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通过氧化Cu膜制备Cu_2O薄膜

材料科学与工程学报 2009年第6期27卷 949-951,923页

作者：孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧陕西师范大学物理学与信息技术学院陕西西安710062

通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄... 详细信息

通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜。四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22Ωcm。用紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了Cu2O薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。

关键词： Cu2O薄膜热蒸镀 Cu膜退火

非均匀的纳米晶硅(nc-Si)薄膜的横向热伏效应

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功能材料 2010年第A3期41卷 544-547页

作者：刘立慧高斐郝培风刘晓静张君善权乃承孙杰陕西师范大学物理学与信息技术学院陕西西安710062

采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积1层200nm厚的非晶硅(a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同(分别为50和100nm)的Al膜。将已沉积好的薄膜在N2气氛中600℃下退火45min,得到两个横向接触的具有不同晶化程度的纳米晶... 详细信息

采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积1层200nm厚的非晶硅(a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同(分别为50和100nm)的Al膜。将已沉积好的薄膜在N2气氛中600℃下退火45min,得到两个横向接触的具有不同晶化程度的纳米晶硅(nc-Si)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了所制备样品的结构特性。由较厚Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为25nm,晶化率为56%;由较薄Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为15nm,晶化率为23%。实验发现在没有温度梯度的情况下,这两个不同晶化程度的nc-Si薄膜之间具有横向热伏效应。温度为273K时,其开路电压为1.2mV,短路电流为40nA;当温度达到373K时,其开路电压达到25mV,短路电流达到1.171μA。

关键词：横向热伏效应纳米晶硅(nc-Si)薄膜 Al诱导晶化开路电压短路电流

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真空热蒸发制备ZnS薄膜及其特性的研究

电源技术 2010年第1期34卷 28-31页

作者：权乃承高斐孙杰刘立慧郝培风陕西师范大学物理学与信息技术学院陕西西安710062

用真空热蒸发在不同衬底温度下制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDAX)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和原子力显微镜(AFM)研究了ZnS薄膜的晶体结构、成分、光学性能和形貌,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响。... 详细信息

用真空热蒸发在不同衬底温度下制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDAX)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和原子力显微镜(AFM)研究了ZnS薄膜的晶体结构、成分、光学性能和形貌,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响。结果表明,所制备的ZnS薄膜呈立方闪锌矿结构,衬底温度为300℃所制备的ZnS薄膜原子比(S/Zn)为0.95/1;薄膜表面均匀致密,呈多晶态,晶粒尺寸为18.2nm;在可见区有好的透射性能,光学禁带宽度为3.82eV。

关键词： ZnS薄膜热蒸发光学带隙 Burstin-Moss效应

nc-Si∶(Al_2O_3＋SiO_2)复合膜的制备及其热电特性

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人工晶体学报 2010年第6期39卷 1465-1469页

作者：郝培风高斐苗锟刘立慧孙杰权乃承刘晓静张君善陕谣师范大学物理与信息技术学院西安710062

采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580℃的条件下退火1 h。在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜。利用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）及扫描电镜（SEM）等... 详细信息

采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580℃的条件下退火1 h。在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜。利用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）及扫描电镜（SEM）等方法研究了薄膜的结构特性。测得膜厚约为760 nm,估算出薄膜中纳米硅（nc-Si）的平均尺寸约为25 nm。实验发现该nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜有热电特性,研究了其电阻率及Seebeck系数随温度（293-413 K）的变化关系,在293 K和413 K该薄膜的Seebeck系数分别约为-624μV/K和-225μV/K。

关键词：热电薄膜 nc-Si∶(Al2O3+SiO2)复合膜热蒸发 Seebeck系数

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通过氧化Cu膜制备Cu2O薄膜

通过氧化Cu膜制备Cu2O薄膜

2009年西部光子学学术会议

作者：孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧陕西师范大学物理学与信息技术学院

氧化亚铜(CuO)是一种应用潜力很大的半导体材料,具有无毒,制备成本低,材料广泛易得等优点,被广泛地应用于太阳电池、高效光化学电池光电极、磁器件和光催化等。CuO太阳电池的理论转化效率可达20%,但是至今为止获得的光电转换效率较低(2%... 详细信息

氧化亚铜(CuO)是一种应用潜力很大的半导体材料,具有无毒,制备成本低,材料广泛易得等优点,被广泛地应用于太阳电池、高效光化学电池光电极、磁器件和光催化等。CuO太阳电池的理论转化效率可达20%,但是至今为止获得的光电转换效率较低(2%)。据估计,只要达到5%的光电转化效率,CuO在太阳电池上的应用就会有较高的经济价值。本文采用热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备CuO薄膜,研究了退火温度对CuO薄膜形成、结构和电光特性的影响,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,已沉积Cu膜在200℃下退火30分钟可得到具有单一成份的立方CuO相薄膜,CuO晶粒尺寸约为10nm。四探针测量得到所制备的CuO薄膜电阻率为0.22Ωcm。紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了CuO薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。我们的研究表明,可以用传统的热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备出光电性质较好的CuO薄膜。

