退火温度对低温生长Mg_xZn_(1-x)O薄膜光学性质的影响

作     者：张锡健 马洪磊 王卿璞 马瑾 宗福建 肖洪地 计峰 Zhang Xi-Jian;Ma Hong-Lei;Wang Qing-Pu;Ma Jin;Zong Fu-Jian;Xiao Hong-Di;Ji Feng

作者机构：山东大学物理与微电子学院济南250100 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2006年第55卷第1期

页      面：437-440页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：教育部博士点基金(批准号:20020422056)资助的课题~~ 

主　　题：MgxZn1-xO薄膜 射频磁控溅射 退火 

摘      要：用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0·16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.