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Cu-3.0Ni-0.64Si合金的热变形行为

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材料导报 2017年第22期31卷 90-94页

作者：孙倩陈冷北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

对Cu-3.0Ni-0.64Si合金进行了变形温度为750~900℃、变形速率为0.001~1s^(-1)条件下的等温压缩实验。结果表明,随着变形温度升高或变形速率降低,峰值应力明显降低,合金容易发生动态再结晶。通过线性回归分析,求得Cu-3.0Ni-0.64Si合金的... 详细信息

对Cu-3.0Ni-0.64Si合金进行了变形温度为750~900℃、变形速率为0.001~1s^(-1)条件下的等温压缩实验。结果表明,随着变形温度升高或变形速率降低,峰值应力明显降低,合金容易发生动态再结晶。通过线性回归分析,求得Cu-3.0Ni-0.64Si合金的变形激活能为410.4kJ/mol,建立了Cu-3.0Ni-0.64Si合金的高温热变形流变应力本构方程6)ε=e^(40.56)[sinh(0.017σ)]^(5.21)exp[-410.4×10~3/(RT)]。分别讨论了变形温度和变形速率对Cu-3.0Ni-0.64Si合金在等温压缩变形中显微组织的影响。最后基于动态材料模型理论,用Prasad失稳判据,得到不同真应变量下的热加工图。优化后的工艺参数为变形温度860~900℃和变形速率0.002~0.01s^(-1)。

关键词： Cu-Ni-Si合金热压缩变形动态再结晶热加工图

Ti种子层对Cu薄膜的微观织构和表面形貌的影响

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材料研究学报 2015年第6期29卷 417-421页

作者：李玮陈冷北京科技大学材料科学与工程材料学院北京100083

用磁控溅射法制备无种子层的Cu薄膜和加入Ti作为种子层的Ti/Cu薄膜,用电子背散射衍射技术(EBSD)研究了无种子层的Cu薄膜及有Ti种子层的Ti/Cu薄膜的微观织构,并用原子力显微镜(AFM)观察了两种薄膜的表面形貌。结果表明,加入Ti作为种子层... 详细信息

用磁控溅射法制备无种子层的Cu薄膜和加入Ti作为种子层的Ti/Cu薄膜,用电子背散射衍射技术(EBSD)研究了无种子层的Cu薄膜及有Ti种子层的Ti/Cu薄膜的微观织构,并用原子力显微镜(AFM)观察了两种薄膜的表面形貌。结果表明,加入Ti作为种子层增强了Cu薄膜的{111}纤维织构,对薄膜生长有很好的外延作用。同时,加入Ti种子层可降低退火处理后薄膜内退火孪晶的产生几率,但是在退火过程中使孔洞出现。

关键词：金属材料 Cu薄膜 Ti种子层织构表面形貌

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巨磁电阻多层膜结构的研究进展

功能材料 2013年第12期44卷 1673-1678页

作者：戴川陈冷北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

归纳了巨磁电阻效应发现以来在各种合金体系中出现的巨磁电阻多层膜材料,对其性能和晶体结构进行了对比分析,着重从界面粗糙度、元素混合和晶体学织构等方面,评述了巨磁电阻多层膜结构的国内外研究现状,讨论了各种结构参数对巨磁电阻效... 详细信息

归纳了巨磁电阻效应发现以来在各种合金体系中出现的巨磁电阻多层膜材料,对其性能和晶体结构进行了对比分析,着重从界面粗糙度、元素混合和晶体学织构等方面,评述了巨磁电阻多层膜结构的国内外研究现状,讨论了各种结构参数对巨磁电阻效应的影响。

关键词：巨磁电阻多层膜合金体系界面粗糙度元素混合织构

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TRIP钢显微组织和织构的研究

材料热处理学报 2008年第5期29卷 106-109页

作者：梁亚红陈冷北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

用光学显微镜和X射线衍射仪研究了高强度冷轧相变诱发塑性(TRIP)钢经过热处理后的显微组织和织构,提出了用面探测器同时测量fcc相与bcc相极图的方法,并对bcc相热处理前后织构变化进行了分析。实验结果表明,冷轧TRIP钢热处理后的显微组... 详细信息