关键词： Cu2O薄膜热蒸镀 Cu膜退火

来源： cnki会议评论

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Cu_2O薄膜的制备方法

材料开发与应用 2009年第4期24卷 93-96页

作者：孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧陕西师范大学物理学与信息技术学院陕西西安710062

氧化亚铜(Cu2O)薄膜在太阳能电池及其它光电器件上有重要应用,它具有无毒、制备成本低、材料广泛易得等优点。制备Cu2O薄膜的方法主要有热蒸发、溅射、化学气相沉积和电化学沉积等,本文对Cu2O薄膜的制备方法进行了综述与展望。

关键词：氧化亚铜薄膜热蒸发溅射化学气相沉积

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科技伦理治理的“差序格局”与“错序格局”

科学学研究 2025年第1期 58-65页

作者：李秋甫李正风清华大学马克思主义学院清华大学社会科学学院清华大学科学技术与社会研究中心

科技伦理治理已成为当代社会发展与治理的重要议程。本文立足比较视野探讨了科技先行国家间和与科技后发国家间伦理治理模式形成、运作等过程中的区别与关联、形成与演进，建立了“差序格局”与“错序格局”两个总括性视角框架，并以此... 详细信息

科技伦理治理已成为当代社会发展与治理的重要议程。本文立足比较视野探讨了科技先行国家间和与科技后发国家间伦理治理模式形成、运作等过程中的区别与关联、形成与演进，建立了“差序格局”与“错序格局”两个总括性视角框架，并以此为基础对伦理倾销、全球科技伦理治理等问题进行了讨论，为科技伦理治理体系的建设深化了认知基础。

关键词：差序格局错序格局科技伦理治理

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古木测年方法研究综述

古生物学报 2025年

作者：李玉风张厚江北京林业大学工学院北京林业大学木材无损检测国际联合研究所

古木年代久远、分布广泛，具有重要的历史、文化和科学价值。测定古木的年代，对于认识和保护木质文物、探索人类文明的发展轨迹、了解古代气候变化和生态系统演变具有重要意义。本文介绍了放射性碳(14C)定年、树轮年代学定年和红外/... 详细信息

古木年代久远、分布广泛，具有重要的历史、文化和科学价值。测定古木的年代，对于认识和保护木质文物、探索人类文明的发展轨迹、了解古代气候变化和生态系统演变具有重要意义。本文介绍了放射性碳(14C)定年、树轮年代学定年和红外/近红外光谱定年三种科学定年方法的各自原理、研究现状、优缺点及前沿方向。总结分析发现: 放射性碳定年法作为最常见的古木年代测定方法，但存在一定的误差; 树轮年代学是目前最精确的古木定年方法，但目前适用于我国古木定年的长年轮年表比较匮乏; 红外/近红外光谱技术为古木年代测定提供了新的研究手段。

关键词：古木年代测定放射性碳( C) 树轮年代学红外/近红外光谱

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基于转录组测序的黄果梨干腐病发病机理初探

西北植物学报 2025年

作者：贺风英白露超青海大学农牧学院

【目的】由镰刀菌侵染引起的黄果梨干腐病严重影响黄果梨的产量和品质,阻碍其产业的发展。分析黄果梨响应干腐病病原菌侵染过程中关键基因的表达情况,为揭示其发病机理提供理论依据。【方法】以病原菌接种枝干为发病组(HG),以空白处理... 详细信息

【目的】由镰刀菌侵染引起的黄果梨干腐病严重影响黄果梨的产量和品质,阻碍其产业的发展。分析黄果梨响应干腐病病原菌侵染过程中关键基因的表达情况,为揭示其发病机理提供理论依据。【方法】以病原菌接种枝干为发病组(HG),以空白处理为对照组(HK),通过RNA-seq技术对黄果梨进行转录组测序。【结果】(1)6个样本共获得34.62 Gb有效数据,共筛选到1 137个DEGs,其中548个DEGs上调,589个DEGs下调。(2)KEGG显著富集到植物病原互作、淀粉和蔗糖代谢、光合作用-天线蛋白、苯丙氨酸生物合成等通路。(3)对10个DEGs进行RT-q PCR表达量检测,RT-q PCR与RNA-seq基因相对表达量趋势一致。【结论】病原菌侵染引起植物病原互作、淀粉和蔗糖代谢、光合作用-天线蛋白、植物激素信号转导、苯丙氨酸生物合成等通路积极响应。

关键词：转录组黄果梨干腐病发病机理