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数字平台保障数字弱势群体信息权益规制路径研究

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法学 2023年第4期11卷 2675-2680页

作者：韩储临刘晓玉浙江理工大学法政学院、史量才新闻与传播学院，浙江杭州葫芦岛市中级人民法院，辽宁葫芦岛

随着数字平台的快速发展和广泛应用，数字弱势群体内在由于自身缺乏必要的数字素养和物质条件，外在受到数字服务提供者的数据垄断行为、无障碍数字环境适配度低等多重因素制约，最终无法充分利用数字平台所提供的信息资源，从而面临更... 详细信息

随着数字平台的快速发展和广泛应用，数字弱势群体内在由于自身缺乏必要的数字素养和物质条件，外在受到数字服务提供者的数据垄断行为、无障碍数字环境适配度低等多重因素制约，最终无法充分利用数字平台所提供的信息资源，从而面临更大的困境。为解决数字弱势群体在数字生活中遭遇的各种阻碍，数字平台应当承担起保障数字弱势群体信息权益的社会责任，也应受到立法上的约束以及社会层面的监督。

关键词：数字弱势群体数字平台数字包容 Digital Vulnerable Groups Digital Platforms Digital Inclusion

来源：博看期刊评论

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含氧高磁导率Ni基合金透射电镜研究

钢铁研究学报 1990年第1期2卷 77-80页

作者：韩临光钢铁研究总院

采用EM400型透射电镜,研究了含氧Ni-Fe磁性合金的微观组织。在氧含量达到临界值的合金中,层错缺陷很少,层错宽度很窄,存在有大量全位错,而在低氧的合金中,恰适相反。笔者认为氧含量超过临界值,才有较大几率与层错复合,形成“含氧层错”... 详细信息

采用EM400型透射电镜,研究了含氧Ni-Fe磁性合金的微观组织。在氧含量达到临界值的合金中,层错缺陷很少,层错宽度很窄,存在有大量全位错,而在低氧的合金中,恰适相反。笔者认为氧含量超过临界值,才有较大几率与层错复合,形成“含氧层错”,因而附加了新的表面能,使两不全位错收缩以至形成束集。这有利于交滑移的进行,从而,为适宜的形变织构形成及再结晶立方织构的完善发展创造了先决条件。立方织构具有最高的磁性。

关键词：磁导率含氧层错位错交滑移立方织构

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商品流通企业管理第1版

商品流通企业管理

1994年

作者：韩伏临

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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汇雅图书（南通市图书馆）

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远程抄表在住宅小区中的应用

山西师大学报（社会科学版） 2011年第S1期38卷 71-73页

作者：韩临芳临汾供电分公司

长期以来,供电企业电能数据的抄算都是基于电能表的手工作业方式,随着电力负荷的增加,一户一表和直供到户等营销举措的深入,使得电量抄录工作量急剧增加。因此,远程抄表系统的技术研究和产品开发势在必行。

关键词：远程抄表居民小区低压扩频载波

元素掺杂WS_(2)与SnO磁电子性质的第一性原理计算研究

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科技风 2022年第1期 77-80页

作者：韩医临李慧任杰王敏周铁戈河北政法职业学院建筑工程系河北石家庄050046 河北科技大学信息科学与工程学院河北石家庄050018 河北科技大学理学院河北石家庄050018 南开大学电子信息与光学工程学院天津300071

随着摩尔定律的逐渐失效,发展可替代的高速、低功耗信息技术迫在眉睫。自旋电子器件是其中最具前景的技术。本文采用第一性原理计算方法,对具有潜在自旋电子特性的二维(2D)材料(WS 2与SnO单层)开展磁电子学方面的研究,系统揭示了元素掺... 详细信息

随着摩尔定律的逐渐失效,发展可替代的高速、低功耗信息技术迫在眉睫。自旋电子器件是其中最具前景的技术。本文采用第一性原理计算方法,对具有潜在自旋电子特性的二维(2D)材料(WS 2与SnO单层)开展磁电子学方面的研究,系统揭示了元素掺杂对体系电子结构及磁性的作用机制。研究发现,未经掺杂的单层WS 2、SnO是带隙为1.96 eV、2.81 eV的非磁性绝缘体。当掺入Co、Ni时,WS 2会产生自旋极化,分别产生3.00μB、3.99μB的磁矩;且掺杂原子的d轨道与W原子的d轨道、S原子的p轨道在E F附近产生的杂化相互作用是磁矩的主要来源。掺入B也会导致SnO产生自旋劈裂,结果表明B、Sn以及O原子的p轨道也在E F附近产生了杂化相互作用,产生1.00μB的局域磁矩;此外,施加应变会影响自旋极化。

关键词：二维材料 WS_(2) SnO 第一性原理电子结构自旋电子学

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SOI高压器件热载流子退化研究(英文)

北京大学学报（自然科学版） 2014年第4期50卷 632-636页

作者：韩临何燕冬张钢刚北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室北京100871

提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LD... 详细信息

提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理。

关键词：高压横向扩散场效应晶体管多区域直流电压电流技术界面态热载流子退化

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综合电子保安控制系统的设计

电子技术应用 1995年第11期21卷 30-36页

作者：韩临霄朱惠英中国工商银行安徽省分行合肥市230022

通过一个多功能、多用途的电子保安、监控、消防系统的设计,提出一个采用微机实现系统自动控制的模型,为要害部门,特别是金融系统提供一套高度自动化的安全、防范体系参考实例.

关键词：自动消防误报采样压缩电子保安控制监视系统

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浅谈电磁兼容性对电力通信电源的影响

山西师大学报（社会科学版） 2011年第S1期38卷 68-70页

作者：朱兆锦韩临芳山西永和供电支公司临汾供电分公司

本文简要介绍了通信开关电源的电磁兼容性要求、国内外标准、电磁兼容性的成因、研究解决方法及国内通信开关电源的电磁兼容性现状。并通过实例提出改进措施。

关键词：通信开关电源电磁兼容性标准

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固态单量子二能级系统的动态共振荧光

科学通报 2024年第11期69卷 1385-1386页

作者：黄泰临陈学文华中科技大学物理学院武汉430074

共振荧光源自单个二能级系统与共振激光之间的相干相互作用,对量子光学的学科发展和现代光量子技术的应用开发起到了重要的作用.Mollow[1]在1969年首先对原子的共振荧光现象作了描述,Kimble和Mandel[2]在1976年给出了单原子共振荧光的... 详细信息

共振荧光源自单个二能级系统与共振激光之间的相干相互作用,对量子光学的学科发展和现代光量子技术的应用开发起到了重要的作用.Mollow[1]在1969年首先对原子的共振荧光现象作了描述,Kimble和Mandel[2]在1976年给出了单原子共振荧光的全量子理论,开启了对单量子系统共振荧光相关物理效应的理论与实验研究。

关键词：共振荧光二能级系统量子光学全量子理论量子系统相干相互作用单原子光量子

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