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基于Flash的开放式网上教学系统设计

计算机应用 2002年第9期22卷 68-70页

作者：罗晋华华中科技大学现代教育技术中心湖北武汉430074

文中运用Flash的分层结构和与外部文件的参数传递等特性 ,结合网上教学的需要 ,从降低课件制作难度 ,扩大教师创作空间 ,提高课件维护性能 ,方便统一管理 ,保障安全运行等几个方面考虑 ,设计了一系列实用的网上教学模块 ,提出了基于Flas... 详细信息

文中运用Flash的分层结构和与外部文件的参数传递等特性 ,结合网上教学的需要 ,从降低课件制作难度 ,扩大教师创作空间 ,提高课件维护性能 ,方便统一管理 ,保障安全运行等几个方面考虑 ,设计了一系列实用的网上教学模块 ,提出了基于Flash的多媒体网络教学开放式模板创作方法。

关键词： Flash 开放式网上教学系统设计多媒体网络教学教学模板远程教育

TiSi_x/GaAs肖特基接触的退火特性

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Journal of Semiconductors 1991年第2期12卷 114-119页

作者：钱鹤罗晋生西安交通大学微电子研究室西安710049

本文对用分层电子束蒸发法形成的TiSi_x/GaAs的肖特基接触特性进行了研究,分析了不同组分下经快速退火和常规退火后TiSi_x的电阻率,与GaAs接触界面的热稳定性,化学稳定性及所形成肖特基结的电特性.结果表明:TiSi_21/GaAs界面在975℃、1... 详细信息

本文对用分层电子束蒸发法形成的TiSi_x/GaAs的肖特基接触特性进行了研究,分析了不同组分下经快速退火和常规退火后TiSi_x的电阻率,与GaAs接触界面的热稳定性,化学稳定性及所形成肖特基结的电特性.结果表明:TiSi_21/GaAs界面在975℃、12秒快速退火下表现出好的热稳定性和化学稳定性,所形成的肖特基接触具有良好的电特性,在800℃、20分钟的常规退火下,界面处有Ti的堆积和某种界面化学反应.对于快速退火工艺,TiSi_2可满足作为自对准 GaAs MESFET栅极材料所要求的界面稳定性.

关键词：砷化镓 GaAs 肖特基接触退火

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论深化高等教育的跨世纪改革

毛泽东邓小平理论研究 2001年第2期 62-66,82页

作者：罗晋辉上海大学高等教育研究所

党的十一届三中全会以来,特别是在世纪之交,我国高等学校在邓小平教育思想指引下,顺应时代潮流,借鉴外国经验,改革的步伐不断加快,取得了很大的发展.但是,初见端倪的知识经济,已把教育对民族兴衰存亡的决定作用充分凸现了出来,而我国高... 详细信息

党的十一届三中全会以来,特别是在世纪之交,我国高等学校在邓小平教育思想指引下,顺应时代潮流,借鉴外国经验,改革的步伐不断加快,取得了很大的发展.但是,初见端倪的知识经济,已把教育对民族兴衰存亡的决定作用充分凸现了出来,而我国高等教育的现实状况还难以适应这一历史趋势,进一步深化改革是我国高等教育当前一项十分紧迫的任务.笔者拟就此问题谈些看法.

关键词：高等教育教育改革教育观念办学体制教育资源教育结构

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自主择业军队转业干部管理服务工作研究

自主择业军队转业干部管理服务工作研究

作者：罗晋云南大学

学位级别：硕士

从2001年国家颁布施行自主择业安置政策以来,全国已有10余万名军队转业干部选择了自主择业的安置方式,管理服务工作任务日益繁重,各级管理服务部门在制度和机构建设等方面进行了大胆的探索,取得了一定的成绩,但自主择业军转干部的管理... 详细信息