用光学显微镜和X射线衍射仪研究了高强度冷轧相变诱发塑性(TRIP)钢经过热处理后的显微组织和织构,提出了用面探测器同时测量fcc相与bcc相极图的方法,并对bcc相热处理前后织构变化进行了分析。实验结果表明,冷轧TRIP钢热处理后的显微组织为铁素体、贝氏体及残余奥氏体的多相组织,冷轧TRIP钢的主要取向为{112}〈110〉,以及{001}〈110〉和{332}〈113〉,而热处理后{112}〈110〉密度降低,同时{001}〈110〉消失。分析了热处理工艺对冷轧TRIP钢显微组织的影响并计算了残余奥氏体体积分数,讨论了TRIP钢中显微组织形貌、残余奥氏体体积分数以及残余奥氏体中碳含量对其力学性能的影响。

关键词：相变诱发塑性(TRIP)钢显微组织织构

Co/Cu多层膜沉积过程中结构和形貌的变化

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中国科学：技术科学 2016年第6期46卷 586-592页

作者：刘红亮陈冷北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

从原子结合能和位错生成能入手,分别计算了在Co基底上沉积Cu薄膜和在Cu基底上沉积Co薄膜时,薄膜结构随沉积厚度增加所发生的变化.结果表明,在{100}纤维织构的Co基底上沉积Cu薄膜,当薄膜厚度达到3.33 nm时会在薄膜与基底界面产生错配位错... 详细信息

从原子结合能和位错生成能入手,分别计算了在Co基底上沉积Cu薄膜和在Cu基底上沉积Co薄膜时,薄膜结构随沉积厚度增加所发生的变化.结果表明,在{100}纤维织构的Co基底上沉积Cu薄膜,当薄膜厚度达到3.33 nm时会在薄膜与基底界面产生错配位错,且随薄膜厚度增加,错配位错密度逐渐增大.在{100}纤维织构Cu基底上沉积Co薄膜,当薄膜厚度达到4.90 nm时,薄膜生长模式会由层状向岛状转变,薄膜为fcc结构.当厚度超过12.64 nm后会出现hcp结构.计算结果与实验得出的结论基本相符.

关键词：巨磁电阻薄膜厚度位错择优取向

Co-Cr-W-Ni合金中碳化物析出机制的研究

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稀有金属材料与工程 2019年第9期48卷 2893-2898页

作者：朱孜毅孟利陈冷北京科技大学北京100083 钢铁研究总院北京100081

Co-Cr-W-Ni合金中碳化物的类型和析出机制对合金的力学性能影响显著,本实验采用XRD、SEM-EBSD和TEM技术研究了Co-Cr-W-Ni合金时效后碳化物的析出类型、分布特征和析出机制。结果表明,Co-Cr-W-Ni合金中碳化物的主要类型为M7C3、M6C和M23C... 详细信息

Co-Cr-W-Ni合金中碳化物的类型和析出机制对合金的力学性能影响显著,本实验采用XRD、SEM-EBSD和TEM技术研究了Co-Cr-W-Ni合金时效后碳化物的析出类型、分布特征和析出机制。结果表明,Co-Cr-W-Ni合金中碳化物的主要类型为M7C3、M6C和M23C6;M23C6型碳化物主要分布于孪晶与γ相晶粒的三叉交界处,与基体γ相是立方-立方的取向关系;M7C3型碳化物退化分解并原位析出M6C型碳化物,是Co-Cr-W-Ni合金中一种重要的碳化物析出机制。

关键词： Co-Cr-W-Ni合金碳化物析出

Cu薄膜生长过程的Monte Carlo模拟

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人工晶体学报 2014年第5期43卷 1263-1268,1279页

