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单螺旋通道的通道电子倍增器性能研究

核技术 2023年第10期46卷 31-37页

作者：张斌婷刘术林闫保军韦雯露彭华兴中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室北京100049 中国科学院大学物理科学学院北京100049 中国科学院大学核科学与技术学院北京100049

在现有的微通道板皮料玻璃配方的基础上,经过一系列的制作工艺设计和改进,最终制作出了具有合适性能的单螺旋通道的通道电子倍增器;之后搭建了以盘香型钽灯丝作为输入电流的通道电子倍增器(Channel Electron Multiplier,CEM)模拟模式测... 详细信息

在现有的微通道板皮料玻璃配方的基础上,经过一系列的制作工艺设计和改进,最终制作出了具有合适性能的单螺旋通道的通道电子倍增器;之后搭建了以盘香型钽灯丝作为输入电流的通道电子倍增器(Channel Electron Multiplier,CEM)模拟模式测试装置和以紫外发光二极管结合金阴极作为输入信号的CEM脉冲计数模式测试装置,对该器件的综合性能参数进行全面的测试与评价;测试结果表明:本实验室自行研制的单螺旋通道的通道电子倍增器的模拟增益和脉冲增益分别为1×10^(4)~1×10^(6)和1×10^(7)~1×10^(8),增益值随着工作电压的升高而增加,输出脉冲的上升时间为2~3 ns,性能接近国外同行的同类器件。

关键词：通道电子倍增器增益模拟模式脉冲计数模式

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混凝土结构施工中裂缝的控制

山西建筑 2004年第16期30卷 99-100页

作者：闫保军中铁建设集团有限公司西北分公司

结合具体工程实例 ,从配合比设计及施工工艺、方法等方面 ,介绍了混凝土裂缝的控制方法和措施 ,实践证明 ,控制措施的应用取得了满意的效果。

关键词：混凝土结构工程施工裂缝配合比剪力墙结构

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军队人才资源现状与开发

军队人才资源现状与开发

中国青少年研究会2001年年会暨“青年人力资源开发”研讨会

作者：闫保军

21世纪将进入以知识为主导的经济发展阶段。人才和科技进步将成为经济发展的决定因素,谁获得了人才、抢占了科技的制高点,谁就能把握经济发展的主动权。就军队而言,要打赢现代技术特别是高技术条件下的局部战争,保持人民军队的性质、本...

21世纪将进入以知识为主导的经济发展阶段。人才和科技进步将成为经济发展的决定因素,谁获得了人才、抢占了科技的制高点,谁就能把握经济发展的主动权。就军队而言,要打赢现代技术特别是高技术条件下的局部战争,保持人民军队的性质、本色和作风,必须坚定不移地实施“科技强军”战略,走有中国特色的精兵之路,归根到底取决于军队要拥有适应军队现代化建设的人才的数量和质量。下文着重就军队人才资源的现状及未来人才的开发问题提出若干思考。

关键词：

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浅谈地理教学中学法的两个重要环节

浅谈地理教学中学法的两个重要环节

作者：闫保军宁夏太西集团育新中学

科学的方法是通向成功的桥梁。学习任何一门学科,如果没有正确的学法,都不能很好的掌握知识。现代教育理念已从注重知识的传授转向注重学生能力的培养,作为教师,不仅在研究教师的教法,更要研究学生的学法。教学生如何去学地理比给学生...

科学的方法是通向成功的桥梁。学习任何一门学科,如果没有正确的学法,都不能很好的掌握知识。现代教育理念已从注重知识的传授转向注重学生能力的培养,作为教师,不仅在研究教师的教法,更要研究学生的学法。教学生如何去学地理比给学生灌输地理知识更为重要。"教学"的意义首先是"教学习",即教学习方法,让学生知道该怎么样学习,学会学习,进而善于学习。只有这样才能做到主动学习,积极学习,创造学习,不但学得轻松,学得愉快,更能获得好的效果,从中得到学习的成功和快乐。

