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“全面二孩”政策下农村居民二胎生育意愿影响因素研究——以天津为例
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人口与发展 2017年 第4期23卷 104-112页
作者: 田立 唐华 张馨月 孙倩 张佳城 张海端 高建伟 天津商业大学经济学院 天津300134
"全面二孩"政策是国家应对人口红利消退、劳动力成本上涨及人口老龄化的一项生育政策,该政策在农村如何才能有效落实、哪些因素是影响农村居民二胎生育意愿的主因则是两个待解问题。基于天津市农村418位已有一胎孩子居民的问卷调查数据... 详细信息
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能源生产的模糊预测
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江苏大学学报(自然科学版) 2005年 第B12期26卷 54-57页
作者: 肖军 田立 杨宏林 江苏大学理学院 江苏镇江212013
基于经济变量和状态的模糊性,建立计量经济模型,运用模糊聚类(FCM)算法对样本空间进行聚类划分,获取模糊相似矩阵,优化经济变量输入输出关系,对经济变量进行拟合和预测.将模糊聚类方法用于复杂的能源系统,对我国能源生产进行预测,把预... 详细信息
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超声对妇产科腹痛的诊断价值
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基层医学论坛 2008年 第25期12卷 825-826页
作者: 田立 郝美 北京市潮白河骨伤科医院 北京101300
目的探讨超声对妇产科腹痛诊断的应用价值。方法对手术经病理证实的25例妇产科腹痛患者声像图进行分析,对24例非手术患者进行追踪观察,观察疗效。结果超声对妇产科腹痛患者能够提供病因诊断,为临床医生准确、及时提供诊疗方案,准确率达... 详细信息
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基于随机采样的超高分辨率成像中快速压缩感知分析
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红外与激光工程 2017年 第2期46卷 7-13页
作者: 王中阳 周燕飞 张小伟 沈灏 李恩 韩申生 宓现强 田立 彭玉峰 中国科学院上海高等研究院 上海201210 上海大学物理系 上海200444 河南师范大学电子与电气工程学院 河南新乡453007 中国科学院上海光学精密机械研究所 上海201800
随着近年来超分辨成像技术的发展,基于单分子拟合的超分辨成像方法能够实现纳米尺度的空间分辨率,但这种方法的耗时较长,时间分辨率较差。成像重构时间较长主要受制于成像过程中每帧图像较低的荧光分子密度,所以需要足够多的采样帧数来... 详细信息
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36例结肠癌并急性肠梗阻Ⅰ期手术治疗分析
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广州医药 2000年 第1期31卷 35-36页
作者: 李富 田立 广州市中医医院 510130
目的:为减轻患者痛苦,缩短住院时间,降低住院费用。方法:行Ⅰ期手术切除病灶,解除梗阻,端端吻合。结果:43例中无吻合口漏发生。切口感染3例,占8.33%,出现粘连性肠梗阻2例,占5.56%,结论:梗阻时间短,水肿轻,主要脏器功... 详细信息
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浓香型曲酒微生物技术在河南赊店酒的应用研究
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微生物学通报 1990年 第3期17卷 138-141页
作者: 薛堂 侯明贞 黄德英 吴衍庸 马书智 田立 张庭建 中国科学院成都生物研究所 河南社旗酒厂
用研制成功的强化菌曲和窖泥厌氧功能菌培制窖泥的两项微生物技术与浓香型曲酒传统工艺相结合的方法应用于河南社旗酒厂的酿酒上,解决新窖产酒质量问题。结果表明,强化菌曲、甲烷菌与产己酸梭状芽孢杆菌共同发酵用于浓香型曲酒生产,可... 详细信息
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芳香羧酸的酸性
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滨州学院学报 1996年 第4期17卷 52-54页
作者: 田立 滨州师专 山东滨州256604 滨州供销技工学校 256618
本文应用电子效应、氢键、空间效应理论对芳香羧酸的酸性进行了分析。
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基于J2EE的组态软件实时数据库研究
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微计算机信息 2007年 第22期23卷 287-289页
作者: 李冉冉 张齐 田立 林奎 赵坤 华南理工大学计算机科学与工程学院 广东广州510640 华南理工大学电子与信息学院 广东510640
本文介绍了基于面向对象技术的组态软件实时数据库系统的设计思想,针对实时数据库的特点,提出了一种在J2EE环境下,利用设计模式缓存数据提高访问效率的方法,给出了实时数据库和其他应用的接口实现方式和通信方法,利用该方法建立的实时... 详细信息
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硅耗尽层少子产生率的强电场效应
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Journal of Semiconductors 1985年 第1期 1-10页
作者: 李志坚 田立 马鑫 清华大学微电子学研究所
利用MOS C(t)特性系统地研究了强电场对硅耗尽层少子产生的影响.以Ieda等关于库仑中心电子发射率与电场强度的理论关系为基础,提出了一种对实验结果进行拟合的模型.该模型不仅满意地拟合了本工作的实验,而且合理地阐明了迄今文献中已发... 详细信息
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P型硅MOS结构C(t)不稳定性研究
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Journal of Semiconductors 1981年 第4期 288-297页
作者: 马鑫 田立 李志坚 清华大学微电子学研究所
对P型硅的C(t)和C(V)特性的不稳定性进行了细致的实验研究.给出了一个能满意地定性解释所观察到的各种现象的物理模型.利用硼注入到栅周围的硅中,可有效地消除上述不稳定性.但实验证明,此时若要利用 MOS C(t)特性来决定半导体少子寿命,... 详细信息
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