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电沉积制备纳米镍的拉伸变形行为

材料科学与工艺 2007年第1期15卷 35-39页

作者：张凯锋丁水王国峰哈尔滨工业大学材料科学与工程学院黑龙江哈尔滨150001

为了系统研究纳米材料的超塑性变形特点,用电沉积方法制备了平均晶粒尺寸为70 nm的纳米镍.采用单向拉伸实验研究了其在室温和高温时的力学性能,并用透射电子显微镜TEM、扫描电子显微镜SEM和X射线能谱仪EDS观察分析了纳米镍变形前后的显... 详细信息

为了系统研究纳米材料的超塑性变形特点,用电沉积方法制备了平均晶粒尺寸为70 nm的纳米镍.采用单向拉伸实验研究了其在室温和高温时的力学性能,并用透射电子显微镜TEM、扫描电子显微镜SEM和X射线能谱仪EDS观察分析了纳米镍变形前后的显微组织.实验结果表明:制备的纳米镍在室温时表现出的延伸率很低,但强度可达1000 MPa以上.当温度升高至450℃,应变速率为1.67×10-3s-1时单向拉伸实验得到380%的延伸率,说明制备的纳米镍具有低温超塑性性能.实验过程中,材料内部的晶粒发生明显的长大与拉长.拉伸过程中形成的氧化物夹杂成为裂纹源,断口表现为沿晶断裂.

关键词：纳米镍拉伸性能断口电沉积

商业智能深入浅出 Cognos，Informatica技术与应用 1-3

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2012年

作者：王飞刘国峰

本书涵盖了进入商业智能领域所需要的大部分理论知识，但是本书并不推崇细节性的理论知识讲解，因为每一部分理论都可以写成一本书。本书主要是针对实际项目中所遇到的问题，总结了商业智能项目开发的一般流程，并且根据实际的项目例子... 详细信息

ISBN: (数字)9787111372417

ISBN: (纸本)9787111372417

本书涵盖了进入商业智能领域所需要的大部分理论知识，但是本书并不推崇细节性的理论知识讲解，因为每一部分理论都可以写成一本书。本书主要是针对实际项目中所遇到的问题，总结了商业智能项目开发的一般流程，并且根据实际的项目例子去描述，使读者熟悉和了解商业智能项目设计开发的一般方法。本书的目的是带领初学者能够很快的进入到商业智能领域

关键词：关系数据库数据库管理系统

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生日

山花 2011年第20期 75-76页

作者：杨国峰

娘七十华诞,老二从县城赶往土坳村给娘祝寿。牌友不分贵贱,老二稍作停歇,就邀集乡邻搓开了麻将。娘说,老大,你也和弟弟凑凑热闹,两兄弟一年到头难得相聚几回,煮饭炒菜我来做。老大没妻室,长年龟在农村守着娘。老大说我不会玩,也没钱玩,... 详细信息

娘七十华诞,老二从县城赶往土坳村给娘祝寿。牌友不分贵贱,老二稍作停歇,就邀集乡邻搓开了麻将。娘说,老大,你也和弟弟凑凑热闹,两兄弟一年到头难得相聚几回,煮饭炒菜我来做。老大没妻室,长年龟在农村守着娘。老大说我不会玩,也没钱玩,我给您打下手

关键词：油烟味

茵栀黄口服液联合PTCD支架置入术对恶性梗阻性黄疸的临床观察

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茵栀黄口服液联合PTCD支架置入术对恶性梗阻性黄疸的临床观察

作者：史国峰辽宁中医药大学

学位级别：硕士

目的:观察行经皮肝穿刺胆道引流术(PTCD)及胆道支架置入术的恶性梗阻性黄疸(MOJ)患者在术后服用茵栀黄口服液,探讨患者的临床疗效及其对生活质量的影响。材料与方法:自2015年5月起,共收治不同类型肿瘤引起的恶性梗阻性黄疸患者共80例,... 详细信息

