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全球新疆域的治理挑战与中国路径

社会主义研究 2024年第3期 136-144页

作者：郑英琴上海国际问题研究院海洋与极地研究中心

深海、极地、外空、网络和数字空间、人工智能等全球新疆域蕴藏着人类生存与发展所需的重要资源和战略空间,已经成为各国争取发展资源、拓展发展空间、谋求发展优势的新领域。随着科技快速发展以及国际形势变迁,新疆域面临治理需求上升... 详细信息

深海、极地、外空、网络和数字空间、人工智能等全球新疆域蕴藏着人类生存与发展所需的重要资源和战略空间,已经成为各国争取发展资源、拓展发展空间、谋求发展优势的新领域。随着科技快速发展以及国际形势变迁,新疆域面临治理需求上升与治理规则赤字、国际合作要求上升与国际共识不足、国家私利与全球公利难以平衡等张力和矛盾,以及泛安全化等挑战。以西方为中心的旧思维已经无法应对新疆域的治理要求。中国提出的新疆域全球治理观以构建人类命运共同体为目标,以共商共建共享为原则,与新疆域的属性和治理需求高度契合,为应对新形势下新疆域的治理挑战提供了有影响力的中国理念与中国方案。实践中,中国支持发挥联合国的主导作用,主张通过践行真正的多边主义,推动新疆域治理机制的建设与完善,扩大广大发展中国家的参与权和话语权;并通过推动各领域多层次的国际合作,积极提供全球公共产品,推动共建新疆域命运共同体。

关键词：新疆域全球治理人类命运共同体中国路径

AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合

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物理学报 2011年第4期60卷 542-546页

作者：王鑫华赵妙刘新宇蒲颜郑英奎魏珂中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征... 详细信息

利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性.

关键词： HEMT 费米能级 C-V特性二维势阱的电子限制能力

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认罪认罚“程序从宽”的理论反思

政法论坛 2024年第4期 39-51页

作者：郑英龙浙江工商大学法学院

“实体从宽”立足于宽严相济的刑事政策，承载着具有人文关怀的司法宽容精神，为认罪认罚“从宽”应有之义。但“程序从宽”中的强制措施从宽不仅在正当性上存疑，在可行性上也存有较大障碍。而诉讼程序从快从简的从宽则面临二重悖论，... 详细信息

“实体从宽”立足于宽严相济的刑事政策，承载着具有人文关怀的司法宽容精神，为认罪认罚“从宽”应有之义。但“程序从宽”中的强制措施从宽不仅在正当性上存疑，在可行性上也存有较大障碍。而诉讼程序从快从简的从宽则面临二重悖论，即程序加速与从快打击的矛盾、程序简化与权利放弃的抵牾。根植于诉讼效率的“程序从宽”虽满足了案多人少的现实司法需求，但却存在司法机关利益入侵被追诉人利益的风险，其客观上减少了裁判人员所获案件信息而易造成错判风险。若将程序的适用和变更视作可供交换的条件，极易诱使被追诉人主观上出现变相自我归罪、屈从型认罪认罚等现象。认罪认罚“从宽”内容的体系化构建应当坚持确定性、合目的性和可协商性原则，仍应坚守“正当程序”诉讼模式，如此才有可能破解因过分追求效率价值而产生错案的现实困境。

关键词：认罪认罚程序从宽实体从宽强制措施从宽程序性法律后果

A flat gain GaN MMIC power amplifier for X band application

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同方期刊数据库

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Journal of Semiconductors 2014年第12期35卷 74-78页

作者：戈勤刘新宇郑英奎叶川 Nanjing Electronic Devices Institute Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences

A flat gain two-stage MMIC power amplifier with a 2.8 GHz bandwidth is successfully developed for X band frequency application based on a fully integrated micro-strip Al GaN/GaN HEMT technology on a semiinsulating Si C substrate. Designed with a binary-cluster matching structure integrated with RC networks and LRC networks, the developed power MMIC gets a very flat small signal gain of 15 dB with a gain ripple of 0.35 dB over 9.1–11.9 GHz at the drain bias of 20 V. These RC networks are very easy to improve the stability of used GaN HEMTs with tolerance to the MMIC technology. Inside the frequency range of 9–11.2 GHz where the measurement system calibrated, the amplifier delivers a pulsed output power of 39 dBm and an associated power added efficiency of about 20% at 28 V without saturation, as the available RF power is limited.

