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Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构特性研究

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无机材料学报 2006年第1期21卷 235-238页

作者：张锡健马洪磊王卿璞马瑾山东大学物理与微电子学院济南250100

采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO(x=0．23)薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼(Raman)光谱和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构特性．XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,... 详细信息

采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO(x=0．23)薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼(Raman)光谱和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构特性．XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,且具有沿c轴的择优取向,晶格常数与ZnO晶体的近似相等． Raman光谱不仅揭示 MgxZn1-xO薄膜具有六角纤锌矿结构,而且也表明MgxZn1-xO薄膜的结晶质量比在相同条件下制备的ZnO薄膜好． AFM图像则显示出Mg=Zn1-xO薄膜为多晶结构．

关键词： MgxZn1-xO 射频磁控溅射结构特性

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新型半导体激光器——ZnO紫外激光器

物理 2001年第12期30卷 741-744页

作者：张德恒王卿璞山东大学物理系济南250100

最近人们发现在室温下ZnO薄膜能产生强烈的光受激辐射 ,这表明此种材料可用于制造紫外光半导体激光器 ,此种激光器在光信息存贮上有广泛应用 .

关键词： ZnO薄膜紫外激光器半导体激光器氧化锌薄膜

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射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光

Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 157-161页

作者：王卿璞张德恒薛忠营山东大学物理与微电子学院济南250100

用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;... 详细信息

用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 .

关键词： ZnO薄膜射频磁控溅射 Si衬底光致发光

MgZnO薄膜及其量子阱和超晶格的发光特性

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发光学报 2004年第2期25卷 111-116页

作者：张德恒张锡健王卿璞孙征山东大学物理与微电子学院山东济南250100

MgO和ZnO形成合金Mg_xZn_(1-x)O的带隙可以在3.3～7.9eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价... 详细信息

MgO和ZnO形成合金Mg_xZn_(1-x)O的带隙可以在3.3～7.9eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值。回顾最近几年对MgZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍在不同衬底上用不同方法制备MgZnO合金薄膜的制备技术、发光特性以及发光特性与薄膜中Mg含量的关系;综述近年来在ZnO/Mg_xZn_(1-x)O超晶格、量子阱研究上的成果,特别介绍了ZnO/Mg_xZn_(1-x)O对超晶格、量子阱的发光特性、发光机理以及发光特性与势垒层镁含量、器件温度的关系。

关键词：氧锌镁薄膜量子阱超晶格光致发光受激发射半导体材料

室温全电可操作的InAs/GaAs量子点存储器

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Journal of Semiconductors 2006年第2期27卷 363-367页

作者：杜军王卿璞 Balocco C Song A M 山东大学物理与微电子学院济南250100 School of Electrical and Electronic Engineering University of ManchesterManchester M60 1QDUK

报道基于高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的InAs/GaAs量子点存储器,它既可以在室温下工作,又可以完全由栅极电压来控制其存储状态.在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量... 详细信息

报道基于高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的InAs/GaAs量子点存储器,它既可以在室温下工作,又可以完全由栅极电压来控制其存储状态.在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量子点层的深能级引起的,而并非是由量子点本征能级的充、放电所造成的.

关键词： 1nAs/GaAs量子点存储器偏压降温深能级

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在曼彻斯特大学交流访问

国际学术动态 2007年第4期 34-35页

作者：王卿璞山东大学物理与微电子学院

在我校“双肩挑骨干人员出国访问政策”的指导下，在国际合作交流处的支持下，本人经学校批准于2006年3月17日-5月17日在曼彻斯特大学进行了为期2个月的研究与交流工作。

关键词：曼彻斯特大学合作交流学校

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不同衬底上的ZnO薄膜紫外光致发光

物理学报 2003年第6期52卷 1484-1487页

作者：张德恒王卿璞薛忠营山东大学物理与微电子学院济南250100

用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜 .在 2 70nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射 (波长为 3 5 6nm)和较弱的蓝光发射 (波长为 44 6nm) .经高温退火后薄膜的结晶质量显著提高 ... 详细信息

用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜 .在 2 70nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射 (波长为 3 5 6nm)和较弱的蓝光发射 (波长为 44 6nm) .经高温退火后薄膜的结晶质量显著提高 ,在蓝宝石、石英衬底上沉积的薄膜 ,其积分发光强度分别增加了 7倍和 14倍 .而硅衬底上的膜发光强度增强不太显著 .紫外光发射源于电子的带间跃迁。

关键词： ZnO薄膜紫外光致发光射频磁控溅射法氧化锌薄膜半导体材料退火发光强度

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ZnMgO薄膜结构与光电特性研究

ZnMgO薄膜结构与光电特性研究

退火温度对低温生长Mg_xZn_(1-x)O薄膜光学性质的影响

第八届中国功能材料及其应用学术会议

作者：王卿璞山东大学

ZnMgO因具有高透过率、带隙较宽且连续可调等特点,是CIGS太阳电池缓冲层的理想材料,制备高质量的ZnMgO薄膜是提高电池效率的关键。采用射频磁控溅射法,在钠钙玻璃衬底上制备了ZnMgO薄膜,采用氩气作为溅射气体,ZnMgO陶瓷靶,溅射气压为1Pa...

ZnMgO因具有高透过率、带隙较宽且连续可调等特点,是CIGS太阳电池缓冲层的理想材料,制备高质量的ZnMgO薄膜是提高电池效率的关键。采用射频磁控溅射法,在钠钙玻璃衬底上制备了ZnMgO薄膜,采用氩气作为溅射气体,ZnMgO陶瓷靶,溅射气压为1Pa,溅射时间为60min,溅射功率分别为100W、150W和200W,溅射过程在室温下进行。利用

关键词：

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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物理学报 2006年第1期55卷 437-440页

作者：张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰山东大学物理与微电子学院济南250100

用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0·16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取... 详细信息

用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0·16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.

关键词： MgxZn1-xO薄膜射频磁控溅射退火