检索结果-南通市图书馆

核电子学与探测技术 2017年第8期37卷 830-833页

作者：覃骏杜洋毛本将袁永刚李文杰中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川绵阳621900 东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心江西南昌330013

提出了有效截面刻度曲线法用于中子照相定量分析中能谱影响校正,该方法操作简单、可行性强。利用该方法对蒙特卡罗计算所得中子图像进行分析及中子能谱影响校正,取得了较好的效果。

关键词：中子照相能谱硬化定量分析蒙特卡罗

一种产生边缘增强图像的螺旋波带片编码成像技术

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激光与光电子学进展 2018年第3期55卷 191-196页

作者：范全平王少义魏来杨祖华张强强陈勇巫殷忠曹磊峰中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900 中国工程物理研究院等离子体物理重点实验室四川绵阳621900 上海交通大学IFSA协同创新中心上海200240

为了获得高能X射线、α射线、γ射线和中子等粒子源的边缘增强图像,提出一种以螺旋波带片编码成像(ZPCI)技术。螺旋波带片同时具备径向希尔伯特变换和菲涅耳波带片聚焦的特点,因此,该技术相当于在采用菲涅耳ZPCI技术获得解码图像的基础... 详细信息

为了获得高能X射线、α射线、γ射线和中子等粒子源的边缘增强图像,提出一种以螺旋波带片编码成像(ZPCI)技术。螺旋波带片同时具备径向希尔伯特变换和菲涅耳波带片聚焦的特点,因此,该技术相当于在采用菲涅耳ZPCI技术获得解码图像的基础上再进行一次径向希尔伯特变换。对该技术产生的边缘增强图像进行模拟计算和实验诊断,结果显示具有可行性。该技术在天文学、核医学和激光惯性约束聚变研究等领域具有广泛的应用前景。

关键词：图像处理编码成像技术螺旋波带片边缘增强成像径向希尔伯特变换

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我国等离子体工艺研究进展

物理 1999年第7期28卷 388-393页

作者：吴承康中国科学院力学研究所

扼要综述了我国等离子体材料工艺研究的新近进展．内容包括：热等离子体源，等离子冶金、化工、超细粉合成、喷涂；低气压非平衡等离子体源，镀膜，表面改性，等离子浸没离子注入；电晕放电，介质阻挡放电，滑动弧等及其应用．当前。

关键词：等离子体工艺热等离子体非平衡等离子体

U原子和CO反应机理的第一性原理的理论研究

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化学学报 2006年第22期64卷 2235-2240页

作者：熊忠华罗德礼陈琦郑秀梅中国工程物理研究院

在有关实验结果的基础上提出了U原子和CO分子的各种可能反应通道,然后采用第一性原理对反应通道上的各物种的几何构型、谐振频率以及总能量进行了计算和研究,计算结果表明,初级和次级反应的稳定产物分别为CUO和(η2.C2.UO2.提出了最可... 详细信息

在有关实验结果的基础上提出了U原子和CO分子的各种可能反应通道,然后采用第一性原理对反应通道上的各物种的几何构型、谐振频率以及总能量进行了计算和研究,计算结果表明,初级和次级反应的稳定产物分别为CUO和(η2.C2.UO2.提出了最可能反应通道为U原子以C端或侧位进攻CO分子引起反应,并用分子轨道理论解释了该反应机理.

关键词：分予轨道理论第一性原理反应通道

考虑随机和认知混合不确定性的稳健性分析与稳健设计方法

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机械科学与技术 2018年第5期37卷 774-780页

作者：郭惠昕锁斌张干清长沙学院机电工程学院长沙410003 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900

针对质量指标Y的影响因素同时具有随机不确定性和认知不确定性的情况,提出一种质量稳健性分析的随机模拟方法。用证据理论认知对不确定性因素进行表征,进而提出一种基于随机集理论的认知不确定性因素随机采样方法,该方法可根据认知不确... 详细信息

针对质量指标Y的影响因素同时具有随机不确定性和认知不确定性的情况,提出一种质量稳健性分析的随机模拟方法。用证据理论认知对不确定性因素进行表征,进而提出一种基于随机集理论的认知不确定性因素随机采样方法,该方法可根据认知不确定性的mass函数对其进行随机采样。随机不确定性因素不必进行分布类型的转换,直接按其概率分布规律进行采样。通过不确定性分析和计算机模拟,对质量指标Y的不确定性分布进行定量计算,进而提出了3.质量稳健性的评价指标,包括Y的期望值区间宽度、期望值中点值以及区间中点分布的标准差。根据质量指标的不同特性对三个稳健性评价指标进行优化,提出了3.不同类型的稳健设计准则。通过两个典型实例,说明了所提出的稳健性评价指标以及稳健设计准则的合理性和实用性。

关键词：随机不确定性认知不确定性不确定性分析随机模拟方法稳健性

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硝基芳烃对圆腹雅罗鱼毒性的DFT研究

化学学报 2007年第17期65卷 1789-1796页

作者：闫秀芬舒远杰王连军肖鹤鸣南京理工大学化工学院分子与材料计算研究所南京210094 中国工程物理研究院化工材料研究所绵阳621900

对3.种硝基芳烃化合物进行DFT-B3.YP/6-3.1G**水平全优化计算,据所得量子化学参数分类建立了硝基苯类和硝基苯胺类化合物对圆腹雅罗鱼急性毒性(-lgEC50)的定量构效关系(QSARs)模型.结果表明,硝基苯类化合物的毒性主要由硝基基团的电荷(Q... 详细信息

