用总能量密度泛函集团方法研究I/Si(111)及I/Ge(111)表面吸附

作     者：叶令 张开明 YE LING ZHANG KAI-MING(Modern Physics Institute, Fudan University, Shanghai)

作者机构：复旦大学物理系 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：1987年第1期

页      面：47-53页

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 

主　　题：表面吸附 状态密度 顶位 I/Ge 密度泛函 总能量 方法研究 

摘      要：本文中用自洽总能量密度泛函集团方法研究了Ⅶ族的Ⅰ在Si(111)和Ge(111)表面的吸附。分别采用了两种集团模型来模拟顶位和三度位构型,用总能量极小原理确定了吸附的最佳构型和吸附能量,得到顶位比三度位吸附更为稳定的结果,与SEXAFS实验结果一致。本文还计算了Ⅶ族元素F,Cl,Br,I在Si(111)顶位吸附的状态密度,讨论了这系列DOS的变化情况,并与实验或其他理论结果进行了比较,最后还讨论了半经验EHT方法的适用性及限制。