检索结果-南通市图书馆

10 Gbit/s高速GaInAs/InP平面PIN的研究

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光通信研究 1998年第5期 37-41页

作者：徐之韬王任凡陈浩瀚武汉电信器件公司

本文报道了平面结构正面进光高速ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ平面ＰＩＮ光电二极管（使用Ｓｉ－ＩｎＰ衬底）。该器件具有高的稳定性（在１５０℃下经１４４０小时高温老化后，暗电流无变化），大带宽（１５ＧＨｚ），高响应度（在１．３μｍ... 详细信息

本文报道了平面结构正面进光高速ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ平面ＰＩＮ光电二极管（使用Ｓｉ－ＩｎＰ衬底）。该器件具有高的稳定性（在１５０℃下经１４４０小时高温老化后，暗电流无变化），大带宽（１５ＧＨｚ），高响应度（在１．３μｍ波长下，响应度为０．９４Ａ／Ｗ）。

关键词：光电二极管平面PIN 光通信光接收机

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850nm氧化限制型VCSEL研究

光通信研究 2004年第2期 36-38,58页

作者：岳爱文王任凡沈坤石兢武汉电信器件公司湖北武汉430074 武汉大学物理系湖北武汉430072

通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω和25Ω,激光器... 详细信息

通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω和25Ω,激光器具有良好的温度特性和可靠性,可应用于1.25Gbit/s数据通信.

关键词： VCSEL 垂直腔面发射激光器氧化限制分布布拉格反射器光纤通信

高性能低阈值高温无致冷1.3μm AlGaInAs量子阱激光器

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光通信研究 2001年第4期 48-51页

作者：郑鹏王任凡岳爱文李林沈坤华中科技大学光电子工程系湖北武汉430074 武汉电信器件公司湖北武汉430074

讨论了影响激光器高温特性的主要因素 ,提出了在 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量子阱激光器中采用倒台脊波导 ( RM- RWG)结构可以改善激光器高温无致冷的工作特性 ,研制出了 RM- RWG结构的 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量... 详细信息

讨论了影响激光器高温特性的主要因素 ,提出了在 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量子阱激光器中采用倒台脊波导 ( RM- RWG)结构可以改善激光器高温无致冷的工作特性 ,研制出了 RM- RWG结构的 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量子阱激光器 ,其阈值电流为 6m A,特征温度达到 95 K( 2 5℃～ 85℃ ) 。

关键词：半导体激光器 AlGaInAs 量子阱激光器高温无致冷

Improvement of 1.3-μm GaInNAs Vertical Cavity Surface Emitting Lasers Grown by MOVPE

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Chinese Physics Letters 2004年第1期21卷 81-83页

作者：岳爱文沈坤石兢王任凡 DepartmentofPhysics WuhanUniversityWuhan430072 WuhanTelecommunicationDevicesCo. Wuhan430074 InternationalCenterforMaterialPhysics ChineseAcademyofSciencesShenyang110016

We report the improved performance of the conventional contact 1.3 μm GaInNAs vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) grown by metal-organic vapour-phase epitaxy (MOVPE). A new wet etching approach was applied in the fabrication of 1.3 μm GaInNAs oxide-confined VCSELs. The threshold current of single mode device is 1.0 mA. The multiple mode devices show very low threshold currents below 2 mA at 5-85 ℃, which were the best results for 1.3 μm GaInNAs VCSELs reported. Maximum single mode output power of 0.256mW and the maximum multiple mode power of 0.883 mW were obtained at room temperature.

关键词： fabrication threshold currents single-mode Output power Vertical cavity surface emitting lasers Metalorganic vapor phase epitaxy

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BCB在光电芯片制造中的工艺研究

半导体技术 2012年第3期37卷 197-200页

作者：钟行王任凡李林阳红涛武汉电信器件有限公司武汉430074

BCB树脂具有良好的平坦化特性、电气特性和热稳定性,相比于聚酰亚胺等其他介质,它具有介电常数小,吸水率低,固化温度低和可靠性高等特点,可以用于进行沟槽填充。研究了一种采用BCB介质进行沟道填充的倒台结构脊波导激光器,并且优化了涂... 详细信息

