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金属氧化物气敏半导体表面受感性能的研究

电子学报 1994年第8期22卷 105-108页

作者：郝丕柱裘南畹山东工业大学

本文提出了用化学反应动力学理论研究半导体统计分布的方法，并用此方法对在气敏材料表面可能产生吸附氧离子Ｏ２－、Ｏ－的几种历程进行了研究，导出了浓度比［Ｏ２－］／［Ｏ－］的公式。然后根据［Ｏ２－］／［Ｏ－］随温度的升高而... 详细信息

本文提出了用化学反应动力学理论研究半导体统计分布的方法，并用此方法对在气敏材料表面可能产生吸附氧离子Ｏ２－、Ｏ－的几种历程进行了研究，导出了浓度比［Ｏ２－］／［Ｏ－］的公式。然后根据［Ｏ２－］／［Ｏ－］随温度的升高而下降的事实，通过对吸附氧离子麦德隆（Ｍａｄｅｌｕｎｇ）势的计算，得出了在完整离子晶体表面上不可能产生氧离子Ｏ－的结论，并讨论了可能产生离子Ｏ－的途径。

关键词：半导体金属氧化物气敏半导体

粉末溅射平面薄膜型SnO_2／CeO_2酒敏传感器

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电子学报 1996年第5期24卷 114-116页

作者：李建明刘文利裘南畹吕红浪山东工业大学数理系济南大学机电系

介绍粉末溅射研制的ＳｎＯ２／ＣｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、温度和掺杂量等关系的研究结果，并根据此结果对平面薄膜型酒敏传感器的工艺和结构进行的设计；介绍所研制器件的一些性能，并对有关问题进行讨论。

关键词：粉末溅射薄膜传感器酒敏二氧化锡二氧化铈

SnO_2/CeO_2表面反应速率方程和分子反应几率

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Chinese Journal of Chemical Physics 2005年第4期18卷 573-576页

作者：于萍宋远锋袁庆华王蕾蕾李建明裘南畹山东大学化学和化工学院济南250061 山东大学纳米薄膜电子功能材料实验室济南250061

介绍了反应温变测试装置原理及其实验规律,利用粉末溅射平面薄膜型SnO2/CeO2酒敏传感器测试了反应温变;并用内插法给出了反应温变随酒气气体浓度变化的规律.对表面反应速率方程进行了推导,并对分子表面反应的几率进行了计算.给出了普遍... 详细信息

介绍了反应温变测试装置原理及其实验规律,利用粉末溅射平面薄膜型SnO2/CeO2酒敏传感器测试了反应温变;并用内插法给出了反应温变随酒气气体浓度变化的规律.对表面反应速率方程进行了推导,并对分子表面反应的几率进行了计算.给出了普遍的反应速率方程,它包括了两种常用的经验公式:双曲线型和幂函数型公式;同时得到了分子反应几率是小的概念,其值一般为10-3～10-5.

关键词：反应温变反应速率反应几率

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新型金属氧化物薄膜气敏元件基材料的开发

山东大学学报（工学版） 2009年第2期39卷 104-107页

作者：田芳张颖欣张礼侯秀萍裘南畹山东大学化学与化工学院山东济南250100 济南半导体实验所山东济南250100 山东大学物理学院山东济南250100

根据电导气敏机理的氧负离子理论,提出制备n型金属氧化物气敏基材料的理论,指出禁带宽度Eg>2 eV的金属氧化物材料都有可能研制薄膜气敏元件,并通过Fe2O3/1 %Sb2O3和TiO2薄膜元件的制备和表征,论证了该理论的正确性.

关键词：金属氧化物薄膜气敏元件基材料

ZnO薄膜气敏元件的反应温变和表面反应速率方程

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传感技术学报 2007年第8期20卷 1723-1726页

作者：李长庆邢建平黄少艳徐勇裘南畹山东大学信息科学与工程学院济南250100 山东大学水电中心济南250100 山东大学纳米薄膜电子功能材料实验室济南250061

提出了一种研究气敏元件和材料反应温变的方法和实验装置;给出了反应温变Δtrea随气体浓度C变化的规律;给出了反应放热率Prea与反应温变Δtrea的关系式;得到了表面反应的速率方程一般形式,它包括了目前常用的两种经验公式:双曲线型和幂... 详细信息

提出了一种研究气敏元件和材料反应温变的方法和实验装置;给出了反应温变Δtrea随气体浓度C变化的规律;给出了反应放热率Prea与反应温变Δtrea的关系式;得到了表面反应的速率方程一般形式,它包括了目前常用的两种经验公式:双曲线型和幂函数型.

