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PbS Nanostructures Thin Films by in situ PbS：Ni and PbS：Cd-Doping

材料科学与工程（中英文A版） 2013年第5期3卷 305-314页

作者： Salvador Rosas Castilla Marcial Zamora Tototzintlel rey Baltazar Lepez Flores Leslie Chaltel Lima Oscar Portillo Moreno Faculty of Chemistry Autonomous University of Puebla (UAP) Puebla Mexico Faculty of Electronics Autonomous University of Puebla (UAP) Puebla Mexico

PbS: Ni and PbS: Cd nanocrystalline films were prepared by chemical bath on glass substrates at deposition T = 80. Different Ni-Cd-doping levels were obtained changing the volume of the Ni an Cd-reagent-solution into the PbS growing solution. Measurements were carried out to characterize the semiconductor, such as X-ray diffraction (XRD) and optical absorption (OA). The morphological changes of the layers were analyzed using scanning electron microscopy (SEM). Diffraction X-ray spectra PbS: Ni and PbS: Cd displayed peaks at 2θ = 26.00, 30.07, 43.10, 51.00 and 53.48, indicating growth on the zinc blende face. The grain size determined by X-rays diffraction of the undoped samples, was found ~37 nm, whereas with the doped sample was 32-5 nm. PbS: Ni forbidden band gap energy (Eg) shift disclose a shift in the range of 1.4-2.4 v and PbS: Cd energy was estimated to be 0.15-0.5 ev. Gibbs free energy calculation for the Cu doping PbS is also included.

关键词： PBS 硫化铅纳米结构薄膜兴奋剂 X-射线衍射 Ni 原位掺杂浓度

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