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《戊戌变法》教学计划

历史教学(下半月刊) 1981年第11期 58-60页

作者：蒋书文上海市五四中学

前言十九世纪末,甲午中日战争以后,帝国主义掀起瓜分中国的狂潮,民族危机空前严重.中国人民为了挽救民族危机,抵抗帝国主义的侵略,摆脱封建主义的束缚,先后出现了三种政治力量,领导了不同形式的斗争:(一)以康有为为代表的资产阶级维新... 详细信息

前言十九世纪末,甲午中日战争以后,帝国主义掀起瓜分中国的狂潮,民族危机空前严重.中国人民为了挽救民族危机,抵抗帝国主义的侵略,摆脱封建主义的束缚,先后出现了三种政治力量,领导了不同形式的斗争:(一)以康有为为代表的资产阶级维新派倡导的资产阶级改革运动——戊戌变法;(二)以农民为主体的群众性的反帝爱国运动——义和团运动;(三)以孙中山为代表的资产阶级革命派领导的资产阶级革命运动——辛亥革命.1895年甲午战争失败,使洋务派三十余年的"富强"设想,被打得粉碎.随着中国民族资本主义的初步发展,资产阶级维新派登上了历史舞台,把酝酿已久的"变法自强"的社会思潮,推向维新变法的政治运动.教学目的使学生认识:(一)在中国资本主义初步发展和民族危机日益严重的形势下,资产阶级维新思想

关键词：百日维新变法自强社会思潮《天演论》严复维新派顽固派维新思想政治运动民族资产阶级维新变法运动民族资本主义戊戌变法

[(BaTiO_3)_m/(SrTiO_3)_m]_n超晶格生长的RHEED实时研究

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压电与声光 2005年第2期27卷 178-181页

作者：魏雄邦姜斌李燕邓宏蒋书文张鹰姚海军电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054

利用反射高能电子衍射(RHEED),研究了在SrTiO3(100)基片上采用激光分子束外延法生长的[(Ba-TiO3)m/(SrTiO3)m]n超晶格薄膜的生长特性。观察到清晰明亮的反射高能电子衍射花样及富有周期性的RHEED振荡曲线,制备的超晶格呈现良好的结晶层... 详细信息

利用反射高能电子衍射(RHEED),研究了在SrTiO3(100)基片上采用激光分子束外延法生长的[(Ba-TiO3)m/(SrTiO3)m]n超晶格薄膜的生长特性。观察到清晰明亮的反射高能电子衍射花样及富有周期性的RHEED振荡曲线,制备的超晶格呈现良好的结晶层状外延生长,薄膜表面及界面的平整度很好。

关键词：反射高能电子衍射(RHEED) 超晶格外延生长

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谈新会计制度实施中的问题及对策

吉林工商学院学报 1996年第3期18卷 22-24页

作者：蒋书文

新会计制度中存在的问题,直接影响会计信息质量.坏帐准备提取的基数应为“应收帐款”的余额,而“应收票据”和“予付帐款”不在其列.产品销售收入入帐时间应按收付实现制原则来确认.会计信息的可比性是会计基本原则之一,企业间应按统一... 详细信息

新会计制度中存在的问题,直接影响会计信息质量.坏帐准备提取的基数应为“应收帐款”的余额,而“应收票据”和“予付帐款”不在其列.产品销售收入入帐时间应按收付实现制原则来确认.会计信息的可比性是会计基本原则之一,企业间应按统一的原则、程序、方法进行会计处理.非生产用无形资产其摊销的价值应计入期间费用;而生产用无形资产则不应计入期间费用.资产评估中的增值或减值都应计入资本公积.

关键词：会计制度坏帐准备应收帐款应收票据预付帐款资产负债表应收帐款净额会计信息无形资产

快速热处理对(Ba,Sr)TiO_3薄膜晶化行为的影响

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材料导报 2006年第11期20卷 115-118页

作者：张勤勇蒋书文李言荣电子科技大学微电子与固体电子学院

采用射频溅射法在Si(111)基片上制备了(Ba,Sr)TiO3(BST)薄膜,并对制备的薄膜进行了快速退火热处理。采用X射线衍射和原子力显微镜分析了退火温度、退火时间和加热速度对BST薄膜晶化行为的影响。研究结果表明,BST薄膜的晶化行为强烈依赖... 详细信息

采用射频溅射法在Si(111)基片上制备了(Ba,Sr)TiO3(BST)薄膜,并对制备的薄膜进行了快速退火热处理。采用X射线衍射和原子力显微镜分析了退火温度、退火时间和加热速度对BST薄膜晶化行为的影响。研究结果表明,BST薄膜的晶化行为强烈依赖于退火温度、退火时间和加热速度。BST薄膜的结晶度随退火温度的升高而提高。适当的热处理可降低BST薄膜的表面粗糙度,BST薄膜的表面粗糙度随退火温度的升高经历了一个先降低后增大的过程,但退火后BST薄膜的表面粗糙度都小于制备态薄膜的表面粗糙度。BST薄膜的晶粒尺寸随退火温度的升高经历了一个先增大后减小的过程。随退火时间的延长,BST薄膜的特征衍射峰越来越强,薄膜的晶化程度越来越高。随退火时间的延长,BST薄膜的晶粒尺寸和表面粗糙度也经历了一个先增大后减小的过程。BST薄膜的晶粒大小主要由退火温度决定。高的升温速率可获得较小的晶粒。

