检索结果-南通市图书馆

物理学报 1999年第10期48卷 1904-1910页

作者：黄丹耘车静光张开明复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用第一性原理总能计算方法，计算了Ｍｏ和Ｗ表面吸附金属Ｒｈ薄膜前后［１１１］，［１１０］方向的表面能．计算结果表明，清洁Ｍｏ和Ｗ的（１１１）面不会发生｛１１０｝小面再构，与实验观察一致．当Ｒｈ的覆盖... 详细信息

用第一性原理总能计算方法，计算了Ｍｏ和Ｗ表面吸附金属Ｒｈ薄膜前后［１１１］，［１１０］方向的表面能．计算结果表明，清洁Ｍｏ和Ｗ的（１１１）面不会发生｛１１０｝小面再构，与实验观察一致．当Ｒｈ的覆盖厚度达到一物理单层后，Ｒｈ／Ｍｏ（１１１）仍不会形成｛１１０｝小面；而Ｒｈ／Ｗ（１１１）满足小面再构到｛１１０｝的热力学条件，在一定条件下可能形成｛１１０｝小面．

关键词：小面再构铑薄膜钼钨表面吸附

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形变Si,Ge中的深能级

物理学报 1993年第11期42卷 1830-1835页

作者：乔皓徐至中张开明复旦大学物理系上海200433

对生长在合金衬底上的形变Si或Ge中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究。其中形变体材料的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算,缺陷能级采用格林函数法进行计算出。结果表明,晶格中的形变使原来类p的T_2能级发生分裂,其数值... 详细信息

对生长在合金衬底上的形变Si或Ge中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究。其中形变体材料的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算,缺陷能级采用格林函数法进行计算出。结果表明,晶格中的形变使原来类p的T_2能级发生分裂,其数值随形变的增加而增大。形变还造成Si和Ge的价带顶有较大的上升,从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级。

关键词：形变体材料硅锗能级

CO和NO在CuO及CU_2O(110)表面吸附选择规律研究

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物理化学学报 1995年第5期11卷 407-413页

作者：段玉华张开明伏义路复旦大学物理学系上海200433 中国科学技术大学化学物理系合肥230026

采用离散变分Xα方法分别计算了CO和NO以C（或N）端顶位吸附在CuO（110）及Cu2O（110）表面上的基态势能曲线，结果表明：CO在Cu2O表面上的吸附强，而在CuO表面上的吸附弱；NO则在CuO表面上吸附强，在Cu2O表面上吸附弱．它们的吸附能的... 详细信息

采用离散变分Xα方法分别计算了CO和NO以C（或N）端顶位吸附在CuO（110）及Cu2O（110）表面上的基态势能曲线，结果表明：CO在Cu2O表面上的吸附强，而在CuO表面上的吸附弱；NO则在CuO表面上吸附强，在Cu2O表面上吸附弱．它们的吸附能的大小顺序为：CuO－NO＞Cu2O－CO＞Cu2O－NO＞CuO－CO．对于CuO－NO（或CO）吸附体系，主要是Cu的3d轨道与吸附分子的2π轨道间的相互作用；对于Cu2O－CO（或NO）吸附体系，办主要是吸附质分子的5σ及2π分子轨道与其顶位Cu1的4s及4p轨道和侧位Cu2的3d轨道相互作用．本文通过吸附势能曲线、态密度分析、成键分析及电荷转移量和方向等方面对实验现象做了合理的解释．

关键词：选择吸附一氧化碳一氧化氮氧化铜催化剂

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形变超晶格Si/Ge的能带结构

物理学报 1993年第8期42卷 1317-1323页

作者：乔皓资剑徐至中张开明复旦大学物理系上海200433

用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)_n/(Ge)_m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有... 详细信息

用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)_n/(Ge)_m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有决定作用,而n的大小与衬底的组分对此有极大影响。(Si)_6/(Ge)_4和(Si)_8/(Ge)_2超晶格在Si_(1-x)Ge_x衬底上生长时,当0.4≤x≤1.0时形成直接或近直接能隙,而(Si)_4/(Ge)_6超晶格当0.3≤x≤0.6时成为直接能隙,对(Si)_2/(Ge)_8超晶格则不存在直接能隙。