对3.种硝基芳烃化合物进行DFT-B3.YP/6-3.1G**水平全优化计算,据所得量子化学参数分类建立了硝基苯类和硝基苯胺类化合物对圆腹雅罗鱼急性毒性(-lgEC50)的定量构效关系(QSARs)模型.结果表明,硝基苯类化合物的毒性主要由硝基基团的电荷(Q-NO2.和前线轨道能级差(△E)决定;硝基苯胺类化合物的毒性则由分子最低未占轨道能级(ELUMO)和△E决定.苯环上取代基的类型、数目和取代位置直接影响到标题化合物的毒性大小,强吸电子基如硝基会降低Q-NO2.ELUMO大小,使化合物毒性增强,且邻对位硝基取代的毒性高于间位取代;相反,给电子基团氨基的存在则会使化合物的毒性降低.总之,硝基是这两类化合物致毒的主要基团,将硝基包覆或还原为氨基应为此类化合物解毒的重要途径.最后以1,4-二硝基苯为例,模拟了其活性亚硝基中间产物与蛋白质中还原性巯基间的反应,并将其与硝基苯和1,3.硝基苯的反应活化能进行了比较,讨论了不同取代基数目和位置对分子活性的影响,结果与QSAR模型分析一致,进一步验证了硝基芳烃化合物的致毒历程,研究结果对品优高能炸药的分子设计也有助益.

关键词：硝基芳烃毒性密度泛函理论定量构效关系致毒机理

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甲烷二氧化碳和氧气转化制合成气

石油与天然气化工 1999年第1期28卷 9-10页

作者：刘盛林熊国兴王昌东商永臣徐恒泳徐国林大连化学物理研究所抚顺石化公司石油二厂哈尔滨师范大学化学系

采用固定床流动反应装置，考察了NiO（Ni：9．17wt％）／Al2.3.负载型催化剂上甲烷、二氧化碳和氧气转化制合成气反应。结果表明，反应温度≥700℃时，基本达到热力学平衡；空速介于1．5－9．5×104h－1之间，反应活性基本不变。而反... 详细信息

采用固定床流动反应装置，考察了NiO（Ni：9．17wt％）／Al2.3.负载型催化剂上甲烷、二氧化碳和氧气转化制合成气反应。结果表明，反应温度≥700℃时，基本达到热力学平衡；空速介于1．5－9．5×104h－1之间，反应活性基本不变。而反应温度≤650℃时，反应活性首先随空速的增加而增加，达一最大值后，空速继续增加，活性不增加反而下降。该催化剂在850℃，CH4／CO2.O2.1／1／0．5，空速1400h－1条件下连续运行1000h，其活性一直保持在89％左右，具有良好的稳定性。

关键词：甲烷二氧化碳氧气转化合成气催化剂

成像核弛豫速率和化学位移与其分子量大小和钆喷酸浓度的相关性

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化学学报 2007年第24期65卷 2971-2975页

作者：俞开潮肖立平周锦兰丁尚武华中科技大学化学与化工系生物无机化学与药物湖北省重点实验室台湾中山大学化学系中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室

在测试磁共振成像(MRI)用造影剂钆喷酸葡胺(Magnevist)溶液的纵向弛豫速率和化学位移实验中,观察到溶液中被观测核的弛豫速率加快和化学位移变化与其分子大小和造影剂浓度呈密切的相关性:对于小分子成像核(水),弛豫速率和化学位移都与... 详细信息

在测试磁共振成像(MRI)用造影剂钆喷酸葡胺(Magnevist)溶液的纵向弛豫速率和化学位移实验中,观察到溶液中被观测核的弛豫速率加快和化学位移变化与其分子大小和造影剂浓度呈密切的相关性:对于小分子成像核(水),弛豫速率和化学位移都与造影剂浓度变化呈很好的线性关系;而对于大分子成像核(PEG-2.00和PEG-6000),其化学位移和弛豫速率与造影剂浓度变化则呈非线性关系.

关键词：磁共振成像造影剂弛豫化学位移大分子

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光学元件亚表面损伤深度的无损荧光检测方法

哈尔滨工业大学学报 2018年第7期50卷 17-22页

作者：侯晶王洪祥王储王景贺朱本温哈尔滨工业大学机电工程学院哈尔滨150001 中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900

为了实现光学元件亚表面损伤的低成本、快速、准确检测,提出一种光学元件亚表面损伤深度无损荧光检测方法.在研磨和抛光加工过程中添加纳米荧光量子点溶液作为标记物,量子点受到激发光辐照后能够产生荧光现象,然后利用激光共聚焦显微镜... 详细信息

为了实现光学元件亚表面损伤的低成本、快速、准确检测,提出一种光学元件亚表面损伤深度无损荧光检测方法.在研磨和抛光加工过程中添加纳米荧光量子点溶液作为标记物,量子点受到激发光辐照后能够产生荧光现象,然后利用激光共聚焦显微镜进行逐层扫描以获取被测样品不同深度处的切片图像,当扫描深度达到某一特定值时,荧光强度开始由强变弱,通过特征点荧光强度的变化最终确定光学元件的亚表面损伤深度.自行开发了亚表面损伤深度无损检测软件,检测软件具有图像阈值处理、亮点自动识别、图像显示和曲线表征等功能,可以实现光学元件亚表面损伤深度的快速无损检测.将无损检测结果与损伤性检测结果进行了对比分析,结果表明两种检测方法相对误差在10%以内,验证了提出的无损荧光检测方法的有效性.

关键词：光学元件亚表面损伤无损检测图像处理磁流变抛光