi ng concen tration via direct vapor growth approach and following micromechanical cleavage process. X-ray photoelectro n spectroscopy (XPS) measureme nt dem on strates that Sb contents of the doped samples are approximately 0.22%, 0.34% and 1.21%, respectively, and doping in duces the upward shift of the Fermi level with respect to the pristi ne SnS2. Tran smissio n electro n microscopy (TEM) characterizatio n exhibits that Sb-doped SnS2 nano sheets have a high-quality hexagonal symmetry structure and Sb element is uniformly distributed in the nano sheets. The phototra nsistors based on the Sb-doped SnS2 mono layers show n-type behavior with high mobility which is one order of magn itude higher than that of pristi ne SnS2 phototra nsistors. The photorespo nsivity and exter nal quantum efficiency (EQE) of Sb-S nS2 mono layers phototra nsistors are approximately three orders of magnitude higher than that of pristine SnS2 phototransistor. The results suggest that the method of reducing Shottky barrier width to achieve high mobility and photoresp on sivity is effective, and Sb-doped SnS2 mono layer has significant potential in future nanoelectronic and optoelectronic applications.

关键词： two-dimensional doping Schottky barrier width SnS2 optoelectronics

High-performance asymmetric electrodes photodiode based on Sb/WSe2 heterostructure

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Nano Research 2019年第2期12卷 339-344页

作者： Xiao Liu Guangzhuang Sun Peng chen Junchi Liu Zhengwei Zhang Jia Li Huifang Ma Bei Zhao Ruixia Wu Weiqi Dang Xiangdong Yang chen Dai Xuwan Tang zhuojun chen Lili Miao Xingqiang Liu Bo Li Yuan Liu Xidong Duan Department of Applied Physics School of Physics and Electronics Hunan University Changsha 410082 China State Key Laboratory for Chemo/Biosensing and Chemometrics College of Chemistry and Chemical Engineering Hunan University Changsha 410082 China

Two-dimensional (2D) van der Waals (vdWs) metal-semiconductor heterostructures with atomically sharp interface and matched work functions have recently attracted great attention due to their unique electronic and optoelectronic properties. Here we report the vapor phase epitaxial growth of large-scale vertical Sb/WSe2 metal-semiconductor vdWs heterostructures with uniform stacking orientation. Compared with the growth on S1O2/S1 substrate, the thick ness of Sb nan osheet on WSe2 can be reduced effectively to mono layer. We con struct Sb-WSe2-Au asymmetric electrodes photodiode based on the Sb/WSe2 heterostructures. Electrical transport measurements indicate that the photodiode show obvious rectifying effect. Optoelectronic characterizations show prominent photoresponse with a high photoresposivity of 364 mA/W, a fast response time of less than 8 ms, a large open-circuit voltage of 0.27 V and a maximum electrical power output of 0.11 nW. The direct growth of high-quality metal-semiconductor vdWs heterostructures may open up new realms in 2D functional electronics and optoelectronics.

关键词： two-dimensional asymmetric electrode photodiode van der Waals (vdWs) heterostructure optoelectronics

激光强化参数对40Cr钢表面组织及摩擦性能影响的研究

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润滑与密封 2006年第6期31卷 84-86页

作者：陈卓君张祖立沈阳农业大学农业机械工程学院

采用CO2横流式激光器对40Cr材料进行表面强化处理研究;使用S-360型扫描电镜观察激光硬化区金相组织及成分并观察金属表面磨损形貌;采用CHX-1超显微硬度计测量激光强化区断面的显微硬度;然后在MPX-2000盘销式摩擦磨损实验机上进行干摩擦... 详细信息

采用CO2横流式激光器对40Cr材料进行表面强化处理研究;使用S-360型扫描电镜观察激光硬化区金相组织及成分并观察金属表面磨损形貌;采用CHX-1超显微硬度计测量激光强化区断面的显微硬度;然后在MPX-2000盘销式摩擦磨损实验机上进行干摩擦和油润滑实验。结果表明:激光参数对表面硬度和硬化层深度有很大影响,较大的功率可使奥氏体转变充分而获得更多的马氏体,激光扫描速度越快,功率越大,显微硬度越高,硬化层越深;少量针状马氏体组织化引起表层强化,经激光硬化的表面其耐磨性可大大提高;40Cr在干摩擦条件下的平均磨损量是润滑时的5倍,40Cr和20MnSiV的磨损主要以磨粒磨损为主,同时也有粘着磨损。

