等离子刻蚀二氧化硅
Plasma Etching SiO_2作者机构：骊山微电子学研究所
出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)
年 卷 期：1989年第6卷第1期
页 面：38-40页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：本文对一般的平行板式等离子刻蚀机的电极进行了改进,在改进的刻蚀机上,用CF_4+H_2刻蚀SiO_2,刻蚀速率为700(?)/min,选择性、各向异性均较好。
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