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几何结构对电流驱动纳米带内磁斯格明子移动特性的影响

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材料导报 2022年第12期36卷 39-43页

作者：张光富谭伟石张赛文文兵湖南城市学院信息与电子工程学院湖南益阳413000 全固态储能材料与器件湖南省重点实验室湖南益阳413000

研发新一代自旋电子器件要求精确操控纳米带内磁斯格明子的移动。磁斯格明子存在横向移动且移动速度慢是影响新一代自旋电子器件开发应用的主要因素。基于微磁学模拟研究了不同结构纳米带中磁斯格明子在电流驱动作用下的移动特性。电流... 详细信息

研发新一代自旋电子器件要求精确操控纳米带内磁斯格明子的移动。磁斯格明子存在横向移动且移动速度慢是影响新一代自旋电子器件开发应用的主要因素。基于微磁学模拟研究了不同结构纳米带中磁斯格明子在电流驱动作用下的移动特性。电流驱动纳米带内磁斯格明子移动过程中存在横向移动,因此存在最大的注入电流J_(max)和最大移动速度V_(max)。在矩形纳米带内,J_(max)和V_(max)相对较小。通过裁剪矩形纳米带中央形成凹槽纳米带,J_(max)和V_(max)可显著提高,但反映驱动效率的速度V_(x)与注入电流J的比值(V_(x)/J)不大。提出利用裁剪纳米带边缘形成引导型纳米带来增大V_(x)/J。相对于矩形纳米带,电流驱动的引导纳米带中磁斯格明子移动时,V_(x)/J显著增大,且在一定程度上增大了J_(max)和V_(max)。电流驱动纳米带中磁斯格明子移动的最优方案是集合了引导和凹槽纳米带优势的组合纳米带,可获得更大的电流驱动效率、更大的移动速度。这些研究结果可为开发设计新一代自旋电子器件提供理论依据。

关键词：磁斯格明子纳米带微磁学模拟自旋极化电流自旋电子器件

M_2Sn_(17)(M=Ni,Mn)及其阴离子的几何结构、电子结构和磁性的计算研究

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物理学报 2007年第9期56卷 5216-5220页

作者：陈宣卢功利唐春梅邓开明谭伟石南京理工大学应用物理系南京210094

采用密度泛函理论(density functional theory,DFT)中的广义梯度近似(generalized gradient approximation,GGA)对Ni2Sn17,Mn2Sn17,[Ni2Sn17]4-和[Mn2Sn17]2-三种同分异构体的几何结构、电子结构和磁性进行了研究.发现:在三种同分异构体中,D2d结构的Ni2Sn17,Mn2Sn17,[Ni2Sn17]4-和[Mn2Sn17]2-最为稳定.磁性研究表明:中性团簇Ni2Sn17的D2d结构和D4d结构出现了自旋分裂能级,分别带有4μB和2μB的磁矩.其中,Ni原子与Sn原子之间存在弱的铁磁相互作用.而D4h结构磁矩为零.另一方面,对于中性团簇Mn2Sn17,三种结构都有磁矩,大小分别是2μB,6μB和2μB.其中,Mn原子与Sn原子之间,D2d结构存在弱的反铁磁相互作用而D4h结构主要是弱的铁磁相互作用.D4d结构中的Mn与Sn之间既有弱的铁磁又有弱的反铁磁相互作用.对于两种团簇的负离子[Ni2Sn17]4-和[Mn2Sn17]2-,三种结构都是闭壳层结构,体现为非磁性.

