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辐射感生应力弛豫对Al_mGa_(1-m)N/GaN HEMT电学特性的影响

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物理学报 2007年第6期56卷 3393-3399页

作者：范隆郝跃北京时代民芯科技有限公司北京100076 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学西安710071

基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不... 详细信息

基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不但导致2DEG下降和阈值电压正向漂移,而且能够引起漏极输出电流的明显下降.辐射感生应力弛豫是赝配AlmGa1-mN/GaN HEMTs辐射损伤的重要机理之一.

关键词： AlmGa1-mN/GaN HEMT 辐射损伤应力弛豫

面向集成电路制造的基于Petri网的生产调度

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电子学报 2001年第8期29卷 1064-1067页

作者：薛雷郝跃西安电子科技大学微电子所陕西西安710071

本文提出了一个新的面向集成电路 (IC)制造的调度方法 ,核心内容包括两方面 :首先 ,用本文提出的扩展定时Petri网对IC生产工艺进行描述 ;其次 ,对所得Petri网模型的状态空间进行搜索 ,得到以Transition序列表示的最优或近似最优调度 .... 详细信息

本文提出了一个新的面向集成电路 (IC)制造的调度方法 ,核心内容包括两方面 :首先 ,用本文提出的扩展定时Petri网对IC生产工艺进行描述 ;其次 ,对所得Petri网模型的状态空间进行搜索 ,得到以Transition序列表示的最优或近似最优调度 .该方法可以很好地描述IC制造系统中存在的多制造路径、资源共享、可变晶片组及并发等特性 ,通过引入测试弧增强Petri网的建模能力 ,进而在调度模型上对设备维护、设备优先级以及操作优先级进行描述 ,而且支持多目标的评价函数 ,使得到的调度结果更具实用价值 .

关键词：生产调度 Petri网启发式搜索集成电路

超深亚微米集成电路的铜互连技术布线工艺与可靠性

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西安电子科技大学学报 2005年第1期32卷 56-59页

作者：杜鸣郝跃西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071

随着VLSI器件特征尺寸的缩小,对互连集成技术提出了新的要求.铜作为新的互连线材料,能够有效地减小互连延时,提高互连性能.论述了铜互连技术中低k介质材料、势垒层材料以及铜互连布线的大马士革工艺.提出当通孔倾斜角为20°、Ta为势垒... 详细信息

随着VLSI器件特征尺寸的缩小,对互连集成技术提出了新的要求.铜作为新的互连线材料,能够有效地减小互连延时,提高互连性能.论述了铜互连技术中低k介质材料、势垒层材料以及铜互连布线的大马士革工艺.提出当通孔倾斜角为20°、Ta为势垒材料时,能够有效地改善铜互连技术的势垒性能,并且提高其可靠性.

关键词：铜互连技术低k介质材料工艺可靠性

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集成电路可制造性工程与设计方法学

电子学报 1995年第10期23卷 86-93页

作者：郝跃焦永昌西安电子科技大学微电子研究所

集成电路（ＩＣ）可制造性工程与设计是近年来发展很快的研究领域，它集ＩＣ设计、制造、封装和测试过程为一体，在统一框架（即产品制造成本和成品率驱动）下，对产品进行规划和设计。应用该技术可以大大缩短ＩＣ产品研制周期、降低制... 详细信息

集成电路（ＩＣ）可制造性工程与设计是近年来发展很快的研究领域，它集ＩＣ设计、制造、封装和测试过程为一体，在统一框架（即产品制造成本和成品率驱动）下，对产品进行规划和设计。应用该技术可以大大缩短ＩＣ产品研制周期、降低制造成本、提高成品率和可靠性，本文将综述该领域的研究进展，并阐述进一步的研究方向。

关键词：集成电路可制造性工程设计

新型槽栅PMOSFET热载流子退化机理与抗热载流子效应研究

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物理学报 2000年第9期49卷 1683-1688页

作者：任红霞郝跃西安电子科技大学微电子研究所西安710071

分析了槽栅器件中的热载流子形成机理 ,发现在三个应力区中 ,中栅压附近热载流子产生概率达到最大 .利用先进的半导体器件二维器件仿真器研究了槽栅和平面PMOSFET的热载流子特性 ,结果表明槽栅器件中热载流子的产生远少于平面器件 ,且... 详细信息