关键词： 40Cr钢激光处理表面强化摩擦磨损

多样化教学与灵活空间需求:来自建筑人类学的启示

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全球教育展望 2024年第9期53卷 19-29页

作者：陈卓君杨滢华南师范大学教育科学学院广州510631 华南师范大学港澳青少年教育研究中心广州510631 华南师范大学道德教育研究中心广州510631

多样化教学作为新课程改革背景下指导教学实践的一种理念,是增强教学有效性的重要途径。然而,多样化教学的有效实施不仅依赖于多种教学手段的运用,还需要灵活多样的教学空间予以支持。鉴于目前多样化教学实践中对灵活教学空间建设的忽略... 详细信息

多样化教学作为新课程改革背景下指导教学实践的一种理念,是增强教学有效性的重要途径。然而,多样化教学的有效实施不仅依赖于多种教学手段的运用,还需要灵活多样的教学空间予以支持。鉴于目前多样化教学实践中对灵活教学空间建设的忽略,本研究引入建筑人类学理论,以为更好地创设灵活适宜的教学空间提供支持。建筑人类学作为融合建筑学和人类学的综合性理论,强调建筑是对文化的反映,同时也对个体行为认知产生一定影响。这启示教学空间的建设者需结合文化社会特点进行空间设计,服务于学生多样化的学习行为。基于建筑人类学对多样化教学空间建设的启示,本研究分别从物理空间、文化空间、心理空间三个层面对空间建设提出设计策略,即通过进一步整合空间需求增强物理空间功能的综合性,发挥文化空间的隐形教育价值,满足学生心理情感需求,从空间层面助力多样化的“教”与“学”。

关键词：多样化教学建筑人类学设计规划教学空间

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日本学校安全政策演进:特征、动因及趋势

比较教育研究 2024年第11期46卷 104-112页

作者：陈卓君虞嘉琦华南师范大学教育科学学院/港澳青少年教育研究中心广东广州510631 湖南师范大学古典教育研究中心湖南长沙410081

第二次世界大战后,日本学校安全政策受到社会现状改变和安全理念转变的双重影响。基于历史制度主义视角,该政策经历“法律法规阶段”“指导纲领阶段”“生存能力阶段”和“推进计划阶段”四个时期。这凸显出演进的主体性、具体性、实时... 详细信息

第二次世界大战后,日本学校安全政策受到社会现状改变和安全理念转变的双重影响。基于历史制度主义视角,该政策经历“法律法规阶段”“指导纲领阶段”“生存能力阶段”和“推进计划阶段”四个时期。这凸显出演进的主体性、具体性、实时性,旨在更有效地提升学校安全水平。日本学校安全政策提倡政府放手式支持,强调构建安全环境的主动权应下放给学校,使其更好地适应本土需求。同时,政策鼓励社区在地化参与,为安全学校的建设提供知识、资金与人力支持,从而构建强大的学校安全网络。由政府、学校、社区共同打造的合作机制成为日本学校安全政策的核心要素。未来,日本学校安全政策将更加注重全面安全生态系统的建立、学生中心安全理念的贯彻、安全学校数字技术的运用。

关键词：学校安全安全保障危机管理历史制度主义

档案科技工作发展路径探析——基于浙江实践的视角

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浙江档案 2020年第12期 16-18页

作者：宋华陈卓君浙江省档案局

以浙江为例进行分析。"十三五"期间,浙江档案科技工作取得较好成效,科技工作与实践工作实现有机融合,档案科技工作稳步推进,较好地完成档案科技"十三五"规划的任务,但也存在工作发展不平衡、人才与经费保障不充分、管理机制不完善等问... 详细信息

