检索结果-南通市图书馆

硅中注 H^+ 气泡层的退火行为——气泡释放与表层剥离

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核技术 1997年第10期20卷 601-605页

作者：张苗竺士炀林成鲁 GutjahrK 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

室温下将能量为１４０ｋｅＶ、剂量为５×１０１６／ｃｍ２的Ｈ＋注入到硅单晶中，在硅表层下形成了气泡层。采用背散射与沟道技术、热波分析技术以及金相显微镜等分析测试手段，对气泡层的退火行为进行了研究。结果表明退火过程中存在... 详细信息

室温下将能量为１４０ｋｅＶ、剂量为５×１０１６／ｃｍ２的Ｈ＋注入到硅单晶中，在硅表层下形成了气泡层。采用背散射与沟道技术、热波分析技术以及金相显微镜等分析测试手段，对气泡层的退火行为进行了研究。结果表明退火过程中存在一个临界温度（４２０℃），高于临界温度退火，样品表面会形成砂眼或发生薄层剥离现象，而且剥离块密度随退火温度的升高而增加；而在临界温度以下，气泡层对表层硅的单晶质量没有影响。热波测量的结果表明薄层剥离后在样品表面留下了粗糙的凹坑。还对样品注Ｈ＋并退火后硅表面薄层的剥离现象进行了讨论。

关键词：气泡层薄层剥离氢离子注入单晶硅

CMOS／SIMOX和CMOS／BESOI的γ射线辐照特性比较

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固体电子学研究与进展 1996年第3期16卷 277-283页

作者：竺士炀林成鲁李金华高剑侠中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室江苏石油化工学院功能材料实验室中国科学院新疆物理研究所

用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，... 详细信息

用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素（辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷）。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ，由于寄生背沟ＭＯＳ结构的影响，经辐照后背沟漏电很快增大，经３００Ｇｙ（Ｓｉ）辐照后器件已失效。而厚膜ＢＥＳＯＩ器件由于顶层硅膜较厚，基本上没有背沟效应，其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜ＳＩＭＯＸ器件抗辐照性能的几种措施。

关键词： SIMOX BESOI CMOS 总剂量辐照 γ射线

SIMOX材料隐埋氧化层中针孔密度的表征和形成机理定性分析

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Journal of Semiconductors 1996年第4期17卷 300-304页

作者：竺士炀林成鲁中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料中隐埋氧化层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的针孔漏电可使器件完全失效．本文用ＣｕＳＯ４电解电镀法测定了不同工艺条件制备的ＳＩＭＯＸ... 详细信息

ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料中隐埋氧化层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的针孔漏电可使器件完全失效．本文用ＣｕＳＯ４电解电镀法测定了不同工艺条件制备的ＳＩＭＯＸ材料ＢＯＸ中的针孔密度，并用改进的二维ＩＲＩＳ程序定性分析了引起针孔的杂质临界颗粒尺寸．

关键词： SIMOX材料氧化层针孔密度

WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析

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固体电子学研究与进展 1996年第4期16卷 348-351页

作者：竺士炀林成鲁高剑侠李金华中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院新疆物理研究所江苏石油化工学院功能材料实验室

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线... 详细信息

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。

关键词：高温特性 BESOI CMOS 硅栅器件

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改进的多孔硅生长模型和计算机模拟

复旦学报（自然科学版） 2003年第1期42卷 70-73,80页

作者：张庆全竺士炀黄宜平复旦大学微电子系 ASIC与系统国家重点实验室上海200433

基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大... 详细信息

基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.

