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具有经验学习特性的忆阻器模型分析

物理学报 2019年第19期68卷 276-286页

作者：邵楠张盛兵邵舒渊西北工业大学计算机学院西安710072 西北工业大学电子信息学院西安710072

类似人类记忆的短期、长期记忆现象在不同材料忆阻器的实验研究中有过多次报道.在多篇这类忆阻器的研究文献中还报道了经验学习特性:“学习-遗忘-再学习”实验中,短期记忆遗忘后再次学习,记忆恢复的速度明显比初次学习的记忆形成速度更... 详细信息

类似人类记忆的短期、长期记忆现象在不同材料忆阻器的实验研究中有过多次报道.在多篇这类忆阻器的研究文献中还报道了经验学习特性:“学习-遗忘-再学习”实验中,短期记忆遗忘后再次学习,记忆恢复的速度明显比初次学习的记忆形成速度更快.本文对这类忆阻器已有数学模型在“学习-遗忘-再学习”实验中的特性给出进一步分析.仅考虑短期、长期记忆现象的忆阻模型在该实验中表现为较快速再次学习特性,再次学习的记忆恢复速度较快主要是由于脉冲间隔期间的遗忘速度比初次学习时更慢.考虑经验学习特性的忆阻模型在再学习阶段的记忆恢复速度更快主要是因为脉冲作用时的记忆增速更快,同时仍然存在脉冲间隔期间的遗忘速度减慢.与经验学习特性相关的状态变量的物理意义可利用连通两电极的导电通道的周围区域在不同外加电压作用下的变化来给出解释.

关键词：忆阻器经验学习特性短期记忆长期记忆

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具有感觉记忆的忆阻器模型

物理学报 2019年第1期68卷 317-324页

作者：邵楠张盛兵邵舒渊西北工业大学计算机学院西安710072 西北工业大学电子信息学院西安710072

人类记忆的形成包括感觉记忆、短期记忆、长期记忆三个阶段,类似的记忆形成过程在不同材料忆阻器的实验研究中有过多次报道.这类忆阻器的记忆形成过程存在有、无感觉记忆的两种情况,已报道的这类忆阻器的数学模型仅能够描述无感觉记忆... 详细信息

人类记忆的形成包括感觉记忆、短期记忆、长期记忆三个阶段,类似的记忆形成过程在不同材料忆阻器的实验研究中有过多次报道.这类忆阻器的记忆形成过程存在有、无感觉记忆的两种情况,已报道的这类忆阻器的数学模型仅能够描述无感觉记忆的忆阻器.本文在已有模型的基础上,根据有感觉记忆的忆阻器的研究文献中所报道的实验现象,设计了具有感觉记忆的忆阻器模型.对所设计模型的仿真分析验证了该模型对于存在感觉记忆的这类忆阻器特性的描述能力:对忆阻器施加连续脉冲激励,在初始若干脉冲作用时忆阻器无明显的记忆形成,此时忆阻器处于感觉记忆阶段,后续的脉冲作用下忆阻器将逐渐形成短期、长期记忆,并且所施加脉冲的幅值越大、宽度越大、间隔越小,则感觉记忆阶段所经历的脉冲数量越少.模型状态变量的物理意义可用连通两电极的导电通道在外加电压作用下的形成与消失来给出解释.

关键词：忆阻器感觉记忆短期记忆长期记忆

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数字电子技术基础实验第2版 2版

2005年

作者：邵舒渊卢选民编

本书可分为四章。第一章为实验准备；第二章为基础实验，第三章为综合实验；第四章为Altera可编程逻辑器件及MAX+PLUSⅡ开发工具。

ISBN: (纸本)756121233X

本书可分为四章。第一章为实验准备；第二章为基础实验，第三章为综合实验；第四章为Altera可编程逻辑器件及MAX+PLUSⅡ开发工具。

关键词：工业技术无线电电子学、电信技术基本电子电路

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模拟电子技术基础实验第2版第2版

A phenomenological memristor model for synaptic memory and learning behaviors

2005年

作者：邵舒渊卢选民编

高等学校教材:本书重点为集成电路的应用，并注重培养学生的独立工作能力，系统地阐述了实验注意事项，并通过安排的十个基本实验，对模拟电子技术的内容进行详细介绍等。

ISBN: (纸本)7561212321

关键词：模拟电路电子技术实验高等学校教材

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Chinese Physics B 2017年第11期26卷 526-536页

作者：邵楠张盛兵邵舒渊 School of Computer Science and Engineering Northwestern Polytechnical University School of Electronics and Information Northwestern Polytechnical University

Properties that are similar to the memory and learning functions in biological systems have been observed and reported in the experimental studies of memristors fabricated by different materials. These properties include the forgetting effect, the transition from short-term memory（STM） to long-term memory（LTM）, learning-experience behavior, etc. The mathematical model of this kind of memristor would be very important for its theoretical analysis and application *** our analysis of the existing memristor model with these properties, we find that some behaviors of the model are inconsistent with the reported experimental observations. A phenomenological memristor model is proposed for this kind of memristor. The model design is based on the forgetting effect and STM-to-LTM transition since these behaviors are two typical properties of these memristors. Further analyses of this model show that this model can also be used directly or modified to describe other experimentally observed behaviors. Simulations show that the proposed model can give a better description of the reported memory and learning behaviors of this kind of memristor than the existing model.

关键词： memristor model forgetting effect transition from short-term memory(STM) to long-term memory(LTM) learning-experience behavior

基于无线传感器网络技术的煤矿安全监测系统研究与开发

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电子技术应用 2008年第6期34卷 138-140页

作者：邵舒渊卢选民西北工业大学电子信息学院陕西西安710072

利用无线传感网络技术和基于Intel Celeron嵌入式处理器的GENE-8310平台设计了一个新型的煤矿安全监测与预警系统。该系统利用瓦斯气体浓度、温度、湿度等传感器,通过无线传感器网络完成矿井环境监测、数据处理传送等任务;利用嵌入式GEN... 详细信息

利用无线传感网络技术和基于Intel Celeron嵌入式处理器的GENE-8310平台设计了一个新型的煤矿安全监测与预警系统。该系统利用瓦斯气体浓度、温度、湿度等传感器,通过无线传感器网络完成矿井环境监测、数据处理传送等任务;利用嵌入式GENE-8310平台对移动节点的信息进行数据汇聚及数据分析,并自动生成可视化曲线图表和超限警报提示,实现运用现代高科技技术手段来遏制煤矿矿难事故发生的目的。

关键词：无线传感器网络安全监测嵌入式系统多跳路由超限报警