Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察
OBSERVATION OF CoSi PHASE TRANSFORMATION IN Co FILM作者机构：北京科技大学 北京科技大学材料物理系
出 版 物：《金属学报》 (Acta Metallurgica Sinica)
年 卷 期：1995年第16期
页 面：179-182页
核心收录：
学科分类：081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术]
摘 要：Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．ＣｏＳｉ相和基体无取向关系Ｃｏ／Ｓｉ界面在退火温度范围内的相变过程为：２５０─４５０℃４５０─５００℃Ｃｏ２Ｓｉ＋Ｃｏｓｉ─→ＣＯＳｉ─→Ｃｏｓｉ＋ＣｏＳｉ２
同方期刊数据库