关键词： Ni2Sn17 Mn2Sn17 几何结构电子结构和磁性密度泛函理论

深冷处理对双金属带锯条基体用Rm80钢的影响

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热加工工艺 2000年第1期29卷 25-27页

作者：卢斌易丹青刘沙王斌谭伟石中南工业大学材料科学与工程系湖南长沙410083

研究了深冷处理对Ｒｍ８０钢力学与疲劳性能的影响。结果表明：深冷处理使该钢的力学及疲劳性能普遍提高，尤其以第一次回火后深冷处理具有较好的综合效果。深冷处理过程中马氏体的分解、超微细碳化物的析出以及组织细化是该钢性能得... 详细信息

研究了深冷处理对Ｒｍ８０钢力学与疲劳性能的影响。结果表明：深冷处理使该钢的力学及疲劳性能普遍提高，尤其以第一次回火后深冷处理具有较好的综合效果。深冷处理过程中马氏体的分解、超微细碳化物的析出以及组织细化是该钢性能得以改善的主要原因。

关键词：超高强度钢深冷处理双金属带锯条回火

CaCu_xMn_(3-x)Mn_4O_(12)(x=0.2,0.4,0.6,0.8,1.0,1.2,1.4)的结构及磁电阻效应的研究

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低温与超导 2009年第8期37卷 67-71页

作者：曹辉谭伟石徐跟建河南工业职业技术学院南阳473009 南京理工大学理学院应用物理系南京210094 安徽工程科技学院芜湖241000

利用湿化学反应法制备了CaCuxMn3-xMn4O12(x=0.2,0.4,0.6,0.8,1.0,1.2,1.4)系列材料的前驱体,然后加入10wt%的KCL后,在850℃的纯氧中烧结制成样品。X射线衍射表明,CaCuxMn3-xMn4O12样品呈单相立方结构,空间群Im 3-。研究表明:随掺杂浓度x的增加,晶格常数减小,晶体结构发生畸变,从而直接影响材料的电输运性质。实验表明,样品在5T的外磁场下,随x的增大,样品的磁电阻MR呈现先增大后减小的趋势,在x=1.0时磁电阻达到最大,这可能是晶粒边界处粒子的自旋极化散射和双交换作用共同作用的结果。

关键词：锰氧化物 Rietveld 全谱拟合结构分析磁电阻效应

非化学计量配比La0.67Sr0.33-x□xMnO3的结构和输运性质的研究

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物理学报 2009年第1期58卷 378-383页

作者：徐跟建谭伟石曹辉邓开明吴小山南京理工大学软化学与功能材料教育部重点实验室南京理工大学理学院应用物理系南京210094 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京210093

利用固相反应法制备了非化学计量配比的类钙钛矿锰氧化物La_(0.67)Sr_(0.33-x)□_xMnO_3(0 详细信息

利用固相反应法制备了非化学计量配比的类钙钛矿锰氧化物La_(0.67)Sr_(0.33-x)□_xMnO_3(0

关键词：非化学计量配比锰氧化物 Rietveld全谱拟合结构分析输运性质

笼状Au_(20)内掺M_(13)(M=Fe,Ti)团簇磁性的密度泛函计算研究

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物理学报 2009年第8期58卷 5370-5375页

作者：陈宣彭霞邓开明肖传云胡凤兰谭伟石南京理工大学应用物理系南京210094

采用密度泛函理论中的广义梯度近似方法,对M13(M=Fe,Ti)以及M13内掺Au20团簇的几何结构和磁性进行了计算研究.结果表明:M13和M13内掺Au20团簇的几何结构在0.006—0.05nm误差范围内保持着Ih对称性.Fe13团簇最低能态的总磁矩为44μB,内掺... 详细信息

采用密度泛函理论中的广义梯度近似方法,对M13(M=Fe,Ti)以及M13内掺Au20团簇的几何结构和磁性进行了计算研究.结果表明:M13和M13内掺Au20团簇的几何结构在0.006—0.05nm误差范围内保持着Ih对称性.Fe13团簇最低能态的总磁矩为44μB,内掺到Au20笼中后形成的Fe13内掺Au20团簇的最低能态总磁矩为38μB,且Au原子与内掺Fe13团簇之间存在着弱铁磁相互作用.Ti13团簇在总磁矩为6μB时能量最低,掺入Au20笼后形成的Ti13内掺Au20团簇最低能态总磁矩是4μB,内表面12个Ti原子与表面Au壳之间是弱铁磁相互作用,而与中心Ti原子之间是弱反铁磁相互作用.由于Au20笼状外壳的影响,Fe13内掺Au20和Ti13内掺Au20团簇中Fe13和Ti13的磁矩比无金壳的Fe13和Ti13团簇的磁矩分别减少了6.81μB和2.88μB.

