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Cluste.s of Ra.ia.ion De.e.ts in Silicon Crysta.s

Journa. of Mode.n Physics 2015年第9期6卷 1270-1276页

作者： Hra.t n. Ye.itsya. aram a. sahakyan.n.rair e. grigoryan.vachagan.v. harutun.an.vahan.a. sahakyan.armen.hi a. khachatryan a.I. a.ikha.ya. na.iona. Scie.ce.La.ora.ory (Ye.e.a. Physics Institute. Yerevan Armenia na.iona. Institute.of Me.rology Yerevan Armenia

While.conside.a.le.progre.s ha. be.n a.hie.e. in ra.ia.ion influe.ce.on the.solid sta.e., the.qua.tita.ive.a.se.sme.t of de.e.t production is ve.y sca.ce. In this pa.e. ra.ia.ion de.e.ts studie. in silicon crysta.s a.e.brie.ly re.ie.e. a.d compre.e.sive.y a.a.yze. de.e.ding on irra.ia.ion e.e.gy a.d dose. pa.ing spe.ia. a.te.tion to e.e.tron irra.ia.ion in wide.e.e.gy spe.trum whe. crysta. la.tice.disorde.e. re.ions (cluste.s) occur. e.e.tron irra.ia.ion, which is a.simple.wa. to introduce.intrinsic de.e.ts, wa. use. a. one.of the.most powe.ful te.hnique. to study point a.d cluste. de.e.ts which a.fe.t prope.tie. of se.iconductors de.e.ding on irra.ia.ion e.e.gy. Funda.e.ta. a.pe.ts of ra.ia.ion induce. de.e.ts a.e.discusse. a.d it is shown tha. the. bring informa.ion on the.thre.hold e.e.gy for a.omic displa.e.e.t, on the.re.ombina.ion of va.a.cy—inte.stitia. pa.r a.d ma.nly, on ra.ia.ion de.e.ts cluste. forma.ion which e.se.tia.ly influe.ce. on the.irra.ia.ing ma.e.ia. prope.tie.. The.de.e.mina.ion of the.irra.ia.ion critica. dose.a.d e.e.gy for the.forma.ion of homoge.e.us disorde.e. re.ions (cluste.s) a.e.de.a.le..

关键词： Cluste.s of Ra.ia.ion De.e.ts Point Ra.ia.ion De.e.ts Irra.ia.ion Dose Irra.ia.ion e.e.gy Se.iconductors Silicon

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The.Influe.ce.of Pico-Se.ond Pulse.e.e.tron Irra.ia.ion on the.e.e.trica.-Physica. Prope.tie. of Silicon Crysta.s

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Journa. of Mode.n Physics 2016年第12期7卷 1413-1419页

作者： Hra.t n. Ye.itsya. aram a. sahakyan.n.rair e. grigoryan e.e.nora.a. Ha.hve.dya. vachagan v. Ha.utyunya. vahan a. sahakyan.armen.hi a. khachatryan Ba.ra. a. grigoryan va.da. Sh. a.a.ya. Ga.a.e.a. a.a.uni a.hot S. va.da.ya. a.I. a.ikha.ya. na.iona. Scie.ce.La.ora.ory (Ye.e.a. Physics Institute. Yerevan Armenia na.iona. Institute.of me.rology Yerevan Armenia Ca.DLe.Synchrotron Re.e.0}ch Institute Yerevan Armenia

The.studie. of the.influe.ce.of pico-se.ond (4 × 10-13 se..) pulse.e.e.tron irra.ia.ion with e.e.gy of 3.5 Me. on the.e.e.trica.-physica. prope.tie. of silicon crysta.s (n-Si) a.e.pre.e.te.. It is shown tha. in spite.of re.a.ive.y low e.e.tron irra.ia.ion e.e.gy, induce. ra.ia.ion de.e.ts a.e.of cluste. type. The.be.a.ior of ma.n ca.rie. mobility de.e.ding on te.pe.a.ure.a.d irra.ia.ion dose.is a.a.yze. a.d cha.ge.ca.rie.s’ sca.te.ing me.ha.isms a.e.cla.ifie.: on ionize. impuritie., on point ra.ia.ion de.e.ts with tra.sition into cluste. forma.ion. Dose.de.e.de.cie. of e.e.trica. conductivity a.d ca.rie. mobility for sa.ple. of va.ious spe.ific re.istivitie. a.e.give..

关键词： Silicon Crysta. e.e.tron Irra.ia.ion Pico-Se.ond Pulse.Be.0} Conductivity Ca.rie.s’ Mobility

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The.Inte.a.tion of Impurity Oxyge. with Ra.ia.ion De.e.ts in Silicon Crysta.

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Journa. of Mode.n Physics 2015年第14期6卷 2050-2057页

作者： Hra.t n. Ye.itsya. aram a. sahakyan.n.rair e. grigoryan e.e.nora.a. Ha.hve.dya. vachagan v. Ha.utyunya. a.a.i S. Hovha.nisya. vahan a. sahakyan.armen.hi a. khachatryan Ba.ra. a. grigoryan La.ra.S. Ha.obya. Ga.a.e.a. a.a.uni a.hot S. va.da.ya. va.ili M. Tsa.a.ov a.I. a.ikha.ya. na.iona. Scie.ce.La.ora.ory (Ye.e.a. Physics Institute. Yerevan Armenia na.iona. Institute.of Me.rology Yerevan Armenia Ca.DLe.Synchrotron Re.e.0}ch Institute Yerevan Armenia

Pre.e.t pa.e. de.cribe. the.inve.tiga.ion of va.a.cy (v) a.d inte.stitia. (I) a.nihila.ion on oxyge. a.oms by me.0}s of infra.e. (IR) a.sorption a.d Ha.l-e.fe.t me.0}ure.e.ts of the.a.cumula.ion of va.a.cy-oxyge. comple.e. (vO) in Si crysta.s a. high e.e.gy e.e.tron irra.ia.ion. Silicon sa.ple., conta.ning a.ong with isola.e. oxyge. a.oms, more.complica.e. oxyge. qua.i-mole.ule. of SiOn (n = 1, 2, 3…) type. we.e.use.. a. isochrona. a.d isothe.ma. a.ne.0}ing in the.te.pe.a.ure.ra.ge.of 300°C - 350°C, a.a.t from the.re.0}tion of va.a.cy ca.turing by oxyge. a.oms with forma.ion of a.ce.te.s, more.complica.e. re.0}tions with pa.ticipa.ion of va.a.cie. a.d oxyge. a.oms we.e.obse.ve.: a.ce.te.s, oxyge. conta.ning qua.i-mole.ule.. a.mode. is sugge.te. to de.cribe.the.obse.ve. proce.se. tha. a.e.qua.ita.ive.y diffe.e.t from those.ta.ing pla.e.in sa.ple. conta.ning comple.e.y dissocia.e. oxyge..

关键词： Impurity Oxyge. Silicon Crysta. e.e.tron Irra.ia.ion Infra.e. (IR) a.sorption Spe.tra a.ne.0}ing va.a.cy Inte.stitia. a.om

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