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等离子体工艺参数对非晶硅氢合金中氢的键合性质的影响及氢的释放机理

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红外与毫米波学报 1985年第6期4卷 413-420页

作者：王澄何克伦程如光祁明维中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院上海冶金研究所

研究了等离子体工艺参数对射频辉光放电沉积的a-Si:H膜中氢的键合状态的影响及氢在退火时的释放机理。结果表明:可以通过不同的制备条件(特別是等离子体压力)控制a-Si:H膜中氢的键合状态。提出了以空间氢聚团模型解释在a-Si:H膜的退火... 详细信息

研究了等离子体工艺参数对射频辉光放电沉积的a-Si:H膜中氢的键合状态的影响及氢在退火时的释放机理。结果表明:可以通过不同的制备条件(特別是等离子体压力)控制a-Si:H膜中氢的键合状态。提出了以空间氢聚团模型解释在a-Si:H膜的退火过程中氢的释放机理。

关键词：键合 Si 释放机理等离子体工艺参数

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含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究

红外与毫米波学报 1991年第5期10卷 327-331页

作者：胡灿明黄叶肖叶红娟沈学础祁明维邬建根李晓雷中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083 中国科学院上海冶金研究所上海200050 复旦大学物理系上海200433

报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表... 详细信息

报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。

关键词：直拉硅复合浅施主光热电离谱硅

退火对 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光和红外吸收谱的影响

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无机材料学报 1991年第4期6卷 469-474页

作者：王树林程如光祁明维沈学础唐文国中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院上海冶金所中国科学院上海技术物理研究所

本文报道了经300℃到800℃退火后的氢化非晶硅(a-Si∶H)/氢化非晶氮化硅(a-SiN_x∶H)多层膜77K 的光致发光性能。77K 的光致发光峰值能量随 T_a 增加而减少,其减少速度对几种样品是不同的,由厚度为20(?)的 a-Si∶H 子层组成的多层膜(d_(... 详细信息

本文报道了经300℃到800℃退火后的氢化非晶硅(a-Si∶H)/氢化非晶氮化硅(a-SiN_x∶H)多层膜77K 的光致发光性能。77K 的光致发光峰值能量随 T_a 增加而减少,其减少速度对几种样品是不同的,由厚度为20(?)的 a-Si∶H 子层组成的多层膜(d_(?)=20(?))要来得慢。当退火温度达到800℃时,d_(?)=20(?)的多层膜仍保留有光致发光特性,而对于 d_(?)=300(?)多层膜和单层 a-Si∶H 膜,当退火到600℃后光致发光特性已消失。文中提出了不同 a-Si∶H 子层厚度的多层膜光致发光特性上的差别是与 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 界面氢比体内氢热稳定性来得高有关。后者由多层膜的红外吸收谱与退火温度依赖关系得到证实。

关键词：氢化非晶硅膜光致发光退火

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Cz—Si中辐照缺陷的红外研究

科技通讯（上海） 1991年第2期5卷 1-6页

作者：祁明维施天生

中子辐照含氢硅单晶低温Si—H吸收峰的研究

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红外研究(A辑) 1987年第5期6卷 363-368页

作者：祁明维施天生蔡培新白国仁谢雷呜高集金李石岭中国科学院上海冶金研究所中国科学院原子能研究所

本文用傅里叶变换红外吸收低温（10K）光谱研究中子辐照氢气区熔硅单晶的Si-H吸收峰。发现比室温光谱有更多的与氢有关的吸收峰,观察到1980cm-1吸收峰的精细结构。确定1839cm-1与817cm-1吸收峰的相关性,观察到低温峰有比室温更明确的退... 详细信息

本文用傅里叶变换红外吸收低温（10K）光谱研究中子辐照氢气区熔硅单晶的Si-H吸收峰。发现比室温光谱有更多的与氢有关的吸收峰,观察到1980cm-1吸收峰的精细结构。确定1839cm-1与817cm-1吸收峰的相关性,观察到低温峰有比室温更明确的退火行为。对一些吸收峰的组态进行了讨论。

关键词：吸收峰相关性中子辐照硅单晶 Si 低温

THEORETICAL STUDIES OF THE NATURE OF 2210cm-1 IR ABSORPTION PEAK IN SILICON CRYSTAL CONTAINING HYDROGEN （Ⅰ）——VALENCE FORCE FIELD CALCULATIONS OF THE OSCILLATOR FREQUENCIES

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Science China Mathematics 1988年第4期31卷 499-512页

作者：白国仁周建坤陈建民施天生祁明维谢雷鸣 Shanghai Institute of Metallurgy Academia Sinica

Starting from the idea of the Urey-Bradely force field, we have calculated the vibrational frequencies with a valence-force field method for the two models of the defect-complexes corresponding to 2210 cmpeak in silicon crystal containing hydrogen, vacancy +4H and interstitial silane which were put forward in a previous paper. Based on the analysis of calculated results and reasonableness of the force constant adjustments, it is concluded that the vacancy +4H model is preferable. In addition, a reliable way revealed by the theoretical calculations is described in which the two models cart be strictly discriminated experimentally.

