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0．50微米LDD　PMOS工艺研究
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电子学报 1994年 第2期22卷 96-99页
作者： 余山 章定康 黄敞 北京航空航天部二院 计算机应用和仿真技术研究所陕西微电子学研究所
为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，... 详细信息
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亚微米LDD MOSFET’s集成电路的优化设计及研制
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Journal of Semiconductors 1992年 第7期13卷 423-429页
作者： 余山 章定康 黄敞 陕西微电子学研究所 陕西临潼710600
本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计.
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浅结工艺研究及其在0.5μmCMOS集成电路中的应用
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固体电子学研究与进展 1993年 第4期13卷 317-320页
作者： 余山 章定康 黄敞 航天部第二研究院计算机应用和仿真技术研究所 北京100854 骊山微电子学研究所 西安临潼710600
采用低能量的砷离子注入和可抑制沟道效应的硅表面预先无定形技术,分别得到了0.13μm N^+/P结和0.17μm P^+/N结,并应用于0.5μm CMOS集成电路的制造。
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亚微米自对准硅化钛CMOS工艺
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电子学报 1994年 第11期22卷 78-79,86页
作者： 余山 章定康 黄敞 航天工业总公司二院计算机应用和仿真技术研究所 陕西微电子学研究所
本文对两步快速热退火形成ＴｉＳｉ２的工艺及其工艺的兼容性、ＴｉＳｉ２的物理化学物性进行了研究，结合ＬＤＤ结构，形成了两步快速热退火亚微米自对准硅化钛ＣＭＯＳ工艺，并应用于集成电路的制造，改善了电路性能。
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重掺杂对钛硅化物形成的影响
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微电子学与计算机 1992年 第2期9卷 44-47页
作者： 余山 章定康 黄敞 航空航天部骊山微电子学研究所
本文研究了重掺杂对两步快速退火(RTA)形成的钛硅化物的影响及形成机理,认为,重掺杂有妨碍TiSi_2形成的作用,钛硅化物的形成过程由硅的扩散和硅化物的成核过程组成。
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用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺
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微电子学与计算机 1994年 第1期11卷 46-48,51页
作者： 章定康 余山 黄敞 西安微电子技术研究所
本文研究了轻掺杂漏（ＬＤＤ）工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量．优化的ＳｉＯ２侧墙ＬＤＤ工艺有效地抑制了短沟道效应．研制成功了沟道长度为０．５μｍ的ＣＭＯＳ２７级环振电路，门延迟为１７０ｎｓ．
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亚微米光刻与刻蚀工艺研究
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半导体技术 1994年 第1期10卷 22-25页
作者： 余山 章定康 黄敞 航天工业总公司二院计算机应用和仿真技术研究所 西安微电子技术研究所
采用三层胶光刻工艺及以ＳＦ＿６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工艺，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。
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高速亚微米LDDE/D门的研究
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微电子学与计算机 1992年 第2期9卷 47-48,F003页
作者： 余山 章定康 黄敞 航空航天部骊山微电子学研究所
本文分析了基本上按1μm、2μm、3μm、4μm设计规则设计的轻掺杂漏(LDD)E/D门的门延迟,提出了设计与制造高速LDDE/D电路的基本思想。
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等离子刻蚀二氧化硅
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微电子学与计算机 1989年 第1期6卷 38-40页
作者： 余山 章定康 黄敞 骊山微电子学研究所
本文对一般的平行板式等离子刻蚀机的电极进行了改进,在改进的刻蚀机上,用CF_4+H_2刻蚀SiO_2,刻蚀速率为700(?)/min,选择性、各向异性均较好。
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侧墙工艺研究及其在集成电路中的应用
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微电子学与计算机 1993年 第2期10卷 40-42页
作者： 余山 章定康 黄敞 航空航天部骊山微电子学研究所 陕西临潼710600
本文对氮化硅侧墙、LPCVD SiO_2侧墙及3层结构多晶硅侧墙工艺进行了研究,并讨论了这些侧墙工艺在集成电路中的应用。
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