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复合型Si光电发射材料
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功能材料 1994年 第5期25卷 402-405页
作者： 郭太良 高怀蓉 福州大学电子科学与应用物理系
采用碱锑化合物的镀制与铯氧激活可制备复合型Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ＿２Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ＿３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｃｓ＿３Ｓｂ－·Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ＿２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃ... 详细信息
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银管进氧的质谱分析
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电子科学学刊 1989年 第6期11卷 661-665页
作者： 郭太良 王敏 高怀蓉 福州大学物理系
本文分析了B-A规和银管在除气和工作过程中的放气成份,提出了对银管进行N_2-O_2,交替高温除气处理。利用这一方法能有效地缩短除气时间,提高除气真空度和进氧纯度。文中详细讨论了影响进氧纯度的因素。
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新型场致发射阴极的数值分析
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云南大学学报（自然科学版） 1992年 第S1期14卷 46-50页
作者： 李旦振 俞康 高怀蓉 福州大学物理系 350002
本文采用有限元法对新型场发射阴极场分布进行数值分析.结果表明:钼尖电场随着其半径R_0的增大而减小,阳极几何位置和电压对场强的影响不大,介质的存在对场强稍有影响.场域剖分是否合适对结果有一定影响.
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阴极电子学的发展概况
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福州大学学报 1980年 第1期 1-11页
作者： 高怀蓉 福州大学物无系
本文先对各种阴极的发展作一简单回顾，指出在适应现代电子技术的发展中，各种阴极取得的新发展，新成就，同时指出阴极研究存在的问题。然后叙述现代实验技术，如超高真空技术，研究固体表面微观状态的各种现代实验手段的利用，表面科... 详细信息
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应用Auger电子能谱仪研究清除GaAs表面碳沾污的有效方法
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福州大学学报(自然科学版) 1986年 第2期 52-57页
作者： 黄振武 高怀蓉 福州大学物理系
在制作ＧａＡｓ负亲和势光电阴极中。ＧａＡｓ表面碳的沾污往往严重地降低其光电产额。为了去 除ＧａＡｓ表面碳的污染，我们用Ａｕｇｅｒ电子能谱仪对采用不同化学腐蚀处理的ＧａＡｓ表面进行分析 研究，证明在ＧａＡｓ表面有意形成一... 详细信息
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逸出功测试与GaAs光电发射材料的激活
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功能材料 1994年 第6期25卷 529-532页
作者： 郭太良 王树程 林渠渠 黄振武 高怀蓉 福州大学电子科学与应用物理系
采用铯氧多次交替激活可获得积分灵敏度高达１７００μＡ／ｌｍ、逸出功低至１．２～１．３ｅＶ的负电子亲和势ＧａＡｓ光电发射材料。本文介绍了ＧａＡｓ光电材料的激活系统及其逸出功测试系统，叙述了艳氧多次交替激活工艺，给出了激... 详细信息
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量测电子管接触电势差的改进方法
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物理学报 1956年 第3期 271-274页
作者： 张恩虬 高怀蓉 中国科学院机械电机研究所 厦门大学物理系 副研究员 清华大学无线电系 讲师 清华大学无线电系
接触电势差是电子管中的一个重要的物理现象,它对管特性有着一定的影响。在用氧化物阴极的管中,由于工艺过程复杂,栅极表面情况往往很难掌握,这就造成阴极和第一栅之间的接触电势差的不一致,也是产品中特性散布的原因之一。而在一个管... 详细信息
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新型场致发射阴极区电场的数值分析
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福州大学学报（自然科学版） 1992年 第3期20卷 22-27页
作者： 李旦振 俞康 高怀蓉 福州大学物理系
本文采用有限元法对新型场致发射阴极的电场强度进行数值分析．计算结果表明：钼尖电场随着钼尖半径Ｒ０的增大而减小．阳极的几何位置和阳极电压对场强的影响不大，介质的存在对 场强稍有影响．场域剖分的是否合适对结果有一定的影响．
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俄歇电子能谱数据采集及数据处理系统
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福州大学学报（自然科学版） 1991年 第2期19卷 46-50页
作者： 戴德星 潘用希 黄振武 高怀蓉 福州大学物理系
本文主要介绍Ａｐｐｌｅ　Ⅱ微机在俄歇电子能谱数据采集及数据处理中硬件和软件的设计．本 系统软件包括数据采集、数据快速显示和分段处理、数据平滑、扣本底、谱图微分与积分等．此 外还配有一个常用的数据库．本系统的最大特点是成... 详细信息
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Si雪崩冷阴极的电子发射特性
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福州大学学报（自然科学版） 1995年 第3期23卷 30-34页
作者： 郭太良 王树程 章秀淦 林渠渠 高怀蓉 福州大学电子科学与应用物理系
采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列，通过真空清洁处理和铯氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极，其最高电子发射效率为１６％。本文介绍阵列式Ｓｉ雪崩冷阴极的制各方法，给出了Ｓｉ冷阴极的雪崩电子发射特性... 详细信息
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