关键词：

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序

真空电子技术 2024年第6期 I0001-I0002页

作者：闫保军李洁蔡华中国科学院高能物理研究所西安交通大学中国建筑材料科学研究总院有限公司

薄膜二次电子发射特性和表面成分、结构、入射粒子能量等因素有关,近年来二次电子发射已成为电子发射材料与器件领域的研究热点。在二次电子倍增方面,利用材料掺杂和表面改性等措施,实现薄膜材料在较低的入射粒子能量下获得较高的二次... 详细信息

薄膜二次电子发射特性和表面成分、结构、入射粒子能量等因素有关,近年来二次电子发射已成为电子发射材料与器件领域的研究热点。在二次电子倍增方面,利用材料掺杂和表面改性等措施,实现薄膜材料在较低的入射粒子能量下获得较高的二次电子发射系数,研制了电子倍增器实现对电子、离子和真空紫外光子高效探测。在二次电子抑制方面,通过优化制备工艺,获得具有较低二次电子发射系数的薄膜,可助力解决空间站表面微放电效应、大型粒子加速器真空管道内部电子云效应以及大功率微波真空部件电击穿效应。随着二次电子发射理论、薄膜制备技术和测试评价研究的深入发展,二次电子发射材料与器件在核探测、航空航天、国防和精密科学仪器等领域具有重要应用潜力。

关键词：薄膜制备技术电子倍增器真空紫外光二次电子发射入射粒子大功率微波真空管道航空航天

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电子倍增器脉冲信号图形化离线分析软件

应用光学 2022年第6期43卷 1107-1116页

作者：彭华兴闫保军刘术林张斌婷韦雯露中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室北京100049 中国科学院大学物理科学学院北京100049 中国科学院大学核科学与技术学院北京100049

电子倍增器(electron multiplier,EM)工作于脉冲状态下,其阳极上输出离散的信号,考虑到电子倍增过程具有一定的统计性规律,研究EM在脉冲状态下的性能参数,需要对阳极输出的脉冲信号进行大量测试和分析。以基于打拿极电子倍增器的光电倍... 详细信息

电子倍增器(electron multiplier,EM)工作于脉冲状态下,其阳极上输出离散的信号,考虑到电子倍增过程具有一定的统计性规律,研究EM在脉冲状态下的性能参数,需要对阳极输出的脉冲信号进行大量测试和分析。以基于打拿极电子倍增器的光电倍增管(photomultiplier tubes,PMT)为例,通过改变入射光强度使其工作在脉冲状态,利用高带宽、高采样率示波器采集其阳极输出信号。基于Python开发了一种图形化数据分析软件,用来对示波器采集的大量脉冲信号数据进行离线分析,从中可以获得PMT的电荷积分谱、增益、分辨率、后脉冲率、前沿时间等性能参数,软件采用模块化结构,根据不同的测试需求各个模块可以单独工作。该软件可以快速实现EM在脉冲状态下的性能参数分析,为EM制作工艺的优化及其在微弱信号探测领域中的应用提供了一种便利的分析手段。

关键词：电子倍增器 Python 脉冲状态分析软件光电倍增管后脉冲

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一种基于金阴极MCP的冷阴极电子源的研制

质谱学报 2023年第1期44卷 96-104页

作者：姚文静刘术林闫保军张斌婷韦雯露彭华兴杨玉真河南大学物理与电子学院河南开封475004 中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室北京100049 中国科学院大学核科学与技术学院北京100049 中国科学院大学物理科学学院北京100049 上海中医药大学针灸推拿学院上海201203

采用深紫外光子激发金阴极产生的冷阴极电子源具有诸多优点,将其应用于电子轰击离子源(EI)有助于获得高质量的离子源。本实验分别采用在JGS2石英玻璃上蒸镀金薄膜构成透射式金阴极、在微通道板(MCP)输入面蒸镀金薄膜构成反射式金阴极,... 详细信息