目的:观察行经皮肝穿刺胆道引流术(PTCD)及胆道支架置入术的恶性梗阻性黄疸(MOJ)患者在术后服用茵栀黄口服液,探讨患者的临床疗效及其对生活质量的影响。材料与方法:自2015年5月起,共收治不同类型肿瘤引起的恶性梗阻性黄疸患者共80例,其中包括肝癌50例(结肠癌肝转移1例),胰头癌1例,胆管癌26例,胆囊癌3例;将80例恶性梗阻性黄疸患者随机分成治疗组和对照组。两组经PTCD及胆道支架置入术后,均行常规抗感染、止血、抗炎、护胃、护肝等治疗,同时保证胆道内外引流管通畅,在此基础上治疗组服用茵栀黄口服液,比较两组患者的肝功能、术后并发症、皮肤瘙痒等情况。结果:1、经治疗后全部患者肝功能均有好转,但茵栀黄组胆红素等肝功能指标下降显著。2、随着胆红素的下降,患者皮肤瘙痒有所好转,但茵栀黄组更为显著。3、患者术后2个月回访胆道再梗阻率茵栀黄组优于对照组。4、加用茵栀黄患者的住院时间明显小于对照组患者住院时间。结论:茵栀黄口服液在配合PTCD金属支架置入术后能显著改善肝内胆汁淤积患者的症状体征,包括目黄、皮肤瘙痒、身黄、尿黄、腹胀、舌苔;能改善患者的肝功能指标,尤其是TBIL、DBIL方面有优势;且无明显不良反应,安全性好,并能缩短患者住院周期,值得进一步临床研究并推广。

关键词：茵栀黄口服液恶性梗阻性黄疸经皮肝穿刺胆道引流术

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我国创意产业国际竞争优势研究

我国创意产业国际竞争优势研究

作者：姚国峰浙江大学

学位级别：硕士

本文在总结国际竞争优势理论和创意产业研究现状的基础上,结合创意产业自身知识密集型、技术密集型等特点,实证分析了影响我国创意产业竞争优势的需求、生产要素等影响因子。在此基础上,本文通过国际市场占有率指数、贸易竞争指数和显... 详细信息

本文在总结国际竞争优势理论和创意产业研究现状的基础上,结合创意产业自身知识密集型、技术密集型等特点,实证分析了影响我国创意产业竞争优势的需求、生产要素等影响因子。在此基础上,本文通过国际市场占有率指数、贸易竞争指数和显示性比较优势指数进一步分析了我国创意产业整体国际竞争优势,以及创意商品、创意服务和细分行业的国际竞争优势情况,并与英、美、日等国进行了比较。实证结果表明我国创意产业在整体上具有较强国际竞争优势,但主要集中在工艺品、设计类商品等生产加工型的低附加值,低创意元素的商品上,而电影、表演以及相关服务处于竞争劣势。我国创意产业在价值链上仍然处于“微笑曲线”的中间位置。最后,本文提出了战略上统一规划、制度上完善知识产权保护,产业上提供金融资本服务,人才上加强引进和培养几条建议。

关键词：创意产业国际竞争优势国际市场占有率

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深入精髓

山青水碧赤子情——记内蒙古赤峰市敖汉旗水保站站长刘富

2007年

作者：温国峰孙膺

学习网页制作,需要全面掌握网页制作软件的操作以及不同类型网站和网页的设计实践知识。本书全面介绍网页制作知识,内容包括图像元素的插入方法和其属性,使用HTML语言为网页添加链接,插入多媒体和各种多媒体的应用,表格的应用知识,HTML... 详细信息