以浙江为例进行分析。"十三五"期间,浙江档案科技工作取得较好成效,科技工作与实践工作实现有机融合,档案科技工作稳步推进,较好地完成档案科技"十三五"规划的任务,但也存在工作发展不平衡、人才与经费保障不充分、管理机制不完善等问题。新修订档案法明确提出国家鼓励和支持档案科学研究和技术创新,要求推动档案科技进步。"十四五"时期,浙江将完善档案科技管理制度、强化档案科技力量、拓展科技成果推广途径,推动档案科技工作不断走向深化。

关键词：档案科技工作 “十三五”概述 “十四五”展望浙江

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用于流水线ADC的无采样保持运放前端电路

湖南大学学报（自然科学版） 2020年第10期47卷 86-91页

作者：陈迪平张仁梓曹伦武陈卓俊曾健平湖南大学物理与微电子科学学院湖南长沙410082 湖南进芯电子科技有限公司湖南长沙410205

为了降低流水线模数转换器功耗与提升输入信号范围,设计了一种无采样保持运放前端电路.移除采样保持运放降低了功耗,并改进开关时序进一步降低电路功耗;同时改进传统开关电容比较器输入,使得模数转换器可达到0~3.3 V满电源电压的量化范... 详细信息

为了降低流水线模数转换器功耗与提升输入信号范围,设计了一种无采样保持运放前端电路.移除采样保持运放降低了功耗,并改进开关时序进一步降低电路功耗;同时改进传统开关电容比较器输入,使得模数转换器可达到0~3.3 V满电源电压的量化范围.将设计的无采样保持运放前端电路应用在一款低功耗12位50 MS/s流水线模数转换器进行验证,采用0.18μm 1P6M工艺进行流片,芯片面积为1.95 mm2.测试结果表明:3.3 V电压下,采样率为50 MS/s、输入信号频率为5.03 MHz时,信噪失真比(SNDR)为64.67 dB,无杂散动态范围(SFDR)为72.9 dB,功耗为65 mW.

关键词：流水线模数转换器无采样保持运放孔径误差开关电容比较器

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农业机械化发展效应的全局密切值法测度

农业机械学报 2008年第5期39卷 56-59页

作者：卢秉福张祖立朱明陈卓君吕小莲沈阳农业大学工程学院沈阳市110161 农业部规划设计研究院北京市100026 沈阳理工大学汽车与交通学院沈阳市110168

构建了我国农业机械化发展效应测度的ICOE指标体系,应用全局密切值法对我国各省、市、自治区农业机械化发展效应进行测度。根据测度结果将全国各省、市、自治区农业机械化发展效应划分为A、B、C3个等级,并分析了2004、2006年各省、市、... 详细信息

构建了我国农业机械化发展效应测度的ICOE指标体系,应用全局密切值法对我国各省、市、自治区农业机械化发展效应进行测度。根据测度结果将全国各省、市、自治区农业机械化发展效应划分为A、B、C3个等级,并分析了2004、2006年各省、市、自治区农业机械化发展效应变化的原因。

关键词：农业工程农业机械化密切值发展效应测度

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中小学廉政教育初探

中小学校长 2021年第1期 30-32页

作者：陈卓珺浙江省金华市磐安县教育局

以清廉学校建设为载体,在中小学开展廉政教育,旨在帮助学生扣好人生第一粒扣子,引导教师践行师德规范,共同守护山清水秀的教育生态。针对目前一些学校廉政教育在思想认识、体系构建、内容形式、小微权力治理等方面存在的问题,综合施策,... 详细信息

以清廉学校建设为载体,在中小学开展廉政教育,旨在帮助学生扣好人生第一粒扣子,引导教师践行师德规范,共同守护山清水秀的教育生态。针对目前一些学校廉政教育在思想认识、体系构建、内容形式、小微权力治理等方面存在的问题,综合施策,坚持五个结合,推进廉政教育入脑入心。与党风廉政教育相结合,提高党员干部廉政意识,培育清明政风;与师德师风建设相结合,树立教师清廉师表,培育清正教风;与校园文化建设相结合,彰显育人功能,培育清净校风;与学校德育相结合,播种清廉种子,培育清新学风;与制度建设相结合,依靠制度管人管事,打造阳光教育品牌。形成"在思想上明廉,在制度上固廉,在作风上促廉,在文化上扬廉"的体系。

关键词：中小学廉政教育教育生态