采用深紫外光子激发金阴极产生的冷阴极电子源具有诸多优点,将其应用于电子轰击离子源(EI)有助于获得高质量的离子源。本实验分别采用在JGS2石英玻璃上蒸镀金薄膜构成透射式金阴极、在微通道板(MCP)输入面蒸镀金薄膜构成反射式金阴极,将二者以不同的组合方式装配在一起,通过施加不同的间隙电压,从而获得较大范围的电子流输出,研制出电子束流可调(10^(-11)~10^(-5) A)、均匀分布(非均匀度6.5%)的稳定输出(稳定工作时间大于5 h)电子源,有望在高质量EI源中得到推广和应用。

关键词：电子源深紫外金阴极微通道板(MCP) 电子束流

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大长径比微通道板电子清刷实验研究

真空电子技术 2024年第6期 1-9页

作者：闫保军刘术林中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室北京100049 中国科学院大学核科学与技术学院北京100049

电子清刷实验对于评估微通道板(Microchannel plate,MCP)的体电阻、增益、累计拾取电荷量和寿命等性能参数具有重要意义。利用电子清刷系统在5×10-5Pa真空设备内,分别对两片长径比为80∶1、孔径为6μm、外径为25 mm的MCP进行了电子清... 详细信息

电子清刷实验对于评估微通道板(Microchannel plate,MCP)的体电阻、增益、累计拾取电荷量和寿命等性能参数具有重要意义。利用电子清刷系统在5×10-5Pa真空设备内,分别对两片长径比为80∶1、孔径为6μm、外径为25 mm的MCP进行了电子清刷实验研究,其中一片MCP表面及其通道内生长了氧化铝薄膜。通过改变清刷时间、剂量及次数和MCP工作电压,探索了电子清刷工艺。两片MCP的清刷次数、清刷总时间和累计拾取电荷量分别为21次和55次、1134 min和4460 min、263 mC和2329 mC。通过测试清刷前后MCP体电阻、增益和工作电压的关系,以及增益和清刷剂量之间的关系,详细评估了清刷工艺对MCP性能参数的影响。结果表明,进行大剂量清刷时,电子枪位置与MCP之间距离太小会造成MCP在清刷过程中由于受热严重而损坏;对于传统长径比为80∶1的MCP,其经过电子清刷后的稳定体电阻值高于清刷前的体电阻值,而对于镀膜氧化铝的MCP,经过电子清刷后的稳定体电阻值低于清刷前的体电阻值;经过电子清刷后,立即测试MCP体电阻值和增益,测试结果偏小,随着等待时间的延长,体电阻和增益会逐渐升高并趋于稳定;对每次清刷结束后立即测试MCP的体电阻值进行比较,可以有效判断MCP在清刷过程中的状态是否正常;随着清刷剂量的增多,在较低的工作电压下,MCP的增益迅速降低并很快趋于稳定;镀膜MCP的累计拾取电荷量可以超过2329 mC,其在不同工作电压下的稳定增益约为5~300。

关键词：微通道板电子清刷累计拾取电荷量寿命

The investigation of ZnO:Al_2O_3/metal composite back reflectors in amorphous silicon germanium thin film solar cells

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Chinese Physics B 2013年第6期22卷 588-590页

作者：王光红赵雷闫保军陈静伟王革刁宏伟王文静 Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System Institute of Electrical Engineeringthe Chinese Academy of Sciences

Different aluminum-doped ZnO （AZO）/metal composite thin films, including AZO/Ag/Al, AZO/Ag/nickelchromium alloy （NiCr）, and AZO/Ag/NiCr/Al, are utilized as the back reflectors of p-i-n amorphous silicon germanium thin film solar cells. NiCr is used as diffusion barrier layer between Ag and Al to prevent mutual diffusion, which increases the short circuit current density of solar cell. NiCr and NiCr/AI layers are used as protective layers of Ag layer against oxidation and sulfurization, the higher efficiency of solar cell is achieved. The experimental results show that the performance of a-SiGe solar cell with AZO/Ag/NiCr/Al back reflector is best. The initial conversion efficiency is achieved to be 8.05%.

关键词： a-SiGe solar cells composite back reflector NiCr diffusion barrier layer