离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜

作     者：李炜 茅东升 张福民 王曦 柳襄怀 邹世昌 诸玉坤 李琼 徐静芳 

作者机构：中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室 华东师范大学 

出 版 物：《材料研究学报》 (Chinese Journal of Materials Research)

年 卷 期：2001年第15卷第1期

页      面：33-40页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：八六三计划新材料领域!863-715-008-0011 国家973规划!G200067207-2 国家自然科学基金!59972 

主　　题：荧光薄膜 热处理 光致发光 场发射显示器 氧化锌 离子束溅射 

摘      要：用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（ＦＥＤ）的ＺｎＯ：Ｚｎ荧光薄膜采用ＲＢＳ、ＸＲＤ、 ＡＦＭ、 Ｈａｌｌ和 ＰＬ谱等手段表征了热处理前后的薄膜 ＲＢＳ结果表明薄膜中存在一定数量的过量 Ｚｎ．沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相，其表面形貌表现出多种结构 Ｈａｌｌ检测发现，升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度，说明过量Ｚｎ含量的下降；当热处理温度超过４００℃时，Ｈａｌｌ迁移率迅速上升，表明薄膜结晶性能的改善在 ＺｎＯ：Ｚｎ薄膜的 ＰＬ谱中检测到紫外／紫光、蓝／绿光两组荧光峰，一价氧空位（Ｖｏ）充当了蓝／绿光的发光中心薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大，可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量 Ｚｎ的蒸发。