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离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜

材料研究学报 2001年第1期15卷 33-40页

作者：李炜茅东升张福民王曦柳襄怀邹世昌诸玉坤李琼徐静芳中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室华东师范大学

用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（ＦＥＤ）的ＺｎＯ：Ｚｎ荧光薄膜采用ＲＢＳ、ＸＲＤ、ＡＦＭ、Ｈａｌｌ和ＰＬ谱等手段表征了热处理前后的薄膜ＲＢＳ结果表明薄膜中存在一定数量的过量Ｚｎ．沉积态的薄膜中同时含有非晶... 详细信息

用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（ＦＥＤ）的ＺｎＯ：Ｚｎ荧光薄膜采用ＲＢＳ、ＸＲＤ、ＡＦＭ、Ｈａｌｌ和ＰＬ谱等手段表征了热处理前后的薄膜ＲＢＳ结果表明薄膜中存在一定数量的过量Ｚｎ．沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相，其表面形貌表现出多种结构Ｈａｌｌ检测发现，升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度，说明过量Ｚｎ含量的下降；当热处理温度超过４００℃时，Ｈａｌｌ迁移率迅速上升，表明薄膜结晶性能的改善在ＺｎＯ：Ｚｎ薄膜的ＰＬ谱中检测到紫外／紫光、蓝／绿光两组荧光峰，一价氧空位（Ｖｏ）充当了蓝／绿光的发光中心薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大，可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量Ｚｎ的蒸发。

关键词：荧光薄膜热处理光致发光场发射显示器氧化锌离子束溅射

涂布法制备碳纳米管场发射阴极及其性能的研究

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发光学报 2002年第4期23卷 406-408页

作者：冯涛柳襄怀王曦李琼徐静芳诸玉坤中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室上海200050 华东师范大学电子科学与技术系上海200062

碳纳米管（CNT）作为场发射阴极（FEC）具有很好的性能。报导了利用粉末状碳纳米管制作CNT-FEC的方法,包括涂布方法、纯化方法和表面处理方法。主要关心的FEC性能为电子发射均匀性、电流密度和寿命。

关键词：涂布法制备场发射阴极碳纳米管 FEC

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金刚石薄膜电子场发射研究进展

材料导报 1998年第6期12卷 27-31页

作者：茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤周江云范忠李琼徐静芳中国科学院上海冶金所离子束开放实验室中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室上海200050 华东师范大学电子科学技术系上海200062

综述了近年来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展。金刚石薄膜是出色的场发射材料,由于其很低的或者是负的电子亲和势(导带能级位于真空能级之上)和良好的化学稳定性,在真空微电子和场发射显示领域具有广阔的应用前景。

关键词：金刚石薄膜电子场发射性能研究进展制备

界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响

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中国科学（E辑） 1999年第6期29卷 506-511页

作者：茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤范忠周江云李琼徐静芳中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室上海200050 华东师范大学电子科学与技术系上海200062

在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ... 详细信息

在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 .

关键词：非晶金刚石薄膜电子场发射性能界面过渡层

High sp^3 content hydrogen-free amorphous diamond: an excellent electron field emission material

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Science China(Technological Sciences) 1999年第1期42卷 71-76页

作者：茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤李琼徐静芳 Ion Beam Laboratory Shanghai Institute of Metallurgy Chinese Academy of Sciences Shanghai China Department of Electronics Science and Technology East China Normal University Shanghai China

Details are given of a study of the characteristics of field-induced electron emission from hydrogen-free high sp3 content (>90%) amorphous diamond (a-D) film deposited on heavily doped (ρ<0.01ω·cm) n-type monocrystalline Si (111) substrate. It is demonstrated that a-D film has excellent electron field emission properties. The emission current can reach 0.9 μA at applied field as low as 1 V/μm, and the emission current density can be about several mA/cm2 under 20 V/μm. The emission current is stable when the beginning current is at 50 μA within 72 h. Uniform fluorescence display of electron emission from the whole face of the a-D film under the electric field of 10–12 V/μm is also observed. The contribution of excellent electron emission property results from the smooth, uniform, amorphous surface and high sp3 content of the a-D film.

关键词： hydrogen-free amorphous diamond film sp3 electron field emission work function.

