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1.55μm单模激光管的研究

发光学报 1990年第3期11卷 212-217页

作者：逄永秀府治平姚文兰奚榕龚连根黄伟东王志忠中国科学院上海冶金研究所

本文叙述了用液相外延法制得的1.55μm脊波导激光二极管。室温阈值电流100mA,单模线性输出5mW,光谱线宽小于2(?),脉冲响应上升时间约为100ps。分析了影响阈值电流的诸因素,如有源层厚度d和掺杂水平等。也讨论了LD的输出模式与器件结构... 详细信息

本文叙述了用液相外延法制得的1.55μm脊波导激光二极管。室温阈值电流100mA,单模线性输出5mW,光谱线宽小于2(?),脉冲响应上升时间约为100ps。分析了影响阈值电流的诸因素,如有源层厚度d和掺杂水平等。也讨论了LD的输出模式与器件结构的关系。

关键词：单模激光管半导体

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相干选行法测试半导体调制器的相位移效率

科技通讯（上海船厂） 1990年第2期 62-64页

作者：吴学海龚连根

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相干选行法测试半导体调制器的相位移效率

上海半导体 1989年第2期 34-36页

作者：吴学海龚连根

1.55μm InGaAsP/InP LED的研究

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发光学报 1990年第2期11卷 132-136页

作者：逄永秀龚连根府治平黄伟东姚文兰奚榕王志忠中国科学院上海冶金研究所

本文报导了1.55μm InGaAsP/InP LED的制造工艺和性能测量。在100mA正向电流下,LED与多模光纤和单模光纤耦合后的出纤功率分别为20～30μW和2—4μW。讨论了获得准确p-n结位置的方法。

关键词：二极管发光 LED 光源光纤

有源层受主浓度对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

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发光学报 1984年第4期 65-70页

作者：张桂成邵永富龚连根中国科学院上海冶金研究所

本文研究了有源层受主浓度（P;）对InGaAsP/InP双异质发光管特性的影响。有源层受主浓度P;≈2×10;～1×10;cm;的器件,具有较大的光输出功率P（?）1mW;截止频率f（?）为30～80MHz,并且有正常的Ⅰ-Ⅴ特性。有源层浓度高于上述浓度的器件... 详细信息

本文研究了有源层受主浓度（P;）对InGaAsP/InP双异质发光管特性的影响。有源层受主浓度P;≈2×10;～1×10;cm;的器件,具有较大的光输出功率P（?）1mW;截止频率f（?）为30～80MHz,并且有正常的Ⅰ-Ⅴ特性。有源层浓度高于上述浓度的器件,光输出功率降低,并且具有异常的Ⅰ-Ⅴ特性。在器件光谱半宽△λ=（λ;/1.24）nkT关系式中,n值是有源层受主浓度（P;）的函数。上述结果表明:有源层受主浓度（P;）是影响器件特性的重要因素之一。

关键词：有源层发射波长 InGaAsP/InP 发光管双异质结

P-Ga（1-x）InxAsyP1-y/InP材料的扩散长度测量

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发光学报 1984年第1期 59-63页

作者：杨林宝,龚连根,江玲娣中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所

用激光扫描和电荧光衰减法测定了液相外延片p-Ga1-xInxAsyP1-y/InP（x=0.74,y=0.61）的少子扩散长度Im,并对这二种测试结果进行了比较,结果符合得很好。从这二种独立的实验结果获得表面复合速率S。S为6—7×10～4cm/s,扩散长度Lm为1.6～... 详细信息

用激光扫描和电荧光衰减法测定了液相外延片p-Ga1-xInxAsyP1-y/InP（x=0.74,y=0.61）的少子扩散长度Im,并对这二种测试结果进行了比较,结果符合得很好。从这二种独立的实验结果获得表面复合速率S。S为6—7×10～4cm/s,扩散长度Lm为1.6～2.2μm。此外对p-Gε1-xInxAsyP1.y与InP衬底间的少数载流子行为进行了讨论。

关键词：少子扩散长度 P-Ga x)In_xAs_yP InP 长度测量

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可集成的高效率InGaAsP相位调制器

高速摄影与光子学 1990年第4期19卷 343-348页

作者：邬祥生吴学海李允平吕章德龚连根周萍吴长川中国科学院上海冶金研究所

GaAs-AlGaAs和InGaAsP-InP体系光电波导调制器已日益引起人们的兴趣。预计它们可以用于高速光通信,相干光通信和激光陀螺。本文报道一种用耗尽边带传输加反向偏压p-n结结构的高效InGaAsP/InP相位调制器。该调制器用液相外延、湿法腐蚀... 详细信息

GaAs-AlGaAs和InGaAsP-InP体系光电波导调制器已日益引起人们的兴趣。预计它们可以用于高速光通信,相干光通信和激光陀螺。本文报道一种用耗尽边带传输加反向偏压p-n结结构的高效InGaAsP/InP相位调制器。该调制器用液相外延、湿法腐蚀和常规工艺制备。这种波导禁带波长1.3μm的调制器在1.52μm波长观察到很大的相位移效率,对TE模和TM模来说分别为60°/V·mm和43°/V·mm。

关键词： InGaAsP 相位调制器相位移效率

非对称波导GaAlAs/GaAs快速边发光管的几何结构及性能

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Journal of Semiconductors 1987年第1期 76-83页

作者：逄永秀王德宁龚连根吴冠群潘慧珍吴陈周中国科学院上海冶金研究所邮电部上海通信设备厂

本文阐述了条形几何结构对非对称波导GaAlAs/GaAs快速边发光管性能的影响,计算了五层非对称波导边发光管的输出功率和光抽取效率及它们与结构参数之间的关系,还计算了不同条宽的侧向电流分布和光场分布情况.计算与实验结果很好相符.通... 详细信息

本文阐述了条形几何结构对非对称波导GaAlAs/GaAs快速边发光管性能的影响,计算了五层非对称波导边发光管的输出功率和光抽取效率及它们与结构参数之间的关系,还计算了不同条宽的侧向电流分布和光场分布情况.计算与实验结果很好相符.通过合理的选择,在100mA的注入电流下获得了性能良好的发光二极管,其标准尾纤的输出功率≥60μW(最高达 220 μW),3 dB的截止频率fc≥60 MHz(最高 100 MHz).是三次群光通信和其他快速模拟传输系统较为理想的光源器件.

关键词：有源层边发光发光管非对称波光提取效率 GaAlAs/GaAs 电流分布几何结构光抽取效率

条形几何尺寸对光通信用GaAs-GaAlAs边发光管性能的影响

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发光学报 1985年第3期 239-245页

作者：逄永秀潘慧珍龚连根吴冠群王德宁吴陈周中国科学院上海冶金研究所邮电部上海通信设备厂

本文阐述了条形几何尺寸对GaAs-GaAlAs边发光管性能的影响。计算了不同条宽的侧向电流分布和光场分布情况。计算与实验结果很好相符。通过合理的折衷,在100mA的低注入电流下获得了性能良好的边发光二极管,其标准尾纤的输出功率大于100... 详细信息

本文阐述了条形几何尺寸对GaAs-GaAlAs边发光管性能的影响。计算了不同条宽的侧向电流分布和光场分布情况。计算与实验结果很好相符。通过合理的折衷,在100mA的低注入电流下获得了性能良好的边发光二极管,其标准尾纤的输出功率大于100μW,光带宽超过120MHz。是三次群光通信较为理想的光源器件。

关键词：电流分布边发光侧向 GaAs-GaAlAs 光波通信系统光通信系统几何尺寸