关键词：超晶格半导体能带结构能隙硅/锗

生长在GaSb_xP_（1－x）（001）衬底上GaP的能带结构

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固体电子学研究与进展 1996年第4期16卷 325-330页

作者：杨中芹徐至中张开明复旦大学李政道物理实验室

采用半经验紧束缚近似方法对生长在ＧａＳｂｘＰ１－ｘ（００１）衬底上ＧａＰ的电子能带结构进行计算。ＧａＰ为间接能隙型的半导体，计算表明，当衬底中Ｓｂ组分ｘ≥０．５７时，应变的ＧａＰ薄层由间接能隙变成直接能隙的半导体。因... 详细信息

采用半经验紧束缚近似方法对生长在ＧａＳｂｘＰ１－ｘ（００１）衬底上ＧａＰ的电子能带结构进行计算。ＧａＰ为间接能隙型的半导体，计算表明，当衬底中Ｓｂ组分ｘ≥０．５７时，应变的ＧａＰ薄层由间接能隙变成直接能隙的半导体。因应变，ＧａＰ原来简并的最低Ｘ点导带能级及价带顶（Γ点）能级发生分裂。随着Ｘ增大，分裂值变大。文中最后计算了价带能级到导带底跃迁的振子强度，对发光效率作了讨论。

关键词：紧束缚近似直接能隙能带结构半导体

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方方:南粤大地的儿子

2000年

作者：张开明

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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(Si)_n/(Ge)_n超晶格几何结构

物理学报 1990年第10期39卷 1640-1646页

作者：资剑张开明复旦大学物理系上海200433

本文用Keating模型计算了Si_(1-x)Ge_x(x=0—1)作衬底、沿(100)方向生长的(Si)_n/(Ge)_n(n=1—6)应力超晶格的几何结构,并讨论了衬底对超晶格生长的影响,计算结果发现对于(Si)_n/(Ge)_n超晶格,用适当的Si_(1-x)Ge_x作衬底有利于超晶格... 详细信息

本文用Keating模型计算了Si_(1-x)Ge_x(x=0—1)作衬底、沿(100)方向生长的(Si)_n/(Ge)_n(n=1—6)应力超晶格的几何结构,并讨论了衬底对超晶格生长的影响,计算结果发现对于(Si)_n/(Ge)_n超晶格,用适当的Si_(1-x)Ge_x作衬底有利于超晶格的生长。

关键词： Si Ge 超晶格生长几何结构

清洁及单层吸附的Mo(001)表面声子色散研究

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红外研究 1990年第1期9卷 35-41页

作者：资剑张开明复旦大学物理系上海200433

用最近邻及次邻中心相互作用势讨论了清洁的Mo(001)表面声子。作为初步近似,用质量亏损模型讨论了不同吸附原子质量对表面声子的影响。

关键词： Mo(001) 表面声子质量亏损模型清洁表面单层吸附表面钼

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周恩来的军事文化思想初探

河北师范大学学报（哲学社会科学版） 1990年第2期13卷 85-91页

作者：张开明

中国人民忠诚的儿子周恩来同志,是伟大的马克思主义者、无产阶级革命家,是我们党和国家的卓越领导人之一.他曾与朱德、贺龙、叶挺等老一辈无产阶级革命家一起,领导发动了著名的"八一"南昌起义,创建了人民军队.他是中国人民解放军的光荣... 详细信息

中国人民忠诚的儿子周恩来同志,是伟大的马克思主义者、无产阶级革命家,是我们党和国家的卓越领导人之一.他曾与朱德、贺龙、叶挺等老一辈无产阶级革命家一起,领导发动了著名的"八一"南昌起义,创建了人民军队.他是中国人民解放军的光荣的缔造者之一,是一位未授军衔的我军元帅.周恩来同志领导军事工作的才能早已被全党所了解和承认.

关键词：周恩来选集文化思想科学文化建设无产阶级革命家文化工作军事工作人民军队政治工作部队黄埔军校