高压JTE终端边界元电场分析
BEM Analysis of Electric Field in High-voltage JTE作者机构:西安交通大学微电子工程系710049
出 版 物:《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期:1998年第18卷第1期
页 面:79-85页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
基 金:国家自然科学基金
摘 要:在半导体高压终端研究中,重要的工作之一是终端电场电位分析。国内外以往报道的JTE分析结果除采用解析方法外,数值方法主要采用差分或有限元法。作者利用边界元数值技术,采用“边界元临界电场分析法,用自主开发的统一的边界元终端分析软件,从新的角度,以单区、双区JTE为例,详细讨论了新的边界元分析法,研究了极值电场分布等情况,得到了物理概念清晰,描述较准确而又简明直观的优化结果。边界元算法独特,优点显著。现有程序不但可用于JTE终端优化分析设计,还可直接用于场板、JTE加场板等终端结构场分析。