nc-Si∶(Al_2O_3＋SiO_2)复合膜的制备及其热电特性

作     者：郝培风 高斐 苗锟 刘立慧 孙杰 权乃承 刘晓静 张君善 HAO Pei-feng;GAO Fei;Miao Kun;LIU Li-hui;SUN Jie;QUAN Nai-cheng;LIU Xiao-jing;ZHANG Jun-shan

作者机构：陕谣师范大学物理与信息技术学院西安710062 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2010年第39卷第6期

页      面：1465-1469页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：香港何崇本新能源基金 中央高校基本科研业务费专项资金资助(GK000902052) 陕西师范大学勤助科研创新基金项目(QZYB10032) 

主　　题：热电薄膜 nc-Si∶(Al2O3+SiO2)复合膜 热蒸发 Seebeck系数 

摘      要：采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580℃的条件下退火1 h。在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜。利用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）及扫描电镜（SEM）等方法研究了薄膜的结构特性。测得膜厚约为760 nm,估算出薄膜中纳米硅（nc-Si）的平均尺寸约为25 nm。实验发现该nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜有热电特性,研究了其电阻率及Seebeck系数随温度（293-413 K）的变化关系,在293 K和413 K该薄膜的Seebeck系数分别约为-624μV/K和-225μV/K。