关键词： (Ba,Sr)TiO3薄膜晶化快速退火热处理 XRD AFM

Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7/Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3复合薄膜介电性能的频率特性研究

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电子元件与材料 2013年第6期32卷 26-30页

作者：李汝冠高莉彬蒋书文电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

采用射频磁控溅射法在蓝宝石基片上制备了Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)/Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)双层复合薄膜,并研究了该薄膜在100 kHz^6 GHz频率范围内的介电性能。研究结果表明,BZN/BST复合薄膜的介电性能具有良好的频率稳定性。该复合薄膜的... 详细信息

采用射频磁控溅射法在蓝宝石基片上制备了Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)/Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)双层复合薄膜,并研究了该薄膜在100 kHz^6 GHz频率范围内的介电性能。研究结果表明,BZN/BST复合薄膜的介电性能具有良好的频率稳定性。该复合薄膜的介电常数在研究的频率范围内基本与频率无关;其介电损耗在频率低于1 GHz时与频率无关,在频率高于1 GHz时随频率的上升而略微增大;薄膜在研究的频率范围内具有稳定的介电调谐率。

关键词：频率特性介电调谐介电损耗介电常数铌酸锌铋(BZN) 钛酸锶钡(BST)

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Pd-Cr薄膜应变计的研制

仪表技术与传感器 2014年第10期 105-107页

作者：周勇李超宋阳蒋书文电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

采用射频磁控溅射法在镍基高温合金拉伸件上制备Pd-Cr薄膜应变计.研究了800℃大气退火对Pd-Cr薄膜结构、表面形貌、方决电阻的影响,并且测试了Pd-Cr薄膜应变计的电学及应变性能.结果表明：Pd-Cr薄膜是一种结构为面心立方的单相材料.800... 详细信息

采用射频磁控溅射法在镍基高温合金拉伸件上制备Pd-Cr薄膜应变计.研究了800℃大气退火对Pd-Cr薄膜结构、表面形貌、方决电阻的影响,并且测试了Pd-Cr薄膜应变计的电学及应变性能.结果表明：Pd-Cr薄膜是一种结构为面心立方的单相材料.800℃大气退火后,Pd-Cr薄膜表面生成一层致密的Cr2O3,且薄膜方阻减小.在20～400℃范围内,应变计电阻同温度呈线性变化,电阻温度系数（TCR）约为230 ～ 260 ppm/℃.室温和300℃下的灵敏系数（GF）分别为1.97和2.63.

关键词：磁控溅射 Pd—Cr 薄膜应变计灵敏系数电阻温度系数

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低维材料的研究

材料导报 2004年第3期18卷 9-12页

作者：李燕姜斌邓宏蒋书文周晓燕电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054

主要论述了低维材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一维量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO_3/SrTiO_3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光... 详细信息

主要论述了低维材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一维量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO_3/SrTiO_3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一维ZnO量子线;描述了低维材料的发展前景。

关键词：低维材料制备工艺介质超晶格金属超晶格氧化锌量子线纳米材料

溅射气压对Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜结构及介电性能的影响

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电子元件与材料 2011年第11期30卷 12-15页

作者：黎彬赵华杨天应蒋书文电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺... 详细信息

采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大。薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大。且随着溅射气压的升高,薄膜中各元素含量逐渐接近理论值。在基片温度为675℃,溅射气压为5 Pa,体积比??(O2:Ar)为15:85的条件下制备得到的BMN薄膜在1.6×106 V/cm外加电场下的介电调谐率为26%,介质损耗约0.8%;在5.0×105 V/cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10–8 A/cm2。

关键词：铌酸铋镁(BMN)薄膜射频磁控溅射介电调谐率介质损耗

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基于钛酸锶钡变容管的可调匹配网络

电子元件与材料 2010年第12期29卷 34-36页

作者：陈湘亮蒋书文姜斌王元电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

采用钛酸锶钡(BST)薄膜变容管作为可调电容元件,在LaAlO3基片上采用微细加工技术制备了共面波导结构的C-L-Cπ型可调匹配网络。仿真及测试结果表明,通过在BST薄膜变容管上施加直流偏置电压对BST变容管的电容进行调节,可以在740～770 MH... 详细信息

采用钛酸锶钡(BST)薄膜变容管作为可调电容元件,在LaAlO3基片上采用微细加工技术制备了共面波导结构的C-L-Cπ型可调匹配网络。仿真及测试结果表明,通过在BST薄膜变容管上施加直流偏置电压对BST变容管的电容进行调节,可以在740～770 MHz频率范围内,实现该匹配网络与终端负载之间良好的阻抗匹配。其中,在760 MHz时测得的匹配网络的反射系数S11达到–45.8 dB。

关键词：可调匹配网络 π型匹配网络 BST薄膜变容管