新型槽栅PMOSFET热载流子退化机理与抗热载流子效应研究

作     者：任红霞 郝跃 

作者机构：西安电子科技大学微电子研究所西安710071 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2000年第49卷第9期

页      面：1683-1688页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国防科技预研基金!(批准号 :99J8.1.1.DZD13 2 ) 高等学校博士点基金!(批准号:8070110)&& 

主　　题：槽栅PMOSFET 热载流子退化机理 热载流子效应 

摘      要：分析了槽栅器件中的热载流子形成机理 ,发现在三个应力区中 ,中栅压附近热载流子产生概率达到最大 .利用先进的半导体器件二维器件仿真器研究了槽栅和平面PMOSFET的热载流子特性 ,结果表明槽栅器件中热载流子的产生远少于平面器件 ,且对于栅长在深亚微米和超深亚微米情况下尤为突出 .为进一步探讨热载流子加固后对器件特性的其他影响 ,分别对不同种类和浓度的界面态引起的器件栅极和漏极特性的漂移进行了研究 ,结果表明同样种类和密度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 .为开展深亚微米和亚 0 1微米新型槽栅CMOS器件的研制奠定了基础 .