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计算半导体合金介电常数的半经验方法

复旦学报（自然科学版） 1989年第3期28卷 255-259页

作者：徐至中复旦大学现代物理研究所

提出了采用紧束缚方法计算电子联合状态密度,并利用由实验测得的半导体化合物MZ,NZ及NW的介电常数,计算半导体合金M_xN_(1-x)W_yZ_(1-y)的介电常数虚部的半经验方法,进而利用此方法具体地计算了与InP晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)P_vAs_(1-y)... 详细信息

提出了采用紧束缚方法计算电子联合状态密度,并利用由实验测得的半导体化合物MZ,NZ及NW的介电常数,计算半导体合金M_xN_(1-x)W_yZ_(1-y)的介电常数虚部的半经验方法,进而利用此方法具体地计算了与InP晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)P_vAs_(1-y)的介电常数虚部。

关键词：半导体合体介电常数紧束缚方法

H在Al(111)面上吸附的多重散射X_α自洽计算

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物理学报 1985年第4期 552-557页

作者：田曾举黄绮张开明复旦大学现代物理研究所中国科学院物理研究所

利用多重散射X_α自洽场方法研究了H在Al(111)表面吸附的桥位和顶位模型。结果表明顶位吸附的结合能优于桥位。顶位吸附中H的1s电子与Al相互作用形成不同形式的σ键,本文分析了这些成键细节,并给出了顶位吸附的态密度。

关键词：原子球半径桥位结合能电子束缚能轻子多重散射顶位自洽计算态密度 Al

用总能量密度泛函集团方法研究I/Si(111)及I/Ge(111)表面吸附

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物理学报 1987年第1期 47-53页

作者：叶令张开明复旦大学物理系

本文中用自洽总能量密度泛函集团方法研究了Ⅶ族的Ⅰ在Si(111)和Ge(111)表面的吸附。分别采用了两种集团模型来模拟顶位和三度位构型,用总能量极小原理确定了吸附的最佳构型和吸附能量,得到顶位比三度位吸附更为稳定的结果,与SEXAFS实... 详细信息

本文中用自洽总能量密度泛函集团方法研究了Ⅶ族的Ⅰ在Si(111)和Ge(111)表面的吸附。分别采用了两种集团模型来模拟顶位和三度位构型,用总能量极小原理确定了吸附的最佳构型和吸附能量,得到顶位比三度位吸附更为稳定的结果,与SEXAFS实验结果一致。本文还计算了Ⅶ族元素F,Cl,Br,I在Si(111)顶位吸附的状态密度,讨论了这系列DOS的变化情况,并与实验或其他理论结果进行了比较,最后还讨论了半经验EHT方法的适用性及限制。

关键词：表面吸附状态密度顶位 I/Ge 密度泛函总能量方法研究

Pt_(97.4.Mn_(2.6)/Co多层膜的磁性与磁光性质研究

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物理学报 2003年第2期52卷 492-497页

作者：周勋梁冰青王海陈良尧唐云俊王荫君中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室复旦大学物理系上海200433

用磁控溅射法制备了Mn含量一定、不同PtMn层厚度的Pt97 4.Mn2 6 Co磁性多层膜系列 ,通过x射线衍射对该多层膜系列进行结构分析 ;测定了不同PtMn层厚度系列样品的磁滞回线、有效垂直各向异性 ,分析了饱和磁化强度和有效垂直各向异性变... 详细信息

用磁控溅射法制备了Mn含量一定、不同PtMn层厚度的Pt97 4.Mn2 6 Co磁性多层膜系列 ,通过x射线衍射对该多层膜系列进行结构分析 ;测定了不同PtMn层厚度系列样品的磁滞回线、有效垂直各向异性 ,分析了饱和磁化强度和有效垂直各向异性变化的原因 ;通过测定该多层膜体系的克尔谱 ,分析了一定波长下克尔角随PtMn层厚度变化的规律 .认为克尔角的变化是由于界面的合金化以及原子的极化减小所致 .

