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Carrier lifetime of GeSn measured by spectrally resolved picosecond photoluminescence spectroscopy

Photonics Research 2020年第6期8卷 788-798页

作者： brian julsgaard NILS VON DEN DRIESCH PETER TIDEMAND-LICHTENBERG CHRISTIAN PEDERSEN ZORAN IKONIC DAN BUCA Department of Physics and Astronomy Aarhus UniversityNy Munkegade 120DK-8000 Aarhus CDenmark Peter Grinberg Institute 9(PGI 9) Forschungszentrum Jilich52425 JilichGermany JARA-Institut Green IT RWTH AachenGermany DTU Fotonik Technical University of DenmarkFrederiksborgvej 399DK-4000 RoskildeDenmark Pollard Institute School of Electronic and Electrical EngineeringUniversity of LeedsLeedsUK

We present an experimental setup capable of time resolved photoluminescence spectroscopy for photon energies in the range of0.51 to 0.56 eV with an instrument time response of75 *** detection system is based on optical parametric three wave mixing,operates at room temperature,has spectral resolving power,and is shown to be well suited for investigating dynamical processes in germanium-tin *** particular,the carrier lifetime ofa direct-bandgap Ge1-xSnx film with concentration x=12.5%and biaxial strain-0.55%is determined to be 217±15 ps at a temperature of 20 K.A room-temperature investigation indicates that the variation in this life-time with temperature is very *** characteristics of the photoluminescence as a function of pump fuence are discussed.

关键词： lifetime resolved spectral

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