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添加SiO_2、Al_2O_3等的PTC BaTiO_3陶瓷的物质传递与晶粒生长
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无机材料学报 1990年 第1期5卷 37-42页
作者： 姚尧 祝炳和 中国科学院上海硅酸盐研究所
本文采用“同心圆”式试样,观察 SiO_2、Al_2O_3等添加物对 PTC BaTiO_3陶瓷的物质传递及晶粒生长的影响,实验结果证实了添加 SiO_2、Al_2O_3等的 PTC BaTiO_3陶瓷,呈现出液相烧结的特征。实验结果表明:(1)液相烧结中的物质传递,除了与... 详细信息
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BaTiO_3半导瓷PTC现象的机理研究进展
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电子元件与材料 2003年 第11期22卷 21-27,30页
作者： 祝炳和 中国科学院上海硅酸盐研究所 上海200050
综述了近年来PTC机理研究的进展。着重讨论以下几点:Heywang 及Jonker模型;单个晶界电性测定;用阻抗分析区分晶界及晶粒电阻;应力与PTC效应;晶界结构与PTC效应;晶界第二相、晶界层与PTC效应;化学吸附气体作为电子陷阱。最后讨论了今后... 详细信息
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PTC陶瓷制造工艺与性质  1
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2001年
作者： 祝炳和等
本书系统地论述了PTC陶瓷的半导体化机理、制造工艺与性质，详尽地讨论了影响PTC陶瓷和产成品率的诸多因素，列举了PTC陶瓷的代表性应用，综述了基础研究的进展和国际上的最新动态。
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功能陶瓷的显微结构、性能与制备技术  1
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2005年
作者： 殷庆瑞 祝炳和
全书共6章。内容涉及功能陶瓷显微结构与性质，功能陶瓷的晶界现象，显微结构的新型成像技术，以及未来功能陶瓷研究值得关注的问题等。
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电子陶瓷的新进展
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功能材料 1991年 第2期22卷 93-99页
作者： 祝炳和 中国科学院上海硅酸盐研究所 上海200050
对电子陶瓷(包括绝缘瓷、电介质、压电瓷、PTC瓷、磁性瓷等)的最近进展进行了综合评述。尤其侧重制造过程及粉体工艺。最后列举了最近3次与电子陶瓷有关的会议内容主题。
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PTC材料的制备与性质
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压电与声光 1990年 第6期12卷 18-36页
作者： 祝炳和 王依琳 中国科学院上海硅酸盐研究所
为了PTC材料的稳定生产,对该材料的制备和性质进行了综述,对原料、掺入物、第二相等对PTC效应的影响进行了描述.为了控制阻值的重现性,讨论了烧结及晶界重氧化.最后从应用角度强调说明了显微结构均匀性和晶界热点的关系.
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当前功能陶瓷发展动向
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物理 1996年 第12期25卷 718-724页
作者： 祝炳和 赵梅瑜 中国科学院上海硅酸盐研究所
简要介绍了功能陶瓷包括电容介质、陶瓷封装、压电瓷、透明铁电陶瓷、铁电薄膜、变阻器、热敏电阻、超导瓷及传感器瓷的最近进展，讨论了陶瓷学和固体物理以及工艺之间的相互作用和渗透。
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PTC半导瓷用欧姆接触电极的研究
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功能材料 1996年 第5期27卷 407-411页
作者： 何晓明 刘胜利 张绍彬 祝炳和 中国科学院上海硅酸盐所
制备了六种含不同玻璃的铝电极浆料，研究了这些玻璃料对接触电阻的影响。结果表明，含ＮＯ．２玻璃料的烧渗铝电极试样显现出低的接触电阻和良好的抗老化特性。
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功能陶瓷显微结构图册
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2018年
作者： 祝炳和 王依琳 邱传贡
本图册收录了中科院上海硅酸盐研究所在功能陶瓷研究中所获得的部分显微结构图像，包括：陶瓷内部呈现的功能过程细节，电畴在晶界处的萌发、生长及取向排列，空间电荷在晶界区的阻留，不同应力状态的晶界，高应变能的晶界区，晶粒在烧... 详细信息
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PTC元件生产中废品形成的原因探讨
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电子元件与材料 2008年 第1期27卷 1-7页
作者： 祝炳和 朱盈权 中国科学院上海硅酸盐研究所 上海200050 成都宏明电子股份有限公司 四川成都610051
从PTC元件电击穿及热破坏的机理,探讨了其产生废品的原因,主要有:(1)干压成型形成的密度分布不均匀;(2)瓷体内的组成不均匀;(3)瓷体内玻璃相分布不均匀;(4)沿片子截面中心部位的强内应力等。据此提出了预防废品发生的措施。
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