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X射线质量衰减截面和光电截面的高精度测量

原子核物理评论 1997年第3期14卷 148-150页

作者：王大椿北京师范大学低能核物理所北京市辐射中心

利用特征Ｘ射线源系统地测量了Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｙ、Ｉｎ、Ｓｎ等六种元素及ＳｉＨ４的Ｘ射线质量衰减系数，实验误差为±１％．

关键词： X射线质量吸收系数光电截面衰减截面硅铁

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利用离子注入技术研制新型抗辐照太阳电池

核技术 1995年第6期18卷 321-323页

作者：王兴民王大椿北京师范大学低能核物理研究所

利用离子注入技术在电池表面层形成密集的垂直ＰＮ结，缩短光生载流子到达ＰＮ结的距离，提高ＰＮ结的收集效率，从而研制成一种新型的抗辐照太阳电池。

关键词：太阳能电池抗辐照离子注入垂直结

3.3keV—29.1keV能区Sn的X—射线衰减系数和光电截面(英文)

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原子与分子物理学报 1992年第1期9卷 2101-2109页

作者：王大椿杨华罗平安北京辐射中心

利用质子激发单元素靶或化合物靶产生的特征X射线源和Si(Li)探测器,在3.3—29.1keV能区测量了锡的质量衰减系数。对于较强而孤立的特征X射线,质量衰减系数的误差≤±1％。从实验测得的总截面中减去理论计算的散射截面(本能区里,散射截... 详细信息

利用质子激发单元素靶或化合物靶产生的特征X射线源和Si(Li)探测器,在3.3—29.1keV能区测量了锡的质量衰减系数。对于较强而孤立的特征X射线,质量衰减系数的误差≤±1％。从实验测得的总截面中减去理论计算的散射截面(本能区里,散射截面只占总截面的1％—11％)便得到了总的光电截面值。

关键词：光电截面 X射线衰减系数锡

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会聚X射线圆柱形直导管特性研究

高能物理与核物理 2006年第9期30卷 916-919页

作者：李玉德林晓燕王大椿北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京100875 北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京市辐射中心北京100875

计算了圆柱形直导管会聚区域的功率密度增益K和等效距离L_(eq)随导管长度和导管内径的变化值．实验上测量了能量为8．04keV的X射线经过半径为0．54mm的直导管的K和L_(eq)以及会聚位置的光强分布,并和计算结果进行了对比．结果表明：圆... 详细信息

计算了圆柱形直导管会聚区域的功率密度增益K和等效距离L_(eq)随导管长度和导管内径的变化值．实验上测量了能量为8．04keV的X射线经过半径为0．54mm的直导管的K和L_(eq)以及会聚位置的光强分布,并和计算结果进行了对比．结果表明：圆柱形直导管在小尺寸样品X射线衍射领域具有良好的应用前景．

关键词：圆柱形直导管功率密度增益等效距离光强分布

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扩展电阻分析对砷在硅中本征扩散系数的研究

Journal of Semiconductors 1989年第6期10卷 441-448页

作者：卢志恒罗晏王大椿北京师范大学低能核物理所

本文扼要叙述了扩展电阻分析用以测量较低浓度砷的剖面的有效性,进而研究了较低浓度砷在硅中的扩散问题.由于通过快速热退火对样品进行预处理,排除了辐照损伤对扩散系数测定的影响,从而测得砷在硅中本来意义下,即替位扩散意义下的本征... 详细信息

本文扼要叙述了扩展电阻分析用以测量较低浓度砷的剖面的有效性,进而研究了较低浓度砷在硅中的扩散问题.由于通过快速热退火对样品进行预处理,排除了辐照损伤对扩散系数测定的影响,从而测得砷在硅中本来意义下,即替位扩散意义下的本征扩散系数.如所预期,这组数据比国外直至目前所测得的数据要低.浓度剖面的实验数据由非线性扩散方程的数值解进行拟合.结果表明:SUPREM III所采用的模型在较高浓度区扩散系数随浓度递增速率较小,Hu理论仍然和本实验(?)较符合.本文还求得了扣除辐照损伤增强扩散效应后,砷在硅中的激活能为4.

关键词：扩散硅中杂质砷扩展电阻

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测量整体X光透镜性能的一种新方法

高能物理与核物理 2005年第10期29卷 1017-1022页

作者：孙天希丁训良刘志国王大椿射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875

为了高效准确地确定整体X光透镜焦斑位置,设计了一种新方法:轴向扫描法.该方法避免了探测系统的死时间问题,可以在大能量范围内同时测量透镜在不同能量点的出口焦距,在确定透镜出口焦距时,测量结果的绝对误差范围在-120μm和120μm之间... 详细信息

为了高效准确地确定整体X光透镜焦斑位置,设计了一种新方法:轴向扫描法.该方法避免了探测系统的死时间问题,可以在大能量范围内同时测量透镜在不同能量点的出口焦距,在确定透镜出口焦距时,测量结果的绝对误差范围在-120μm和120μm之间.实验结果表明:透镜的出口焦距随着能量的增加而增加.

关键词：整体X光透镜焦斑位置轴向扫描法出口焦距绝对误差

金属等离子体Z－Pinch软X射线源上X射线能谱与X射线能量的测量

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光学精密工程 1995年第1期3卷 50-56页

作者：李永安王大椿北京师范大学低能核物理所北京市辐射中心射线束材料工程开放实验室

本文介绍了国内首次利用针孔透射光栅谱仪对金属等离子体Ｚ箍缩Ｘ射线源能谱的测量结果及数据处理方法。同时用量热计对该源的单脉冲Ｘ射线能量进行了测量并讨论了其结果。

关键词： X射线能谱金属等离子体软X射线针孔透射光栅量热计

3.3keV-27.8keV能区Cu的光电截面测量

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原子与分子物理学报 1991年第3期8卷 1914-1922页

作者：王大椿杨华汪新福周宏余北京辐射中心北师大低核所

利用2.5MeV的质子束激发单质金属元素靶或化合物靶产生的K线或L线特征x射线作为x光源,用Si(Li)谱仪系统测得了3.3KeV—27.8keV能区Cu的x射线质量衰减系数,对于较强而孤立的特征x射线峰,衰减系数的实验误差≤1％。在本能区里,由于瑞利散... 详细信息

利用2.5MeV的质子束激发单质金属元素靶或化合物靶产生的K线或L线特征x射线作为x光源,用Si(Li)谱仪系统测得了3.3KeV—27.8keV能区Cu的x射线质量衰减系数,对于较强而孤立的特征x射线峰,衰减系数的实验误差≤1％。在本能区里,由于瑞利散射和康普顿散射的截面很小,因此,由总衰减截面扣除散射截面便得到了光电截面的实验值,与一些早期的实验结果及理论值进行了比较,并作了讨论。

关键词：铜光电截面 X射线质量衰减系数

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超晶格的沟道背散射分析

重庆经济研究 1989年第1期 28-33,8页

作者：王大椿