分析了槽栅器件中的热载流子形成机理 ,发现在三个应力区中 ,中栅压附近热载流子产生概率达到最大 .利用先进的半导体器件二维器件仿真器研究了槽栅和平面PMOSFET的热载流子特性 ,结果表明槽栅器件中热载流子的产生远少于平面器件 ,且对于栅长在深亚微米和超深亚微米情况下尤为突出 .为进一步探讨热载流子加固后对器件特性的其他影响 ,分别对不同种类和浓度的界面态引起的器件栅极和漏极特性的漂移进行了研究 ,结果表明同样种类和密度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 .为开展深亚微米和亚 0 1微米新型槽栅CMOS器件的研制奠定了基础 .

关键词：槽栅PMOSFET 热载流子退化机理热载流子效应

MOCVD生长GaN和GaN∶Mg薄膜的对比研究

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红外与毫米波学报 2004年第3期23卷 201-204页

作者：冯倩王峰祥郝跃西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071 西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071

对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN :Mg薄膜进行X射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现 :两种样品均处于张力作用之下 ,但是GaN∶Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化... 详细信息

对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN :Mg薄膜进行X射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现 :两种样品均处于张力作用之下 ,但是GaN∶Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度 ,致使薄膜质量变差 ;其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大 ,所以当Mg替代Ga以后会引发压力应力 ,从而使薄膜张力减小 ,最后通过计算说明对于GaN :Mg样品而言 ,除了载流子以外 ,薄膜质量同样也会对A1(LO)

关键词：氮化镓薄膜镁掺杂异质外延 X射线衍射扫描电子显微镜拉曼散射 MOCVD

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Mg掺杂对AlGaN薄膜特性的影响

物理学报 2004年第10期53卷 3587-3590页

作者：冯倩王峰祥郝跃西安电子科技大学技术物理学院西安710071 西安电子科技大学微电子研究所西安710071

利用高精度x射线衍射和拉曼散射光谱 ,对MOCVD生长的不同Mg掺杂量的AlGaN薄膜的c轴晶格常数、摇摆曲线和拉曼频移进行测量发现 :当Mg掺杂剂量较小时 ,E2 模式向低频方向漂移表明张力应力有所增加 ,但是摇摆曲线和A1 (LO)模式半高宽减小... 详细信息

利用高精度x射线衍射和拉曼散射光谱 ,对MOCVD生长的不同Mg掺杂量的AlGaN薄膜的c轴晶格常数、摇摆曲线和拉曼频移进行测量发现 :当Mg掺杂剂量较小时 ,E2 模式向低频方向漂移表明张力应力有所增加 ,但是摇摆曲线和A1 (LO)模式半高宽减小表明薄膜质量有所提高 ;随着Mg掺杂剂量的增加 ,E2 模式反向漂移表明此时薄膜中存在压力应力 ,同时薄膜质量有所下降 .最后根据拉曼频移和应力改变进行拟合得出相应的线性表达式为Δσ=- 0 2 98+0 5 6 2·ΔE .

关键词：拉曼频移 GaN薄膜掺杂剂低频 MOCVD 漂移拉曼散射光谱摇摆曲线线性表达式晶格常数

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硅片缺陷粒径分布的分形特征及动力学模型

电子学报 1997年第2期25卷 73-75页

作者：郝跃朱春翔西安电子科技大学微电子所浙江大学微电子研究所

本文研究硅片上与光刻工艺相关的尘粒（缺陷）的粒径分布，分析缺陷粒径分布的分形特征，利用缺陷粒径的分布函数得到缺陷粒径体系的分维数，建立缺陷粒径分布的分形模型，同时给出此模型所得参数的物理意义．最后，本文对缺陷粒径变化... 详细信息

本文研究硅片上与光刻工艺相关的尘粒（缺陷）的粒径分布，分析缺陷粒径分布的分形特征，利用缺陷粒径的分布函数得到缺陷粒径体系的分维数，建立缺陷粒径分布的分形模型，同时给出此模型所得参数的物理意义．最后，本文对缺陷粒径变化过程给出了新的动力学模型，并对此进行分析和讨论．揭示光刻缺陷的粒径分布及其动力学成因，为集成电路可制造性设计及功能成品率的精细表征开辟了一条新径．

关键词：缺陷粒径分布分维数硅片集成电路