新型金属氧化物薄膜气敏元件基材料的开发
New basic materials development of a metal-oxide thin film gas sensor作者机构：山东大学化学与化工学院山东济南250100 济南半导体实验所山东济南250100 山东大学物理学院山东济南250100
出 版 物：《山东大学学报（工学版）》 (Journal of Shandong University（Engineering Science）)
年 卷 期：2009年第39卷第2期
页 面：104-107页
学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家自然科学基金资助项目(60372030) 山东省火炬计划资助项目(111600/04040214)
摘 要：根据电导气敏机理的氧负离子理论,提出制备n型金属氧化物气敏基材料的理论,指出禁带宽度Eg2 eV的金属氧化物材料都有可能研制薄膜气敏元件,并通过Fe2O3/1 %Sb2O3和TiO2薄膜元件的制备和表征,论证了该理论的正确性.
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