CZ-Si辐照缺陷的红外研究
INFRARED STUDY ON RADIATION DEFECTS IN CZ-Si作者机构：中国科学院上海冶金研究所上海200050
出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)
年 卷 期：1991年第10卷第1期
页 面：33-38页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
摘 要：报道了高碳CZ-Si经中子和电子辐照后产生氧-缺陷复合体的研究结果。电子辐照产生的830cm^(-1)峰在退火时转化成889、904、969、986、1000及1006cm^(-1)峰的退火曲线支持了Corbett和Stein提出的多重氧-缺陷复合体的模型。中子辐照产生的830cm^(-1)峰在退火时出现宽化现象是由于存在与830cm^(-1)峰组态相似的842、834和827cm^(-1)等卫星峰所致,并提出了对应于这些卫星峰的可能的缺陷模型。
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