BCB树脂具有良好的平坦化特性、电气特性和热稳定性,相比于聚酰亚胺等其他介质,它具有介电常数小,吸水率低,固化温度低和可靠性高等特点,可以用于进行沟槽填充。研究了一种采用BCB介质进行沟道填充的倒台结构脊波导激光器,并且优化了涂覆,固化以及刻蚀等工艺参数,与采用直台结构的脊波导激光器进行了性能对比,发现利用BCB介质进行沟道填充的芯片,具有更低的阈值电流,更小的串联电阻和热电阻,以及更高的斜率效率,各项技术参数均优于直台结构脊波导激光器。

关键词：苯并环丁烯倒台沟槽填充涂覆固化等离子刻蚀

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PDM-CO-OFDM系统导频结构研究

光通信技术 2015年第12期39卷 38-40页

作者：闵平余建国王任凡罗飚北京邮电大学电子工程学院北京100876 武汉电信器件有限公司武汉430074

基于16QAM偏振复用相干探测光正交频分复用(PDM-CO-OFDM)系统做了简要介绍,提出一种新的导频结构来提高PDM-CO-OFDM系统的相位和信道估计,仿真结果显示这种方法对PDM-CO-OFDM系统BER指标有1.2×e-3左右的改善效果。

关键词：相干探测导频估计保护子载波

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光载无线电核心技术研究进展

科技导报 2016年第16期34卷 45-53页

作者：罗飚王任凡胡海李灯熬赵菊敏武汉光迅科技股份有限公司武汉430074 深圳清华大学研究院深圳518000 太原理工大学信息工程学院太原030024

光载无线电(RoF)技术融合了微波射频技术和光子技术,充分体现了光通信"高速"和无线通信"移动"的技术特色,可大幅降低无线网络的能耗,代表了未来光网络和无线网络的发展方向。本文从RoF技术的国内外研究与应用现状出发,在分析RoF涉及的... 详细信息

光载无线电(RoF)技术融合了微波射频技术和光子技术,充分体现了光通信"高速"和无线通信"移动"的技术特色,可大幅降低无线网络的能耗,代表了未来光网络和无线网络的发展方向。本文从RoF技术的国内外研究与应用现状出发,在分析RoF涉及的关键技术基础上,探讨了目前RoF技术面临的挑战,展望了其未来的发展方向。

关键词：光载无线电技术探测器阵列芯片激光器阵列芯片宽频带光收发模块

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相干光通信中的改进型二阶载波相位估计算法

光通信研究 2016年第6期6期(22)卷 1-4页

作者：赵伦余建国王任凡罗飚北京邮电大学电子工程学院北京100876 武汉光迅科技股份有限公司武汉430205

针对现有的BPS(盲相位搜索)算法计算复杂度过高的问题,提出了一种基于改进型QPSK(正交相移键控)分区算法的二阶载波相位估计算法,该算法的第一阶采用传统基于部分星座点的P3算法进行粗估计,第二阶采用作者提出的改进型QPSK分区算法补偿... 详细信息

针对现有的BPS(盲相位搜索)算法计算复杂度过高的问题,提出了一种基于改进型QPSK(正交相移键控)分区算法的二阶载波相位估计算法,该算法的第一阶采用传统基于部分星座点的P3算法进行粗估计,第二阶采用作者提出的改进型QPSK分区算法补偿剩余的相位噪声。仿真结果表明,该算法的性能与BPS算法相近,但计算复杂度较BPS算法降低了约1/13。

关键词：相干光通信载波相位估计正交相移键控分区

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硅基相移啁啾切趾光栅的光谱特性分析

光通信研究 2017年第6期6期(14)卷 66-70页

作者：陈超毅余建国王任凡罗颷北京邮电大学电子工程学院北京100876 武汉电信器件有限公司武汉430205

硅基相移光栅具有良好的波长选择性。文章通过相移光栅的耦合方程,利用Matlab软件进行仿真,分别讨论了不同相移大小和光栅长度对相移光栅的反射谱的影响;通过引入啁啾和切趾技术达到了拓宽带宽、抑制旁瓣和时延的目的。设计仿真出了一... 详细信息

硅基相移光栅具有良好的波长选择性。文章通过相移光栅的耦合方程,利用Matlab软件进行仿真,分别讨论了不同相移大小和光栅长度对相移光栅的反射谱的影响;通过引入啁啾和切趾技术达到了拓宽带宽、抑制旁瓣和时延的目的。设计仿真出了一种带宽为0.18nm、时延为-3 795ps/nm的硅基相移啁啾切趾光栅,为波长可控的耦合器、波长滤波器等的设计提供了理论依据。

关键词：相移光栅啁啾系数切趾技术耦合模