从2001年国家颁布施行自主择业安置政策以来,全国已有10余万名军队转业干部选择了自主择业的安置方式,管理服务工作任务日益繁重,各级管理服务部门在制度和机构建设等方面进行了大胆的探索,取得了一定的成绩,但自主择业军转干部的管理服务工作仍然存在一些问题。笔者在自主择业军转干部管理服务工作岗位工作多年,结合公共管理理论,对出现的问题进行深入剖析,对如何解决问题进行细致研究,并提出自己的对策。本文通过回顾军队转业干部安置的历史,对当前自主择业军队转业干部管理服务工作中的安置政策不完善、管理服务部门功能薄弱、现代信息技术手段缺乏以及军转干部自主择业期望值与社会实际供给相差较大等问题进行分析,总结了制度建设与社会经济发展不相适应、政策运行过程中缺少有效的政策评估、管理服务部门的服务职能没有发挥以及自主择业军转干部在待安置期内缺乏援助等产生问题的原因。综合运用公共政策、服务型政府、电子政务等公共理论,并借鉴国内外军官退役安置的有关情况及研究成果,提出了改进自主择业安置政策、构建服务型的管理服务部门、加强电子政务的建设和运用、制定有效的待安置期过渡计划以及政府购买服务及社会组织的介入等几点对策,以期望提高自主择业军转干部管理服务工作的水平。

关键词：自主择业军转干部管理服务

同方学位论文库评论

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书院若干问题辨析

学术月刊 1996年第5期28卷 88-94页

作者：罗晋辉上海大学

书院作为一种教育形式,在我国封建社会存在达千年之久,在中外教育史上的地位是不可抹杀的。书院产生于何时?突出的特点有哪些?属于哪一教育层次,性质是什么?这些问题在一些史书文献上作了回答。笔者说些不同看法,请教学术界专家与同仁。

关键词：白鹿洞书院问题辨析基础教育司云南人民出版社人民教育出版社中国教育朱熹稷下之学东林书院书院教学

血栓弹力图对高血压脑出血疾病严重程度的预测价值

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中国医药指南 2025年第1期23卷 36-38页

作者：李任翔陈宇梁始亮夏俊标温丰榕肇庆市高要区人民医院神经外科广东肇庆526000 肇庆医学高等专科学校护理学院广东肇庆526000

目的探讨血栓弹力图对高血压脑出血疾病严重程度的预测价值。方法以2022年7月至2023年7月于肇庆市高要区人民医院治疗的33例高血压脑出血患者为研究对象(疾病组),采用格拉斯哥昏迷量表(GCS)评估高血压脑出血患者的疾病严重程度(轻度,20... 详细信息

目的探讨血栓弹力图对高血压脑出血疾病严重程度的预测价值。方法以2022年7月至2023年7月于肇庆市高要区人民医院治疗的33例高血压脑出血患者为研究对象(疾病组),采用格拉斯哥昏迷量表(GCS)评估高血压脑出血患者的疾病严重程度(轻度,20例;中度,8例;重度,5例),选取同期于本院进行健康体检的33例志愿者为参照对象(对照组),均进行血栓弹力图检测,统计各项参数并进行相关性分析。结果疾病组的指标是凝血反应时间(R值)、凝血形成时间(K值)均大于对照组,反映血凝块形成速率(Angle)、血栓最大幅度(MA)、凝血综合指数(CI)均小于对照组(均P1),Angle、MA、CI与严重程度负相关(OR<1)。结论血栓弹力图可用于预测高血压脑出血疾病严重程度。

关键词：高血压脑出血血栓弹力图格拉斯哥昏迷量表严重程度

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6H-SiC MOS场效应晶体管的研制

固体电子学研究与进展 2000年第1期20卷 1-6页

作者：张玉明张义门罗晋生西安电子科技大学微电子所 710071 西安交通大学微电子工程系 710049

报道了多晶硅栅 6 H- Si C MOS场效应器件的制造工艺和器件性能。 6 H- Si C氧化层的SIMS分析说明在氧化过程中 ,多余的 C以 CO的形式释放 ,铝元素逸出极少 ,氧化层中因有较多的铝而正电荷密度较大 ,Si C的氧化速率和掺杂类型关系不大... 详细信息

报道了多晶硅栅 6 H- Si C MOS场效应器件的制造工艺和器件性能。 6 H- Si C氧化层的SIMS分析说明在氧化过程中 ,多余的 C以 CO的形式释放 ,铝元素逸出极少 ,氧化层中因有较多的铝而正电荷密度较大 ,Si C的氧化速率和掺杂类型关系不大。器件漏电流都有很好的饱和特性 ,最大跨导为 0 .36 m S/ mm ,沟道电子迁移率约为 14cm2 / V.s,但串联电阻效应明显。

关键词：碳化硅场效应晶体管 MOS