Effect of interface layers on electron field emission properties of amorphous diamond films

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Science China(Technological Sciences) 1999年第5期42卷 479-484页

作者：茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤范忠周江云李琼徐静芳 Ion Beam Laboratory Shanghai Institute of Metallurgy Chinese Academy of Sciences Department of Electronics Science and Technology East China Normal University

Hydrogen-free high sp^3 content amorphous diamond (AD) films are deposited on three different substrates——Au-coated Si (Au/Si), Ti-coated Si (Ti/Si) and Si wafers. Electron field emission properties and fluorescent displays of the above AD films are studied by using a sample diode structure. The compositional profile of the interfaces of AD/Ti/Si and AD/Si is examined by using secondary ions mass spectroscopy (SIMS). Because of the reaction and interdiffusion between Ti and C, the formation of a thin TiC intermediate layer is possible between AD film and Ti/Si substrate. The field emission properties of AD/Ti/Si are sufficiently improved, especially its uniformity. A field emission density of 0.352 mA/cm^2 is obtained under an electric field of 19.7 V/μm. The value is much more than that of AD/Au/Si and AD/Si under the same electric field.

关键词： interface layer amorphous diamond films electron field emission properties contact barrier.

类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制

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功能材料与器件学报 2002年第3期8卷 293-296页

作者：冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室上海200050 华东师范大学电子科学与技术系上海200062

采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达... 详细信息

采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。

关键词：类金刚石薄膜阴极阵列场发射显示器

搭接-叠片式箔片气体动压轴承转子动力学特性实验研究

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振动工程学报 2024年第4期37卷 623-631页

作者：管玉坤朱鹏程张振冯凯湖南大学机械与运载工程学院湖南长沙410082 中国航发湖南动力机械研究所湖南株洲412001

本文研制了由搭接式径向轴承和叠片式推力轴承组成的一套搭接-叠片式箔片气体动压轴承,同时设计并搭建了相应的箔片气体动压轴承转子实验台,通过多组转子降速对比实验研究了所提出箔片气体动压轴承的起飞特性,分析了转子不平衡量和外部... 详细信息

本文研制了由搭接式径向轴承和叠片式推力轴承组成的一套搭接-叠片式箔片气体动压轴承,同时设计并搭建了相应的箔片气体动压轴承转子实验台,通过多组转子降速对比实验研究了所提出箔片气体动压轴承的起飞特性,分析了转子不平衡量和外部载荷对该轴承-转子系统的转子动力学影响。起飞实验结果表明,本文所研制的搭接式径向箔片气体动压轴承的起飞转速约为7500 r/min,最大起飞转矩约为220 N·mm。转子降速实验研究结果表明,随着转子不平衡量的增加,转子系统1X频振动幅值逐渐增大、二阶临界转速逐渐降低、次频振动发生频率逐渐提前;随着转子转速的增加,转子系统1X频振动呈现先增大后减小的趋势、次频振动幅值整体逐渐增大;在减小顶箔结构的圆心距后,转子系统稳定性增加。不平衡量与外部载荷加载耦合实验结果表明,不平衡量与外部载荷都会激起系统的次频振动,次频振动幅值随转速升高而增大;并且在激起次频振动方面,不平衡量与外部载荷之间存在着相互放大作用。

关键词：转子动力学气体轴承转子试验台不平衡量外部载荷

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三维可变形圆化多面体离散单元法

岩土力学 2024年第3期45卷 908-916页

作者：毛佳余健坤邵琳玉赵兰浩河海大学水利水电学院江苏南京210098

为真实模拟岩体的变形特性与运动形态,将圆化多面体离散元法与有限单元法结合,提出一种三维可变形圆化多面体离散单元法。该方法既能真实表征块体的不规则特征,又降低了接触判断的难度,同时能准确反映块体的变形特性。在求解切向接触力... 详细信息

为真实模拟岩体的变形特性与运动形态,将圆化多面体离散元法与有限单元法结合,提出一种三维可变形圆化多面体离散单元法。该方法既能真实表征块体的不规则特征,又降低了接触判断的难度,同时能准确反映块体的变形特性。在求解切向接触力时,将接触判断对象从接触对简化为单元整体,显著提高了计算效率。为分析块体变形特性,在块体离散单元内部划分有限元网格,将最外层有限元网格作为最小接触单元。采用直接平均法,将接触力转化为等效节点力,并采用非线性有限单元法实现对单元变形特性的精确模拟,克服了圆化多面体无法反映单元变形的缺陷。通过5个算例论证了新方法在捕捉单元变形、运动形态以及其力学特征等方面的准确性和高效性。

关键词：圆化多面体离散单元法有限元法可变形单元等效节点力