关键词： Pt97.3Mn2.6/Co多层膜磁性磁光磁控介质

Poisoning Protein by a Hydrophobic Nanoparticle Insertion

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Poisoning Protein by a Hydrophobic Nanoparticle Insertion

第七届全国液体和软物质物理学术会议

作者： Guanghong Zuo~(1,2),Qing Huang~2,Guanghong Wei~1,Ruhong Zhou~(3,4. and Haiping Fang~(2,1) 1.T-Life Research Center,Department of physics,fudan university,shanghai {4.,china 2.shanghai institute of Applied physics,Chinese Academy of Sciences,P.O.Box 800-204.shanghai 201800,china 3.IBM Thomas J.Watson Research Center,Yorktown Heights,NY 10598,USA 4.Department of Chemistry,Columbia university,New York,NY 10027,USA

＜正＞Nanoscale particles have become promising materials in many fields,such as cancer therapeutics,diagnosis,imaging,drug delivery,catalysis,as well as *** order to stimulate and facilitate these applications,there is an urgent need for the understanding of the nanotoxicity and other risks involved with these nanoparticles to human *** this talk, we will present our recent progress on the the interaction between several proteins and carbon

关键词：

来源： cnki会议评论

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关于政治文明建设若干问题的思考

上海交通大学学报（哲学社会科学版） 2003年第2期11卷 3-8页

作者：胡伟上海交通大学政治学所复旦大学当代国外马克思主义研究中心上海200030

本文旨在探讨政治文明的本质内涵及其普遍性和特殊性、社会主义政治文明建设的意义和原则、当前建设社会主义政治文明的方略和关键等问题。社会主义政治文明的核心是高度的社会主义民主 ,本质是制度文明。如果说物质文明的特质在于先进... 详细信息

本文旨在探讨政治文明的本质内涵及其普遍性和特殊性、社会主义政治文明建设的意义和原则、当前建设社会主义政治文明的方略和关键等问题。社会主义政治文明的核心是高度的社会主义民主 ,本质是制度文明。如果说物质文明的特质在于先进生产力 ,精神文明的特质在于先进文化 ,那么政治文明的特质则在于先进的制度 ,特别是民主政治的制度安排。社会主义政治文明一方面具有区别于资本主义等其他国家类型的政治文明的特殊性 ,另一方面也必然具有现代政治文明形态的普遍属性。社会主义政治文明建设必须借鉴人类政治文明的有益成果 ,积极推进我国的民主和法治建设。

关键词：政治文明社会主义政治文明制度文明民主反腐败

Speciflc Heat-Phonon Spectrum Inversion Problem of High T_c Superconductor

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Journal of Materials Science & Technology 1999年第4期15卷 381-381页

作者： Guicun MA(institute of Applied physics and Computational Mathematics, Beijing 100088, china)Xianxi DAI(Department of physics,{4., shanghai 2.043., china)To whom correspondence should be addressed E-mail: Js6s@***

The phonon density of states of YBa2Cu3O6.92 is obtained with the method of Fourier decon-volution and Tikhonov-s regularization technique from the experimental specific heat data. The result is compared with that of ... 详细信息

关键词： Chen Speciflc Heat-Phonon Spectrum Inversion Problem of High T_c Superconductor

介质参数对电子束泵浦的KrF激光激发态泵浦率的影响

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中国激光 1992年第11期19卷 820-823页

作者：吴选红杨之昌沈乃澂复旦大学物理系上海200433 中国计量科学研究院时频处北京100013

对电子束泵浦的KrF激光介质之间的各种化学反应进行研究,求得KrF~*、ArF~*、Kr_2F~*等激发态的泵浦率随时间、介质压强和介质成分的变化曲线。得到介质压强的最佳值是0.8atm,最佳分压比是Ar/Kr/F_2=91.37％/8.4./0.225％。最佳电子束... 详细信息

对电子束泵浦的KrF激光介质之间的各种化学反应进行研究,求得KrF~*、ArF~*、Kr_2F~*等激发态的泵浦率随时间、介质压强和介质成分的变化曲线。得到介质压强的最佳值是0.8atm,最佳分压比是Ar/Kr/F_2=91.37％/8.4./0.225％。最佳电子束脉宽应大于50ns。

关键词：介质参数电子束泵浦泵浦率激光

Gas Microsensors Based on Polymer-Carbon Black Composites

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Gas Microsensors Based on Polymer-Carbon Black Composites