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磁光法拉第和克尔效应原理及其测量

半导体光电 1991年第4期12卷 392-398页

作者：陈良尧复旦大学物理系上海200433

介绍了磁光法拉第效应、克尔效应原理及有关的测量方法。

关键词：克尔效应法拉第效应磁光测量

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磁光克尔和法拉第效应的完整测量

物理 1995年第4期24卷 233-238页

作者：陈良尧复旦大学物理系

简单叙述了克尔效应和法拉第效应的原理，并从光谱学研究的角度，对克尔和法拉第旋转角和椭偏率完整磁光参数的若干种实验测量方法作了介绍和讨论；讨论了一种可供实用的傅里叶磁光谱分析法，可以用较少的并且是无色散的光学元件，通过... 详细信息

简单叙述了克尔效应和法拉第效应的原理，并从光谱学研究的角度，对克尔和法拉第旋转角和椭偏率完整磁光参数的若干种实验测量方法作了介绍和讨论；讨论了一种可供实用的傅里叶磁光谱分析法，可以用较少的并且是无色散的光学元件，通过旋转检偏器，对出射光强随检偏角变化的关系，作傅里叶变换，就可直接可见光区来得完整的克尔和法拉第磁光参数；同时还给出了具体的实例和测量研究的结果。

关键词：克尔效应法拉第效应磁光测量

溅射气压对Si/Ge多层膜结构光学常数的影响

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红外与毫米波学报 2003年第1期22卷 77-79页

作者：张晋敏郜小勇杨宇陈良尧复旦大学光科系云南大学材料系云南昆明650091

采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪 ,测量了用磁控溅射法制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数 ,测量能量范围为 1.5～ 4.5eV .分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数的影响 .实验结果表明 ,在低能区域 ,... 详细信息

采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪 ,测量了用磁控溅射法制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数 ,测量能量范围为 1.5～ 4.5eV .分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数的影响 .实验结果表明 ,在低能区域 ,随压强的增加 ,多层膜结构的所有光学常数均有不同程度的增加 ,但在高能区域 ,溅射气压对光学常数的影响不再明显 .多层膜结构的复介电常数的实部和虚部及折射率n的峰位随压强增大而向低能方向位移 ;多层膜结构的消光系数k的峰位随压强的变化很小 ,但其峰值随压强的增加而增加 .

关键词：溅射气压 Si/Ge多层膜结构椭偏光谱光学常数磁控溅射硅硅衬底大规模集成电路

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新型红外反射式偏振器的设计与研制

半导体光电 2003年第6期24卷 399-401页

作者：张荣君周鹏李莉王松有陈良尧复旦大学光科学与工程系上海200433

　常用的反射偏振器是利用Brewster角原理,由被抛光的介质基底表面及透明或吸收基底镀以薄膜而组成。文章给出了一种在红外区直接在Si晶体表面应用Brewster角原理使P分量反射后受到抑制,从而得到S分量反射的新型红外偏振器的设计与研制... 详细信息

　常用的反射偏振器是利用Brewster角原理,由被抛光的介质基底表面及透明或吸收基底镀以薄膜而组成。文章给出了一种在红外区直接在Si晶体表面应用Brewster角原理使P分量反射后受到抑制,从而得到S分量反射的新型红外偏振器的设计与研制实例,并对其性能做了简单的物理测量。

关键词：偏振光红外偏振器布儒斯特角反射偏振器

CoFe2—xMnxO4纳米晶薄膜的结构、磁性及磁光效应研究

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化学学报 2001年第4期59卷 528-532页

作者：周彪程福祥廖春生严纯华陈良尧赵海滨北京大学-香港大学稀土材料和生物无机化学联合实验室复旦大学物理系

为了改善磁光材料CoFe2O4的磁学特性,本文利用改进的溶胶-凝胶法在单晶硅衬底上制备了不同掺杂量的CoFe2-xMnxO4(x=0～2.0)纳米晶薄膜系列样品.并对其结构、磁性及磁光效应进行了研究.结果表明,Mn3+的掺入可以有效地控制和降低CoFe2O4... 详细信息

为了改善磁光材料CoFe2O4的磁学特性,本文利用改进的溶胶-凝胶法在单晶硅衬底上制备了不同掺杂量的CoFe2-xMnxO4(x=0～2.0)纳米晶薄膜系列样品.并对其结构、磁性及磁光效应进行了研究.结果表明,Mn3+的掺入可以有效地控制和降低CoFe2O4的居里温度,并可显著地增强薄膜的磁光效应.

关键词：锰掺杂磁光记录材料钴铁氧体磁光效应溶胶-凝胶法结构磁性纳米晶薄膜

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金属插层对一维光子晶体中光传输特性的影响

物理学报 2002年第10期51卷 2276-2280页

作者：周鹏游海洋王松有李合印杨月梅陈良尧复旦大学先进光子学材料与器件国家重点实验室光科学与工程系上海200433

利用传输矩阵方法 ,从理论上研究了金属插层对由Si SiO2 组成的一维光子晶体中光传输特性的影响 .结果表明 :由 (Si SiO2 ) n 组成的一维光子晶体 ,考虑到材料的实际吸收及折射率随波长发生变化的情况 ,当n≥ 9时 ,该体系出现全反射带 ... 详细信息

利用传输矩阵方法 ,从理论上研究了金属插层对由Si SiO2 组成的一维光子晶体中光传输特性的影响 .结果表明 :由 (Si SiO2 ) n 组成的一维光子晶体 ,考虑到材料的实际吸收及折射率随波长发生变化的情况 ,当n≥ 9时 ,该体系出现全反射带 (光子带隙 ) ,在 (Si SiO2 ) n 光子晶体中的SiO2 层的中间插入金属银层 ,构成 (Si SiO2 Ag SiO2 ) n 金属型一维光子晶体 ,光子带隙的宽度明显加宽 ,且在该带隙中s光和p光在 0— 6 0°入射角下均具有较低损耗 ,利用这一特性。

关键词：金属插层光传输特性光子晶体传输矩阵带隙结构