检索结果-南通市图书馆

0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系

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核电子学与探测技术 2010年第8期30卷 1031-1036页

作者：唐威刘佑宝耿增建吴龙胜西安微电子技术研究所西安710054

研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相... 详细信息

研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相关,进而对器件产生不同的影响。模拟结果表明,器件在关态偏置下,背沟道附近陷获电荷密度最高,引起的阈值电压负向漂移和泄漏电流最大,即该偏置状态为浮体器件抗总剂量辐射的最劣偏置状态。

关键词： SOI 抗总剂量辐射部分耗尽俘获电荷背沟道反型

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一种低噪声高纹波抑制比的LDO设计

微电子学与计算机 2018年第10期35卷 89-92,98页

作者：黄松姜洪雨刘智耿增建西安微电子技术研究所陕西西安710119

提出了一种低噪声高电源纹波抑制比(PSR)的低压差线性稳压器(LDO).该低压差线性稳压器通过提高带隙基准和误差放大器的噪声抑制性能以及PSR性能以达到提高LDO性能的目的.在0.6μm BiCMOS工艺下进行了流片验证,测试结果表明,当负载电流为... 详细信息

提出了一种低噪声高电源纹波抑制比(PSR)的低压差线性稳压器(LDO).该低压差线性稳压器通过提高带隙基准和误差放大器的噪声抑制性能以及PSR性能以达到提高LDO性能的目的.在0.6μm BiCMOS工艺下进行了流片验证,测试结果表明,当负载电流为100mA时,100Hz电源纹波抑制比为75dB;10kHz时电源纹波抑制比为72dB.输出噪声电压(100Hz^100KHz)为15μVRMS.

关键词：低压差线性稳压器噪声电源纹波抑制比

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悬臂梁式硅微加速度计的研制

电子元件与材料 2005年第5期24卷 17-20页

作者：单光宝阮晓明姚军耿增建西安微电子技术研究所陕西西安710054

介绍一种悬臂梁式硅微加速度计的结构与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟。采用体硅“无掩膜”腐蚀技术,对设计出的敏感芯片进行了工艺试制。通过合理的设计,使挠性梁腐蚀区域侧面上产生(311)面,通过控制所产生的(311)面对(111)... 详细信息

介绍一种悬臂梁式硅微加速度计的结构与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟。采用体硅“无掩膜”腐蚀技术,对设计出的敏感芯片进行了工艺试制。通过合理的设计,使挠性梁腐蚀区域侧面上产生(311)面,通过控制所产生的(311)面对(111)面的侵削作用,获得了所需结构。为提高灵敏度和线性,该加速度计采用静电力反馈闭环控制方式,检测与处理电路采用高精度双极线性电路工艺进行了工艺流片。利用多芯片组装工艺进行了敏感芯片与一次集成的检测和处理电路的混合封装。经测试硅微加速度计性能为量程±50g,分辨率3×10–3g,非线性<5×10–4,质量为9.6g。

关键词：电子技术 MEMS 硅微加速度计 “无掩膜”腐蚀多芯片组装

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高可靠性DC/DC变换器的研制

电力电子 2003年第1期1卷 15-17,9页

作者：湾福样耿增建航天科技集团西安微电子技术研究所西安710054

阐述了高可靠性、低纹波、双路独立输出DC/DC变换器的方案选择、电路设计、可靠性设计及研制结果。其性能指标达到国际先进水平。

关键词： DC/DC变换器双路独立输出混合集成

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美国的抗辐射加固技术

航天出国考察技术报告 1992年第1期 168-171,177页

作者：耿增建许署明

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VDMOS器件单粒子加固技术研究

VDMOS器件单粒子加固技术研究

第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：王小荷黄玉文耿增建西安微电子技术研究所

本文主要结合功率VDMOS器件单粒子效应的损伤机理,进行了VDMOS器件结构和工艺技术的加固研究,研制出了加固样品,并通过地面模拟试验源的辐照试验,对样品进行了单粒子效应敏感度测试评估。试验结果表明,经加固的器件样品其抗单粒子效应... 详细信息

本文主要结合功率VDMOS器件单粒子效应的损伤机理,进行了VDMOS器件结构和工艺技术的加固研究,研制出了加固样品,并通过地面模拟试验源的辐照试验,对样品进行了单粒子效应敏感度测试评估。试验结果表明,经加固的器件样品其抗单粒子效应能力有了明显提高。

关键词：单粒子烧毁（SEB）单粒子栅穿（SEGR）复合栅工艺辐照模拟试验

来源： cnki会议评论

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多功能vvI型心脏起搏器电路

中国医疗器械杂志 1985年第3期 25-29页

作者：庞天踢耿增建黄诒焯西安医学院医学电子工程研究室

本文介绍用反拗期,强干扰复转脉冲能量补偿,奔放保护和脉冲频率指示电池电压等方法,提高VVI型心脏起搏器电路的工作可靠性。

关键词：起搏脉冲脉冲频率起搏频率心脏起搏器 vvI 导管电极起搏电极不应期反拗期

高性能快速启动CMOS带隙基准及过温保护电路

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科学技术与工程 2008年第21期8卷 5812-5816页

作者：季轻舟耿增建西安微电子技术研究所西安710054

设计了一种新颖的具有快速启动的高性能CMOS带隙基准,利用PN结正向导通压降具有负温度系数,偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数,实现了过温保护。采用上华0.5μm的CMOS工艺模型进行设计和仿真,Cadence spectre模拟结果表明带隙基准... 详细信息

设计了一种新颖的具有快速启动的高性能CMOS带隙基准,利用PN结正向导通压降具有负温度系数,偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数,实现了过温保护。采用上华0.5μm的CMOS工艺模型进行设计和仿真,Cadence spectre模拟结果表明带隙基准电压为1.242 V。该电路温度系数低,电源抑制比高,启动速度快(启动时间仅10μs),过温保护性能良好。

关键词：带隙基准快速启动过温保护电源抑制比

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5—4 心脏起搏用在阈值的自动测定

中国医学物理学杂志 1987年第Z1期 41-42页

作者：许淑花耿增建西安医科大学

本文介绍一种为按需起搏器设计的自动测量起搏阈值的附加电路,若将这种电路配装在埋藏式按需起搏器中,就可以通过体表心电图测量起搏阈值,方法简单,可靠,方便,准确。该电路是由脉冲发生电路、阶梯脉冲形成电路及输出电路三部分组成。当... 详细信息

本文介绍一种为按需起搏器设计的自动测量起搏阈值的附加电路,若将这种电路配装在埋藏式按需起搏器中,就可以通过体表心电图测量起搏阈值,方法简单,可靠,方便,准确。该电路是由脉冲发生电路、阶梯脉冲形成电路及输出电路三部分组成。当测量起搏阈值时,使用一块磁铁,通过电路内设置的干簧开关,使按需型起搏器电路与电源断开,而测量电路与电源接通,此时,测量电路开始工作。该电路所给出的测试脉冲顺

关键词：阶梯脉冲按需起搏器测量电路