有源层受主浓度对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响
THE DEPENDENCE OF CHARACTERISTICS OF InGaAsP/InP DH LEDs ON ACCEPTOR CONCENTRATION OF ACTIVE LAYER作者机构：中国科学院上海冶金研究所
出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)
年 卷 期：1984年第4期
页 面：65-70页
主 题：有源层 发射波长 InGaAsP/InP 发光管 双异质结
摘 要：本文研究了有源层受主浓度（P;）对InGaAsP/InP双异质发光管特性的影响。有源层受主浓度P;≈2×10;～1×10;cm;的器件,具有较大的光输出功率P（?）1mW;截止频率f（?）为30～80MHz,并且有正常的Ⅰ-Ⅴ特性。有源层浓度高于上述浓度的器件,光输出功率降低,并且具有异常的Ⅰ-Ⅴ特性。在器件光谱半宽△λ=（λ;/1.24）nkT关系式中,n值是有源层受主浓度（P;）的函数。上述结果表明:有源层受主浓度（P;）是影响器件特性的重要因素之一。
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