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高压JTE终端边界元电场分析

BEM Analysis of Electric Field in High-voltage JTE

作     者:梁苏军 唐本奇 武自录 罗晋生 

作者机构:西安交通大学微电子工程系710049 

出 版 物:《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期:1998年第18卷第1期

页      面:79-85页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金 

主  题:数值分析 边界元 结终端技术 高压功率器件 

摘      要:在半导体高压终端研究中,重要的工作之一是终端电场电位分析。国内外以往报道的JTE分析结果除采用解析方法外,数值方法主要采用差分或有限元法。作者利用边界元数值技术,采用“边界元临界电场分析法,用自主开发的统一的边界元终端分析软件,从新的角度,以单区、双区JTE为例,详细讨论了新的边界元分析法,研究了极值电场分布等情况,得到了物理概念清晰,描述较准确而又简明直观的优化结果。边界元算法独特,优点显著。现有程序不但可用于JTE终端优化分析设计,还可直接用于场板、JTE加场板等终端结构场分析。

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