AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合
The experiential fit of the capacitance-voltage characteristics of the AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors作者机构：中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2011年第60卷第4期
页 面：542-546页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327500) 国家自然科学基金(批准号:60976059,60890191)资助的课题~~
主 题：HEMT 费米能级 C-V特性 二维势阱的电子限制能力
摘 要：利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性.
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