作者：王炫力陈冷北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

用动力学晶格蒙特卡洛模型(Kinetic Lattice Monte Carlo,KLMC)模拟Cu薄膜的生长过程,讨论了基底温度、沉积原子数、单原子最大迁移步数和原子相互作用范围等参数对薄膜表面形貌的影响,并与实验结果进行了比较。结果表明:基底温度升高... 详细信息

用动力学晶格蒙特卡洛模型(Kinetic Lattice Monte Carlo,KLMC)模拟Cu薄膜的生长过程,讨论了基底温度、沉积原子数、单原子最大迁移步数和原子相互作用范围等参数对薄膜表面形貌的影响,并与实验结果进行了比较。结果表明:基底温度升高或沉积原子数增加时,沉积在基底上的原子逐步由众多各自独立的离散型分布向聚集状态过渡形成团簇,并且温度越低,团簇越趋于分散生长。当最大迁移步数减小或相互作用范围增大时,团簇亦趋于分散生长。

关键词： KLMC模型薄膜生长过程表面形貌 Cu薄膜

退火对Co/Cu多层膜微观结构和磁性能的影响

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材料热处理学报 2015年第6期36卷 10-14页

作者：胡佳智陈冷北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

研究了退火对磁控溅射Co/Cu多层膜微观结构和磁性能的影响。用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)观察了沉积态及在不同温度退火后Co/Cu多层膜表面及截面的显微组织,用能谱仪(EDS)分析了退火后Co/Cu多层膜截面的元素分布,用综合... 详细信息

研究了退火对磁控溅射Co/Cu多层膜微观结构和磁性能的影响。用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)观察了沉积态及在不同温度退火后Co/Cu多层膜表面及截面的显微组织,用能谱仪(EDS)分析了退火后Co/Cu多层膜截面的元素分布,用综合物性测量系统(PPMS)对Co/Cu多层膜的磁滞回线进行了测量。表面显微组织的观察结果表明退火温度低于450℃时,多层膜表面形貌变化不大,均是由细小的晶粒组成。退火温度高于该温度后,随退火温度的升高,晶粒迅速长大。截面显微组织的观察结果和元素分布的测试结果表明,磁控溅射的Co/Cu多层膜内有大量柱状晶,随退火温度升高柱状晶长大。当退火温度达到600℃后,多层膜内的层状结构被破坏。磁滞回线的测量结果表明,退火温度低于400℃时,Co/Cu多层膜的磁性能变化不大,退火温度高于该温度后,随退火温度升高,矫顽力迅速增大。

关键词： Co/Cu多层膜退火微观结构磁性能

缓冲层Ta对退火Co/Cu/Co薄膜微观结构和界面互扩散的影响

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材料导报 2018年第22期32卷 3931-3935页

作者：彭晓文陈冷北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

用直流磁控溅射法在Si/SiO_2基底上制备了Co/Cu/Co薄膜和加入缓冲层的Ta/Co/Cu/Co薄膜,用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射和俄歇电子能谱研究了薄膜的微观结构、表面形貌、织构和界面互扩散现象。结果表明:退火后薄膜中均存在{... 详细信息

用直流磁控溅射法在Si/SiO_2基底上制备了Co/Cu/Co薄膜和加入缓冲层的Ta/Co/Cu/Co薄膜,用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射和俄歇电子能谱研究了薄膜的微观结构、表面形貌、织构和界面互扩散现象。结果表明:退火后薄膜中均存在{111}和{002}衍射峰,加入缓冲层Ta后,Co/Cu/Co薄膜的衍射峰强度明显增强,并存在较强的{111}纤维织构,薄膜表面孔洞及粗糙度大幅减小。退火后薄膜界面处产生互扩散现象,层状结构被破坏。缓冲层Ta提高了薄膜与基底材料间的润湿性,可有效缓解界面互扩散现象。

关键词：巨磁电阻(GMR)薄膜缓冲层钽退火织构互扩散