ISBN: (纸本)9787894864543

学习网页制作,需要全面掌握网页制作软件的操作以及不同类型网站和网页的设计实践知识。本书全面介绍网页制作知识,内容包括图像元素的插入方法和其属性,使用HTML语言为网页添加链接,插入多媒体和各种多媒体的应用,表格的应用知识,HTML、CSS等,利用层为网页添加行为,服务器的安装与调试,如何建立和管理站点,使用框架制作快速网站,Dreamweaver库、模板,制作动态交互表单,网页图像制作以及图像编辑、层与蒙版等知识。书中还介绍了动画的制作和优化知识。本书紧密结合实例,全面介绍网页制作知识,全书针对网

关键词：网页制作

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中国水土保持 2004年第3期 39-40页

作者：张国峰敖汉旗水利局内蒙古敖汉旗024300

CHF3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时C：F沉积的影响与控制

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CHF3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时C：F沉积的影响与控制

作者：施国峰苏州大学

学位级别：硕士

随着超大规模集成电路(ULSI)中器件密度不断提高、特征线宽不断减小,器件密度和连线密度的增加使得器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容增大,导致阻容(RC)耦合的增大,进而使得信号传输延时增加、干扰噪声增强和功率耗散增大。为... 详细信息

随着超大规模集成电路(ULSI)中器件密度不断提高、特征线宽不断减小,器件密度和连线密度的增加使得器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容增大,导致阻容(RC)耦合的增大,进而使得信号传输延时增加、干扰噪声增强和功率耗散增大。为了解决这些问题,用低介电常数(低k)和超低介电常数(k < 2)材料替代传统的SiO层间绝缘介质,降低绝缘介质的介电常数,成为可能的途径。作为最有希望替代SiO的材料,多孔(超)低k的SiCOH薄膜材料得到人们高度关注。在SiCOH低k薄膜材料应用于超大规模集成电路(ULSI)时,薄膜的刻蚀是关键的工艺之一。与传统的SiO介质刻蚀相比较,因为SiCOH薄膜中存在孔隙,所以薄膜刻蚀率会随着薄膜密度的降低而增加,从而导致薄膜粗糙度增加、侧向微枝结构的形成和刻蚀深度发生改变,这使得薄膜刻蚀变得难以精确控制。为了解决这些问题,用双频电容耦合放电产生的碳氟等离子体,在SiCOH薄膜的刻蚀中得到重要应用。但是,使用碳氟等离子体刻蚀SiCOH薄膜时,在SiCOH薄膜的表面会沉积C:F层,表面C:F层的存在抑制了有效刻蚀的活性基团和能量向SiCOH薄膜表面的传输,从而影响SiCOH薄膜刻蚀性能。本论文以实现SiCOH薄膜的可控刻蚀为目标,研究了CHF双频电容耦合等离子体(DF-CCP)刻蚀SiCOH薄膜时,C:F沉积对SiCOH薄膜刻蚀的影响。本文采用60MHz/2MHz CHF的双频电容耦合等离子体,通过改变低频信号的功率,控制SiCOH薄膜表面的C:F沉积,研究了C:F沉积对SiCOH薄膜刻蚀行为的影响。通过刻蚀后SiCOH薄膜结构的傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析、表面成分的X射线光电子能谱分析、表面形貌的原子力显微镜(AFM)分析,发现通过提高低频功率,SiCOH薄膜表面的C:F层发生了从致密覆盖层,到多孔C:F层,进而到填充SiCOH薄膜孔隙的C:F层的演变。在C:F层致密覆盖SiCOH薄膜时,不能实现SiCOH薄膜的刻蚀;当C:F层呈多孔覆盖层或填充SiCOH薄膜间隙时,可以实现SiCOH薄膜的刻蚀。通过SiCOH薄膜刻蚀时的放电等离子体光谱分析,C:F沉积状态的变化与等离子体空间CF2的密度有关。因此,采用CHF双频电容耦合等离子体技术,通过提高低频功率,控制SiCOH薄膜表面的C:F沉积层,可以实现SiCOH薄膜的可控刻蚀。

关键词：多孔SiOCH薄膜 CHF3等离子体刻蚀 C:F沉积