关键词： THEORETICAL STUDIES OF THE NATURE OF 2210cm IR ABSORPTION PEAK IN SILICON CRYSTAL CONTAINING HYDROGEN VALENCE FORCE FIELD CALCULATIONS OF THE OSCILLATOR FREQUENCIES mode

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出生缺陷分子诊断的现状与思考

中华预防医学杂志 2024年第2期58卷 166-170页

作者：祁明傅启华张晓青上海交通大学医学院附属上海儿童医学中心儿科转化医学研究所、上海市儿科临床分子诊断重点实验室上海200127

出生缺陷是影响我国出生人口素质和威胁儿童健康的重大问题,遗传因素是导致出生缺陷的重要原因。对于由遗传因素所致的出生缺陷,分子诊断是其筛查、确诊与预防的关键手段。如何在临床开展大规模经济有效的分子诊断与筛查,是我国出生缺... 详细信息

出生缺陷是影响我国出生人口素质和威胁儿童健康的重大问题,遗传因素是导致出生缺陷的重要原因。对于由遗传因素所致的出生缺陷,分子诊断是其筛查、确诊与预防的关键手段。如何在临床开展大规模经济有效的分子诊断与筛查,是我国出生缺陷防治领域的重大挑战。本文将从我国出生缺陷疾病现状、分子诊断技术在出生缺陷防控中的应用及该技术在临床推广所面临的挑战等方面展开述评,以期为出生缺陷分子诊断的临床实践提供参考。

关键词：分子诊断技术出生缺陷基因组学高通量测序述评

含氢硅单晶2210cm-1红外吸收峰本质的理论研究——Ⅱ.振子强度及振动势函数的MNDO计算

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中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学) 1987年第12期 1320-1327页

作者：白国仁周健坤陈建民施天生祁明维谢雷鸣中国科学院上海冶金研究所

在前文价键力场频率计算的基础上,本文利用MNDO量子化学方法对含氢硅单晶中2210cm-1吸收峰对应缺陷复合体的两个模型（空位+4H,间隙硅烷）,在氢氘混合气氛下各自产生的5种组态,12个红外活性的振动模式进行了振子强度计算.计算结果表明,... 详细信息

在前文价键力场频率计算的基础上,本文利用MNDO量子化学方法对含氢硅单晶中2210cm-1吸收峰对应缺陷复合体的两个模型（空位+4H,间隙硅烷）,在氢氘混合气氛下各自产生的5种组态,12个红外活性的振动模式进行了振子强度计算.计算结果表明,空位+4H模型是可取的.根据用MNDO对Si16H1,Si16H3,Si16H4,SiH4,Si11H4原子集团A振动模式势函数的计算结果,讨论了建立在价键力场频率计算基础上的振子强度计算的合理性以及影响硅单晶中Si—H伸缩振动吸收峰频率的因素.此外还介绍了证实理论预言的实验结果.

关键词：硅烷有机硅化合物吸收峰原子分子振子强度硅单晶红外吸收 cm 势函数位函数

含氢硅单晶2210cm-1红外吸收峰本质的理论研究——Ⅰ.振子频率的价键力场计算

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中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学) 1987年第11期 1201-1210页

作者：白国仁周建坤陈建民施天生祁明维谢雷鸣中国科学院上海冶金研究所

本文根据Urey-Bradely 力场的思想,用价键力场的方法对文献[1]中提出的含氢硅单晶中2210cm-1吸收峰对应的缺陷复合体的两个模型:空位+4H,间隙硅烷,进行了振动频率的计算.在对计算结果和力常数调节合理性分析的基础上,得出了空位+4H模型... 详细信息

本文根据Urey-Bradely 力场的思想,用价键力场的方法对文献[1]中提出的含氢硅单晶中2210cm-1吸收峰对应的缺陷复合体的两个模型:空位+4H,间隙硅烷,进行了振动频率的计算.在对计算结果和力常数调节合理性分析的基础上,得出了空位+4H模型比较合理的结论.此外还介绍了理论计算揭示的从实验上区分两个模型的可靠途径.

关键词：力常数力场硅单晶价键力红外吸收硅烷有机硅化合物 cm 硅原子振动自由度矩阵元吸收峰