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An analytical model of the electric field distributions of buried superjunction devices

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Journal of Semiconductors 2013年第6期34卷 68-71页

作者：黄海猛陈星弼 State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electronic Science and Technology of China

An analytical model of the electric field distributions of buried superjunction structures,based on the charge superposition method and Green＇s function approach,is *** accurate approximation of the exact analytical model of the vertical electric field is also proposed and demonstrated by numerical *** influence of the dimension and doping concentration of each layer on the electric field is discussed in detail,and the breakdown voltage is demonstrated by simulations.

关键词： analytical model superjunction devices electric field distributions breakdown voltage

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半导体中杂质不完全电离的分析

大学物理 2019年第8期38卷 21-25页

作者：黄海猛电子科技大学电子科学与工程学院

杂质电离现象是“半导体物理学”课程的重要知识点和难点之一.本文通过对杂质电离的深入分析,推导出杂质电离程度η、温度T、掺杂浓度ND及施主杂质电离能ΔED等4个重要物理量之间的关系.进一步深入讨论杂质完全电离的最大掺杂浓度上限... 详细信息

杂质电离现象是“半导体物理学”课程的重要知识点和难点之一.本文通过对杂质电离的深入分析,推导出杂质电离程度η、温度T、掺杂浓度ND及施主杂质电离能ΔED等4个重要物理量之间的关系.进一步深入讨论杂质完全电离的最大掺杂浓度上限、电离比例与杂质电离能的关系,同时引入Lambert W函数简化对温度的求解.最后研究4H-SiC中杂质不完全电离的问题.本文的分析方法不仅可加强学生对杂质电离的系统理解,而且可培养学生的分析和创新能力,有助于将来研究和设计半导体器件.

关键词：杂质不完全电离掺杂 4H-SiC

基于材料和温度的有效碰撞电离率改进模型研究

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微电子学 2024年

作者：王晓安哲名李宗霖易啸天黄海猛杨洪强电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

W. Fulop基于室温下的硅基p-n结实验提出了一种有效碰撞电离率积分模型，极大地简化了功率半导体器件的数值解析过程。然而，现代功率半导体器件对高精度、新材料和宽温度范围提出了新的要求，该模型已不再适用。本文基于W. Fulop提出... 详细信息

W. Fulop基于室温下的硅基p-n结实验提出了一种有效碰撞电离率积分模型，极大地简化了功率半导体器件的数值解析过程。然而，现代功率半导体器件对高精度、新材料和宽温度范围提出了新的要求，该模型已不再适用。本文基于W. Fulop提出的有效碰撞电离率模型，提出了考虑不同温度且适用于Si、4H-SiC、GaN材料的改进模型，即TIF模型。本文以p+-n突变结为研究对象，基于统一的精确碰撞电离率模型，通过MATLAB数值拟合的方式，得到了218 K ～ 398 K温度下Si、4H-SiC和GaN的TIF模型的拟合表达式。将TIF模型带入p+-n突变结中得到了击穿电压和结构参数的解析表达式，并与MEDICI仿真结果进行对比。结果表明，基于TIF模型的解析结果具有很高的精确度，与仿真的相对误差小于2%。

关键词：宽禁带半导体 GaN 4H-SiC 碰撞电离击穿电压理论模型

4H-SiC p-n结基于精确碰撞电离模型的雪崩倍增因子研究

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微电子学 2023年第2期53卷 333-337页

作者：熊俊程黄海猛张子敏张国义电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 北京大学东莞光电研究院广东东莞523808 电子科技大学广东电子信息工程研究院广东东莞523808 无锡先瞳半导体科技有限公司江苏无锡214000

雪崩倍增效应是4H-SiC雪崩光电二极管、功率半导体器件等器件的关键机理。作为其中最重要的物理参数,雪崩倍增因子(M)的精确解析表达式目前未见报道。文章提出4H-SiC p-n结M的精确计算方法及其解析表达式。基于更准确的碰撞电离模型,通... 详细信息

雪崩倍增效应是4H-SiC雪崩光电二极管、功率半导体器件等器件的关键机理。作为其中最重要的物理参数,雪崩倍增因子(M)的精确解析表达式目前未见报道。文章提出4H-SiC p-n结M的精确计算方法及其解析表达式。基于更准确的碰撞电离模型,通过MATLAB对4H-SiC单边突变结(p^(+)-n)电子和空穴的碰撞电离积分(I)进行精确的数值计算,给出击穿电压(BV)随掺杂浓度的经验表达式,进一步提出电离积分随外加电压及掺杂浓度的拟合表达式。此外,对外加电压接近BV的情形进行细致的相对误差分析,表明电子电离积分受电场影响显著。对于雪崩光电二极管及功率器件较宽的BV范围,所提出的拟合表达式在外加反向偏压大于0.65BV时具有较高的精确度(相对误差小于5%)。

关键词： 4H-SiC 雪崩倍增因子碰撞电离积分 Miller公式

立德树人视角下课程思政建设的实践研究及成效——以“半导体物理”课程为例

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黑龙江教育（高教研究与评估） 2022年第2期 64-66页

作者：钟志亲黄海猛李小红电子科技大学电子科学与工程学院四川成都611731 电子科技大学四川成都611731

为充分发挥课堂教学主渠道育人作用,电子科技大学示范性微电子学院专业核心课“半导体物理”结合课程内容,在专业知识点授课过程中融入思政元素。通过对业界老一辈科学家的介绍、专业知识点的隐喻作用分析等方式,寻找课程思政与专业知... 详细信息

为充分发挥课堂教学主渠道育人作用,电子科技大学示范性微电子学院专业核心课“半导体物理”结合课程内容,在专业知识点授课过程中融入思政元素。通过对业界老一辈科学家的介绍、专业知识点的隐喻作用分析等方式,寻找课程思政与专业知识的“撞击点”,引导学生树立正确的“三观”。