关键词： ZnO 薄膜反应温变表面速率方程

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采用粉末溅射的薄膜型气敏元件与测试特性

电子元件与材料 2004年第12期23卷 47-50页

作者：邢建平蔡成森滕丽丽袁庆华裘南畹山东大学信息科学与工程学院山东济南250100 山东大学物理与微电子学院山东济南250100

利用粉末溅射,研究了SnO2/CeO2微型平面薄膜.结果表明:薄膜最佳掺杂范围(5%-20%)、最佳灵敏度膜厚(150 nm)、响应时间与恢复时间随膜厚变化遵循次方定律;制备出稳定性好的气敏元件,灵敏度S为20-80,对航空汽油气选择性Sl为8-20,响应时间... 详细信息

利用粉末溅射,研究了SnO2/CeO2微型平面薄膜.结果表明:薄膜最佳掺杂范围(5%-20%)、最佳灵敏度膜厚(150 nm)、响应时间与恢复时间随膜厚变化遵循次方定律;制备出稳定性好的气敏元件,灵敏度S为20-80,对航空汽油气选择性Sl为8-20,响应时间τs<10 s,恢复时间τc<15 s.并对影响灵敏度测试的条件,例如测试电压、湿度影响、反应温变等进行了分析.

关键词：电子技术粉末溅射薄膜气敏元件测试特性

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原子序数的发现

山东大学学报(工学版) 1987年第1期 95-97页

作者：裘南畹黄玉成山东工业大学基础课教学部

原子序数Z就是元素在元素周期表中所在位置的号数,它是原子的一个基本参数。它的含义是原子中的电子数(也是原子核的电荷数)。原子序数在确定原子、分子结构,研究物质的电学、磁学、光学等性质的理论中有着重要的作用,它推动了二十世纪... 详细信息

原子序数Z就是元素在元素周期表中所在位置的号数,它是原子的一个基本参数。它的含义是原子中的电子数(也是原子核的电荷数)。原子序数在确定原子、分子结构,研究物质的电学、磁学、光学等性质的理论中有着重要的作用,它推动了二十世纪现代科学大发

关键词：原子序数含义明确核电荷数摩斯原子量表元素周期表

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ZnO多孔陶瓷气敏电导的渗流模型

山东工业大学学报 1989年第2期19卷 51-57页

作者：赵超李建明裘南畹山东工业大学基础课教学部

在AET(Adsorption Effect Transistor)模型的基础上引入渗流模型,建立了对多孔陶瓷气敏材料电导进行数量估算的理论方法,并通过ZnO材料气敏电导的计算,对电阻随气体浓度变化的次方定律提出了更合理的解释。渗流模型对多孔陶瓷气敏电导... 详细信息

在AET(Adsorption Effect Transistor)模型的基础上引入渗流模型,建立了对多孔陶瓷气敏材料电导进行数量估算的理论方法,并通过ZnO材料气敏电导的计算,对电阻随气体浓度变化的次方定律提出了更合理的解释。渗流模型对多孔陶瓷气敏电导具有更大的合理性,AET模型可作为渗流模型的特例。计算结果与现有的实验结果一致。

关键词：气敏电导陶瓷半导体渗流模型

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粉末溅射SnO_2-Pt薄膜的气敏特性

山东工业大学学报 1992年第4期22卷 10-15,9页

作者：刘文利李建明裘南畹山东工业大学基础课教学部

用粉末溅射方法制备了体添加型SnO_2-Pt薄膜材料。该材料不仅对CO气体有很高的灵敏度、良好的选择性和较低的工作温度,而且其电导在CO气体中有振荡现象。振荡波形除锯齿形、简谐波形外,还出现了“拍振”等更为复杂的波形,振荡频率可达5.... 详细信息

用粉末溅射方法制备了体添加型SnO_2-Pt薄膜材料。该材料不仅对CO气体有很高的灵敏度、良好的选择性和较低的工作温度,而且其电导在CO气体中有振荡现象。振荡波形除锯齿形、简谐波形外,还出现了“拍振”等更为复杂的波形,振荡频率可达5.2Hz。

关键词：气敏器件薄膜性质半导体膜溅射