关键词：多孔硅薄膜计算机模拟多孔硅生长模型氢氟酸微结构生长机理

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背面多孔硅对SIMOX中铜杂质的吸除作用

固体电子学研究与进展 1998年第4期18卷 420-424页

作者：竺士炀黄宜平包宗明复旦大学电子工程系上海200433

在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×1015cm-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱（SIMS）测试表明钢杂质能穿过理层SiO2并在背面多孔硅处富集。用剖面投射电子显微镜（XTEM）分析了埋层SiO2和背面多孔硅... 详细信息

在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×1015cm-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱（SIMS）测试表明钢杂质能穿过理层SiO2并在背面多孔硅处富集。用剖面投射电子显微镜（XTEM）分析了埋层SiO2和背面多孔硅层的微观结构,背面多孔硅层及其多孔硅层同硅衬底之间“树技状”的过渡区被认为是铜杂质有效的吸除中心。

关键词：吸杂多孔硅氧离子注入隔离绝缘体上硅 SOI 铜

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SOIMOSFET二维数值模拟器的设计

固体电子学研究与进展 1999年第4期19卷 377-381页

作者：吴东平黄宜平竺士炀复旦大学电子工程系上海200433

介绍了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用，精度较高。给出了利用该设计方法获得的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ二维体电势... 详细信息

介绍了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用，精度较高。给出了利用该设计方法获得的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ二维体电势分布以及载流子浓度分布的三维输出图形。

关键词： SOI MOSFET 二维数值模拟器设计

Schottky Barrier Characteristics of Polycrystalline and Epitaxial CoSi_2/n-Si(111) Contacts Formed by Solid State Reaction 

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Journal of Semiconductors 2001年第6期22卷 689-694页

作者：竺士炀茹国平屈新萍李炳宗复旦大学电子工程系上海200433

Polycrystalline and epitaxial CoSi 2 films are formed on the n-Si (111) substrates by solid state reaction of the as-deposited Co single-layer and Co/Ti bilayer with Si,respectively at different annealing *** CoSi 2/Si Schottky contacts are measured with the current-voltage and capacitance-voltage (I-V/C-V) techniques within the range of temperature from 90K to room *** measured I-V characteristics have been analyzed with a model based on the inhomogeneity in Schottky barrier height,i.e.,at high temperatures (≥～200K) or low temperatures but with a large bias,the I-V curves can be described by using the thermionic emission theory with a Gaussian distributed barrier height over the whole junction,while at low temperatures and with a small bias,the current is dominated by some small patches with low barrier *** results in a plateau-like section in the low temperature I-V curves around 10 -7 *** room temperature,the barrier height of polycrystalline CoSi 2/Si deduced from the I-V curve is about 0 *** epitaxial CoSi 2,the barrier height depends on its final annealing temperature and increases from 0 54eV to 0 60eV with the annealing temperature increasing from 700℃ to 900℃.

关键词： Schottky barrier silicide I-V/C-V inhomogeneity

High Performance P-Channel Schottky Barrier MOSFETs with Self-Aligned PtSi Source／Drain on Thin Film SOI Substrate

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Chinese Physics Letters 2005年第8期22卷 2020-2022页

作者：竺士炀李名复 DepartmentofMicroelectronics FudanUniversityShanghai200433//SiliconNanoDeviceLaboratoryDepartmentofElectricMandComputerEngineeringNationalUniversityofSingaporeSingapore119260 SiliconNanoDeviceLaboratory DepartmentofElectricMandComputerEngineeringNationalUniversityofSingaporeSingapore119260

P-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with PtSi Schottky barrier source/drain, high-k gate dielectric and metal gate electrode were fabricated on a thin p-type silicon-on-insulator (SOI) substrate using a simplified low temperature process. The device works on a fully-depleted accumulation-mode and has an excellent electrical performance. It reaches Ion/Ioff ratio of about 107, subthreshold swing of 65mV/decade and saturation drain current of Ids = 8.8μA/μm at |Vg−Vth| = |Vd| = 1V for devices with the channel length 4.0μm and the equivalent oxide thickness 2.0nm. Compared to the corresponding bulk-Si counterparts, SOI p-SBMOSFETs have smaller off-state current due to reduction of the PtSi/Si contact area.

关键词： SOI CMOS FD