具有经验学习特性的忆阻器模型分析
Analysis of memristor model with learning-experience behavior作者机构：西北工业大学计算机学院西安710072 西北工业大学电子信息学院西安710072
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2019年第68卷第19期
页 面：276-286页
核心收录：
学科分类：0401[教育学-教育学] 04[教育学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 040102[教育学-课程与教学论] 0704[理学-天文学]
摘 要：类似人类记忆的短期、长期记忆现象在不同材料忆阻器的实验研究中有过多次报道.在多篇这类忆阻器的研究文献中还报道了经验学习特性:“学习-遗忘-再学习实验中,短期记忆遗忘后再次学习,记忆恢复的速度明显比初次学习的记忆形成速度更快.本文对这类忆阻器已有数学模型在“学习-遗忘-再学习实验中的特性给出进一步分析.仅考虑短期、长期记忆现象的忆阻模型在该实验中表现为较快速再次学习特性,再次学习的记忆恢复速度较快主要是由于脉冲间隔期间的遗忘速度比初次学习时更慢.考虑经验学习特性的忆阻模型在再学习阶段的记忆恢复速度更快主要是因为脉冲作用时的记忆增速更快,同时仍然存在脉冲间隔期间的遗忘速度减慢.与经验学习特性相关的状态变量的物理意义可利用连通两电极的导电通道的周围区域在不同外加电压作用下的变化来给出解释.
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