关键词： AlGaN/Ga N HEMTs flat gain MMIC power amplifier X-band

A revised approach to Schottky parameter extraction for GaN HEMT

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Journal of Semiconductors 2010年第7期31卷 32-35页

作者：王鑫华赵妙刘新宇郑英奎魏珂 Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology Institute of MicroelectronicsChinese Academy of Sciences

We carry out a thermal storage research on GaN HEMT at 350℃for 48 h,and a recess phenomenon is observed in the low voltage section of Schottky forward characteristics.The decrease of 2DEG density will be responsible for the recess phenomenon.Because the conventional method is not suitable for this kind of curve,a revised approach is presented by analyzing the back-to-back Schottky junction energy band to extract Schottky parameters, which leads to a consistent fit effect.

关键词： AlGaN/GaN HEMT 2DEG thermal storage back-to-back Schottky model

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检验GaN基外延材料质量的简易方法

半导体技术 2008年第S1期33卷 109-111,122页

作者：李诚瞻魏珂郑英奎刘果果庞磊刘新宇中国科学院微电子研究所北京100029

研究了GaN基外延材料对Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应的对应关系,提出了一种检验GaN基外延材料的简便方法。实验观察到,背对背肖特基结I-V特性对称性好的外延材料,所... 详细信息

研究了GaN基外延材料对Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应的对应关系,提出了一种检验GaN基外延材料的简便方法。实验观察到,背对背肖特基结I-V特性对称性好的外延材料,所对应的Al-GaN/GaN HEMT器件电流崩塌程度更小,反之亦然。缺陷俘获电子是引起背对背肖特基结I-V特性不对称的根本原因,这些缺陷也是产生Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应的重要原因,因此利用背对背肖特基I-V特性的对称性是定性地评价GaN基外延材料质量优劣的一种有效方法。

关键词：氮化镓外延材料背对背肖特基结电流崩塌缺陷

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岳麓所见

创作 2017年第2期 54-55页

作者：郑英奎长沙市青竹湖湘一外国语学校

国庆来了,假期来了,一群一群人也来了。这个国庆,我本是准备宅在家中的,可我见这几天有些雨,天气凉爽,在雨天这朦朦胧胧的淡白色雨幕中,我突然想起一句'看万山红遍,层林尽染',脑海中不免联想起岳麓山上那红叶遍野的景象……还是去走走... 详细信息

国庆来了,假期来了,一群一群人也来了。这个国庆,我本是准备宅在家中的,可我见这几天有些雨,天气凉爽,在雨天这朦朦胧胧的淡白色雨幕中,我突然想起一句'看万山红遍,层林尽染',脑海中不免联想起岳麓山上那红叶遍野的景象……还是去走走吧。幸好是雨天,人不多,我大可以好好欣赏景色。眼帘中,那大门愈来愈近,红枫在雨中也愈发清晰,愈变红润,以至于我只注意了这红叶。

关键词：爱晚亭

The physical process analysis of the capacitance-voltage characteristics of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors

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Chinese Physics B 2010年第9期19卷 536-542页

作者：王鑫华赵妙刘新宇蒲颜郑英奎魏珂 Key Laboratory of Microelectronics Device&Integrated Technology Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences

This paper deduces the expression of the Schottky contact capacitance of AlGaN/A1N/GaN high electron mobility transistors （HEMTs）, which will help to understand the electron depleting process. Some material parameters related with capacitance-voltage profiling are given in the expression. Detailed analysis of the forward-biased capacitance has been carried on. The gate capacitance of undoped AlGaN/AlN/GaN HEMT will fall under forward bias. If a rising profile is obviously observed, the donor-like impurity or trap is possibly introduced in the barrier.

关键词： AlGaN/AlN/GaN HEMT capacitance-voltage characteristics trap

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记忆中的温暖

创作 2016年第6期 30-31页

作者：郑英奎长沙市青竹湖湘一外国语学校

时光飞逝,有些事终将成为记忆。记忆,便是那已消逝了的风景,是美的,是温暖的。几个月前,我去一中学习,午餐就在一中附近的饭店解决。点了些饭菜,便坐在桌旁看书,以此小憩片时。服务员将饭菜端来,放好,就走了。我放下手中的书,开始畅享... 详细信息

时光飞逝,有些事终将成为记忆。记忆,便是那已消逝了的风景,是美的,是温暖的。几个月前,我去一中学习,午餐就在一中附近的饭店解决。点了些饭菜,便坐在桌旁看书,以此小憩片时。服务员将饭菜端来,放好,就走了。我放下手中的书,开始畅享美味。这是看似平凡的一天。门外是公交车站,人来人往,甚是热闹。

关键词：记忆故乡老人