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Synthesis and Device Applications of High-Density Aligned Carbon Nanotubes Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Stacked Multiple Transfer

引用

Nano Research 2010年第12期3卷 831-842页

作者： Chuan Wang Koungmin Ryu Lewis Gomez De Arco alexander badmaev Jialu Zhang Xue Lin Yuchi Che Chongwu Zhou Ming Hsieh Department of Electrical Engineering University of Southern CaliforniaLos AngelesCalifornia 90089USA

For nanotube-based electronics to become a viable alternative to silicon technology,high-density aligned carbon nanotubes are *** this paper,we report the combined use of low-pressure chemical vapor deposition and stacked multiple transfer to achieve high-density aligned *** using an optimized nanotube synthesis recipe,we have achieved high-density aligned carbon nanotubes with density as high as 30 tubes/μ*** addition,a facile stacked multiple transfer technique has been developed to further increase the nanotube density to 55 tubes/μ***,high-performance submicron carbon nanotube field-effect transistors have been fabricated on the high-density aligned *** removing the metallic nanotubes by electrical breakdown,the devices exhibit on-current density of 92.4μA/μm and normalized transconductance of 13.3μS/μ***,benchmarking with the aligned carbon nanotube transistors in the literature indicates that our devices exhibit the best performance so far,which is attributed to both the increased nanotube density and scaling down of channel *** study shows the great potential of using such high-density aligned nanotubes for high performance nanoelectronics and analog/RF applications.

关键词： Aligned carbon nanotubes chemical vapor deposition high-density high performance transistors

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