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热处理CZ—Si中氧化物沉淀早期发展的研究
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Journal of Semiconductors 1993年 第2期14卷 111-117+134页
作者： 栾洪发 肖治纲 柯俊 北京 100083 北京 100084 北京科技大学材料物理系 北京科技大学材料物理系 北京 100083 清华大学微电子学研究所
本文利用TEM研究了850℃热处理直拉硅单晶中的氧化物沉淀行为。通过不同预处理样品的对比,得出点状沉淀是片状沉淀前身的结论。
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稀土铁铬铝合金的高温氧化TEM研究
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北京科技大学学报 1993年 第4期15卷 408-413页
作者： 杜国维 袁之良 肖治纲 北京科技大学材料物理系
通过透射电镜对Fe-25％Cr-6％Al-RE(富镧)合金氧化行为进行研究.结果表明:经1200℃恒温2h纯氧中氧化,合金中镧以六方La_2O_3微小颗粒沉淀在氧化膜中α—Al_2O_3晶粒的顶端及晶界上。它们阻碍铝向表面扩散,抑制氧化膜的侧向生长;在1200℃... 详细信息
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Si衬底上Co薄膜氧化观察
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金属学报 1994年 第18期 270-272页
作者： 张灶利 肖治纲 杜国维 北京科技大学
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．
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Si衬底上Co薄膜氧化观察
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金属学报 1994年 第6期30卷 B270-B272页
作者： 张灶利 肖治纲 杜国维 北京科技大学
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．
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Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察
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金属学报 1995年 第4期31卷 B179-B182页
作者： 张灶利 肖治纲 杜国维 北京科技大学 北京科技大学材料物理系
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．
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Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察
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金属学报 1995年 第16期 179-182页
作者： 张灶利 肖治纲 杜国维 北京科技大学 北京科技大学材料物理系
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．ＣｏＳｉ相和基体无取向关系Ｃｏ／Ｓｉ界面在退火温度范围内的相变过程... 详细信息
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共沉淀法合成铌镁酸铅──钛酸铅介电陶瓷粉末
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北京科技大学学报 1995年 第5期17卷 472-475页
作者： 陈伟 杜国维 马肇曾 肖治纲 裘宝琴 北京科技大学材料物理系 北京科技大学材料化学系
通过共沉淀法合成铌镁酸铅－钛酸铅介电陶瓷粉末，经８００℃焙烧后，Ｘ射线衍射研究表明几乎为单一钙钛矿相；经１０００℃烧结的陶瓷片其密度达到理论值的９６．７７％，２０℃介电常数可达２０９４０。
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热处理CZ-Si中新施主与氧沉淀产物的对应关系
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物理学报 1989年 第11期38卷 1727-1732页
作者： 李家全 肖治纲 柯俊 北京科技大学材料物理系
本文利用霍耳测量、红外测量及透射电子显微镜等手段,对热处理CZ-Si中的新施主及氧沉淀进行了研究。常规电子显微镜(TEM)结果表明,经650—750℃热处理的CZ-Si中主要形成点状及杆状缺陷。新施主的形成与点状缺陷关系密切。根据高分辨电... 详细信息
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Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察
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Journal of Semiconductors 1996年 第4期17卷 265-268页
作者： 张灶利 翟启华 纪箴 肖治纲 杜国维 北京科技大学材料物理系
本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应．结果表明：在氩气氛下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物形成，而在... 详细信息
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湿化学法合成铌镁酸铅陶瓷微观结构
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北京科技大学学报 1997年 第4期19卷 378-381页
作者： 张文林 杜国维 肖治纲 马肇曾 林实 北京科技大学应用科学学院 北京100083
用湿化学法合成钥镁酸铅陶瓷．用X射线（XRD、扫描电镜（SEW和透射电镜（TEM）技术，研究陶瓷的微观结构．结果表明：湿化学法可合成纯钙钛矿相的钥镁酸铅陶瓷；陶瓷在850～920℃烧结，晶粒大小为150～200nm，细小焦绿石相出现并分布在... 详细信息
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