关键词：几何结构磁性密度泛函理论

硼和铟掺杂对Fe_(81)Ga_(19)快淬薄带的微结构、磁致伸缩性能及磁性的影响

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物理化学学报 2016年第7期32卷 1829-1838页

作者：曹梦雄刘昊王海欧张运谭伟石时阳光南京理工大学理学院应用物理系软化学与功能材料教育部重点实验室南京210094 杭州电子科技大学材料物理研究所杭州310018 南京航空航天大学理学院应用物理系南京210093

通过甩带快淬法制备三元合金(Fe_(0.81)Ga_(0.19))_(100-xBx)(Fe-Ga-B)和(Fe_(0.81)Ga_(0.19))_(100-x)In_x(Fe-Ga-In)薄带样品,并对Fe-Ga-B合金样品进行热处理。通过高分辨X射线衍射(HRXRD)和扩展X射线吸收精细结构谱(EXAFS)技术表征薄带的微观结构,利用振动样品磁强计和标准电阻应变仪测量了样品的磁性及饱和磁致伸缩系数。研究表明,有序的L1_2相降低了(Fe_(0.81)Ga_(0.19))_(98)B_2样品的磁致伸缩系数。B原子添加形成的Fe_2B相和modifiedDO_3相有利于提高Fe-Ga合金的磁致伸缩系数。但Fe_2B相的饱和磁化强度小于A_2相,饱和磁场却远大于A_2相,因此随着B含量的增加,Fe-Ga-B薄带的饱和磁化强度逐渐减小,矫顽力逐渐增加。合金中形成的非磁性富In相使得In掺杂Fe-Ga-In合金的磁致伸缩系数和饱和磁化强度均减小。非磁性富In相使晶格产生畸变,减弱了磁弹性效应,并且抑制了磁畴的运动,从而明显地减小了Fe-Ga带材样品的磁致伸缩系数以及饱和磁化强度,提高了Fe-Ga合金的矫顽力。

关键词： Fe-Ga合金磁致伸缩 Fe2B相富In相 EXAFS

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3簿膜的掠入射X射线衍射研究

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核技术 2004年第12期27卷 914-918页

作者：谭伟石蔡宏灵吴小山蒋树声贾全杰郭立平何庆高矩南京理工大学理学院应用物理系南京210094 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京210093 中国科学院高能物理研究所北京100049 香港大学物理系

利用90°离轴射频磁控溅射方法将La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3(LCMO)沉积于(001)取向的SrTiO_3(STO)、MgO和α-Al_2O_3(ALO)单晶基片上,薄膜厚度均为500A。通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO薄膜的横向晶格常数(即面内晶格常数),结合常规X射... 详细信息

利用90°离轴射频磁控溅射方法将La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3(LCMO)沉积于(001)取向的SrTiO_3(STO)、MgO和α-Al_2O_3(ALO)单晶基片上,薄膜厚度均为500A。通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO薄膜的横向晶格常数(即面内晶格常数),结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况。结果表明,LCMO薄膜在MgO和ALO基片上的应变弛豫临界厚度很小,这可能与薄膜—基片之间高的晶格失配率有关。LCMO薄膜的应变弛豫与四方畸变的弛豫可能具有不同的机制。利用掠入射X射线衍射对LCMO薄膜面内生长取向的研究给出了与利用电子显微技术研究相同的结果。

关键词： La07Ca0.3MnO3薄膜掠入射X射线衍射应变弛豫面内晶格常数

调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变

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核技术 2002年第10期25卷 799-804页

作者：谭伟石沙昊沈波蔡宏灵吴小山蒋树声郑文莉贾全杰姜晓明南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京210093 中国科学院高能物理研究所北京100039

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,... 详细信息

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2

关键词：调制掺杂微应变 AlxGa1-x/GaN 异质结构高分辨X射线衍射微结构驰豫线模型半导体材料氮化镓铝