关键词：半导体物理课程思政立德树人爱国主义教育

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非简并半导体中费米能级的简单计算及应用

大学物理 2020年第1期39卷 29-32页

作者：黄海猛王常旺肖林昊电子科技大学电子科学与工程学院

本文基于半导体器件物理的教学实践,从非简并半导体的玻尔兹曼统计规律出发,总结了载流子浓度变化与费米能级之间的简明规律,即室温下当载流子浓度改变1个数量级,则其对应的费米能级改变60 meV.为深入理解该规律,本文通过对非平衡状态... 详细信息

本文基于半导体器件物理的教学实践,从非简并半导体的玻尔兹曼统计规律出发,总结了载流子浓度变化与费米能级之间的简明规律,即室温下当载流子浓度改变1个数量级,则其对应的费米能级改变60 meV.为深入理解该规律,本文通过对非平衡状态下的准费米能级、半导体的功函数、MIS结构的阈值电压及PN结的内建电势等实例,对重要参数进行了分析和计算.该规律有助于学生在学习过程中加深感性认识,培养和提高分析和设计半导体器件的能力.

关键词：非简并半导体掺杂浓度费米能级

中外合作办学微电子科学与工程专业课程体系建设初探

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大学教育 2024年第24期 33-38页

作者：罗萍徐世中马丽丽叶红黄海猛电子科技大学集成电路科学与工程学院四川成都611731 电子科技大学格拉斯哥学院四川成都611731

中外合作办学是我国教育事业的组成部分和教育对外开放的重要形式。文章梳理了微电子科学与工程专业所处学科位置、涉及的知识体系,分析了国际化专业人才培养需求及中外合作办学面临的具体问题,并以电子科技大学为例,探讨了在充分发挥... 详细信息

中外合作办学是我国教育事业的组成部分和教育对外开放的重要形式。文章梳理了微电子科学与工程专业所处学科位置、涉及的知识体系,分析了国际化专业人才培养需求及中外合作办学面临的具体问题,并以电子科技大学为例,探讨了在充分发挥中外合作办学双方各自优势的前提下,“双一流”高校中外合作办学微电子科学与工程专业课程体系的建设思路,从课程学时分配、核心课程安排、理论实践融合等方面介绍了符合中外教育认证体系要求的微电子科学与工程专业课程体系建设成果。

关键词：中外合作办学微电子科学与工程课程体系

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知识产权制度环境对全要素生产率影响研究

科研管理 2025年

作者：江力涵任晓猛史晋川杭州电子科技大学经济学院浙江大学中国西部发展研究院浙江大学金融研究院

知识产权制度环境是加快实施创新驱动发展战略和保护企业核心竞争力的重要基础。本文从集约边际和扩展边际两个维度，提出知识产权制度环境优化的“竞争—合作”双机制理论。进一步地，本文以知识产权示范城市设立为准自然实验，运用交... 详细信息

知识产权制度环境是加快实施创新驱动发展战略和保护企业核心竞争力的重要基础。本文从集约边际和扩展边际两个维度，提出知识产权制度环境优化的“竞争—合作”双机制理论。进一步地，本文以知识产权示范城市设立为准自然实验，运用交错双重差分模型，考察知识产权制度环境优化对企业全要素生产率的影响。研究发现，（1）城市知识产权制度环境优化能够显著提高所在地上市公司全要素生产率。该政策效应具有长期性，且影响随制度环境的持续优化而不断提高。（2）知识产权制度环境的优化可以弥补市场环境的短板，市场环境较不健全地区的企业更容易获得知识产权制度环境的增益。（3）竞争效应机制显示，知识产权制度环境优化既提高了企业间创新竞争的压力，也增强了企业内创新竞争的动力与能力。（4）合作效应机制表明，知识产权制度环境改善降低了合作成本，但创新合作成效来源于企业间知识要素市场化配置的优化，而非企业间的合作研发。本文结论为知识产权制度环境优化的双机制理论提供了实证证据，也为进一步优化知识产权制度环境建设举措提供了政策建议。

关键词：知识产权制度环境全要素生产率交错DID 竞争与合作

中超联赛治理共同体建设的基本内涵、现实情境与发展路径

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沈阳体育学院学报 2025年

作者：刘琬婧黄海燕上海体育大学运动与健康产业协同创新中心北京体育大学管理学院

建设中超联赛治理共同体是重构联赛多元主体利益格局、消解联赛发展困境、保障联赛可持续发展的重要手段。本文运用文献资料法、问卷调查法和半结构化访谈法,厘定中超联赛治理共同体建设的理论框架、构成主体与基本内涵。研究认为:中超... 详细信息

建设中超联赛治理共同体是重构联赛多元主体利益格局、消解联赛发展困境、保障联赛可持续发展的重要手段。本文运用文献资料法、问卷调查法和半结构化访谈法,厘定中超联赛治理共同体建设的理论框架、构成主体与基本内涵。研究认为:中超联赛法规体系尚未健全、制度设计有待完善和可持续发展动力不足是共同体建设的阻碍因素,中国共产党与联赛主要治理主体的领导力作用、联赛运行的激励机制、联赛利益主体的权力制衡与资源互补、联赛发展环境的不确定性是共同体建设的驱动要素。基于此,提出健全职业足球政策法规体系,为协作治理奠定环境基础;完善联赛基本制度安排,保障多元主体利益均衡;培育联赛主体间的信任资本,降低博弈成本;推动中职联组织变革,提高共同体运行效率;建立监管问责机制,推动共同体长效运转的发展路径。

关键词：中超联赛利益相关者协作治理职业足球治理共同体